女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

鎧俠在閃存市場的底氣

旺材芯片 ? 來源:半導體芯聞 ? 2023-04-14 09:17 ? 次閱讀

從去年下半年以來,因為智能手機和PC的不景氣,存儲市場遭受了暴擊,包括鎧俠在內的全球領先的存儲供應商也都相應下調了產能,以應對這波下行周期帶來的不確定性。

然而,據鎧俠CTO柳茂知在早前舉辦的中國閃存市場峰會(CFMS)的相關采訪中介紹,存儲市場有望在今年下半年復蘇。鎧俠電子(中國)有限公司董事長兼總裁岡本成之更是在峰會的演講中直言:“雖然目前存儲市場面臨很嚴重的挑戰,但是我們對中國市場的長期發展充滿信心,我們鎧俠為中國市場的發展繼續貢獻力量。”

為了抓住這波機遇,鎧俠已經做好了充分的準備。

夯實的技術基礎

眾所周知,鎧俠公司發明了NAND Flash。公司憑借其領先的三維(3D)垂直閃存單元結構BiCS FLASH,讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時,鎧俠還是第一個設想并準備將SLC技術成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現在又從TLC遷移到QLC的行業參與者。

這讓公司擁有足夠的實力打造高容量、低成本存儲解決方案的應用。

8fcfb5b6-da01-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

鎧俠QLC技術實現單一封裝的最高容量閃存

日前,公司更是與西部數據聯合宣布,成功推出了業界最高位密度的第八代BiCS FLASH——218層的3D閃存。

鎧俠方面表示,通過引入各種獨特的工藝與架構,公司了實現存儲顆粒持續的橫向微縮,同時還降低了成本。這種垂直與橫向微縮之間的平衡在更小的芯片中也產生了更大的容量,在優化成本的同時減少了層數。

“兩家公司還開發了突破性的CBA(CMOS直接鍵合到陣列)技術,其中CMOS晶圓和存儲單元陣列晶圓在優化狀態下單獨制造,然后鍵合在一起,以提供更高的千兆字節(GB)密度和快速NAND I/O速度。”鎧俠方面強調。

按照鎧俠所說,公司新推出的218層3D閃存采用的創新橫向微縮技術為4平面(Plane)的1Tb三層存儲單元(TLC)和四層存儲單元(QLC)帶來超過50%的位密度提升。其高速NAND I/O速度超過3.2GB/s,比上一代產品提高了60%,同時在寫入性能和讀延遲方面的改善超過了20%,將加速用戶的整體性能、可用性。

熟悉存儲產業的讀者應該知道,現在為了持續增加存儲的密度,幾大存儲芯片供應商除了在“方寸”的空間上搭高樓,芯片的密度也是大家關注的交代。如是,對于存儲技術未來如何發展,不同的廠商有著不同的觀點。

針對這個問題,柳茂知先生回應道:“我們對存儲產品有著高容量、低成本和高性能這三個方面的需求,而為了達到這個目的,我們不但要繼續提高3D memory的層數以外,縮小‘洞’之間的間距。與此同時,縮小die面積也是我們發力的方向之一。”

柳茂之先生進一步指出,從目前的技術現狀看來,3D NAND Flash繼續增加層數是可行的,擴展到500層也是能實現的。隨著層數的增加,單位存儲的成本也會相應降低。但對500層以后的技術和成本走勢,柳茂之表示目前很難預估。

但可以肯定的是,基于這些領先的底層技術,鎧俠已經打造了一系列備受好評的SSD產品。

廣泛的產品布局

作為在閃存和固態硬盤(SSD)領域引領技術潮流的品牌,鎧俠一直為移動計算、云端、邊緣、數據中心和車載等領域提供高性能產品和服務,產品線包含NAND閃存、eMMC/UFS、SSD以及與SSD配套的軟件解決方案,并占據了世界閃存產能的大約30%。

在本次CFMS大會上,鎧俠更是推出了極具前瞻意義的全新產品——第二代 XL-FLASH。

據介紹,XL-FLASH存儲級內存(SCM)是一種介于內存(DRAM)與固態硬盤(SSD)之間的非易失性存儲,能夠幫助數據中心、服務器實現高吞吐量、低延遲和高可靠性的存儲性能。早在2021年,鎧俠就發布了相關產品FL6系列SCM固態硬盤。而新一代的XL-FLASH是一款具備。

而在這一代的全新產品上,鎧俠則首次采用了MLC技術,能夠幫助SCM級存儲進一步降低成本。不僅如此,下一代SCM產品順序讀取速度將提升118%,順序速度寫入提升56%,隨機讀寫速度更是分別提升100%和165%,讀取響應時間則進一步縮短7%。

針對現在越來越火爆的云端應用,鎧俠也推出了面向云端應用的數據中心級固態硬盤。并且在現場展示了鎧俠CD8系列,它能夠在成本和性能之間取得平衡,立足于PCIe 4.0和NVMe1.4規范,最高提供了7200MB/s讀取速度和1250K IOPS隨機讀取速度,還提供了混合寫入密集型(3DWPD耐久度、最高12.8TB容量)和讀取密集型(1DWPD耐久度和15.36TB)兩個版本。為了保證數據的安全性,鎧俠CD8還具備即時擦除(SIE)、自加密驅動器(SED)以及斷電保護(PLP)等多種安全技術。

“采用PCIe 5.0技術設計版本的CD8也將性能向上提升了一步。相比第一代PCIe 5.0產品,CD8能帶來14%以上的提升,并符合OCP DataCenter NVMe SSD 2.0 和 NVMe 1.4規格。”鎧俠方面強調。

緊接著,CD8系列的性能提升型產品也蓄勢待發,它同樣采用PCIe 5.0技術設計,支持PCIe 5.0和NVMe 2.0,順序讀取和隨機讀取性能將更進一步提升。新產品將同時提供2.5英寸和EDSFF E3.S可選,容量可達15.36TB,具備斷電保護(PLP)和端對端數據校正等功能,以滿足豐富的應用場景。

針對人工智能領域的需求,鎧俠推出了采用雙端口24Gb/s SAS的鎧俠PM7系列。它的單盤容量可達30.72TB,隨機讀寫表現都非常優秀。雙端口SAS設計能夠有效防止主機端單點故障,構建更加可靠的系統,能夠滿足人工智能應用的更多需求。

鎧俠還帶來了更多針對特定應用場景的解決方案,比如支持雙端口NVMe技術設備的CM7,它提供了2.5英寸和E3.S規范,最大容量可達30.72TB,可以滿足Tier 0計算;還有針對開放計算項目(OCP)設計的XD7P系列,能夠提供TCG Opal SSC SED安全選項;而BG5、XG8系列則可以為消費端產品提供輕薄的外形和強大的性能。

“如何降低存儲成本同樣是鎧俠關注的重點,通過研發團隊的不斷努力,我們下一代QLC SSD的順序讀取性能將與TLC SSD相當,并且隨機讀取性能更可達TLC SSD的75%。目前QLC SSD已經具備了推向企業級市場的條件,適合注重讀取的應用場景。”鎧俠強調。

面向未來的服務器需求,提供更多算力,鎧俠也積極與合作伙伴共同推進CXL+FLASH應用方案落地,讓服務器擁有更高效的數據存儲性能。

總而言之,如鎧俠所說,公司的宗旨是將憑借行業領先的存儲技術和產能,繼續引領行業發展潮流,不斷賦能人工智能云計算、智能汽車等新經濟增長點,和行業伙伴一起構建存儲以及科技更加美好的未來。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 閃存
    +關注

    關注

    16

    文章

    1836

    瀏覽量

    115726
  • 存儲技術
    +關注

    關注

    6

    文章

    753

    瀏覽量

    46225
  • slc
    slc
    +關注

    關注

    0

    文章

    52

    瀏覽量

    22907

原文標題:鎧俠在閃存市場的底氣

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    發布上市后首份季度財報

    于近日正式公布了其自上市以來的首份季度財報,詳細披露了2024財年第三財季的財務數據。 截至2024年12月31日的這一財季中,
    的頭像 發表于 02-18 11:21 ?448次閱讀

    控股東京證券交易所PRIME市場上市

    日本半導體存儲器領域的佼佼者控股,近日東京證券交易所最高級別的PRIME市場成功掛牌上市,其股票發行價定為每股1455日元。這一舉措標志著
    的頭像 發表于 12-20 14:04 ?461次閱讀

    預測2028年NAND Flash需求將激增2.7倍

    存儲芯片大廠近日發表了一項令人矚目的預測,稱人工智能需求的強勁推動下,到2028年,全球對NAND Flash的需求將增加2.7倍。這一預測不僅展示了存儲市場的巨大潛力,也預示著
    的頭像 發表于 11-12 14:40 ?593次閱讀

    將開發新型CXL接口存儲器

    近日,公司宣布其“創新型存儲制造技術開發”提案已被日本新能源?產業技術綜合開發機構(NEDO)的“加強后5G信息和通信系統基礎設施研究開發項目/先進半導體制造技術開發”計劃采納。這一消息標志著
    的頭像 發表于 11-11 15:54 ?545次閱讀

    計劃2025年6月前完成IPO

    近日,日本知名半導體企業被曝出正積極籌備首次公開募股(IPO)的重大計劃。根據向日本金融服務廳提交的正式文件,公司計劃在2024年12月至2025年6月期間,正式
    的頭像 發表于 11-11 14:41 ?572次閱讀

    預測:2028年前閃存需求將激增2.7倍,受AI發展推動

    人工智能技術的蓬勃推動下,芯片制造商于11月5日宣布,預計未來五年內(至2028年),閃存市場需求將大幅增長約2.7倍。這一預測基于當
    的頭像 發表于 11-06 13:57 ?794次閱讀

    量產四層單元QLC UFS 4.0閃存

    近日,宣布成功量產業界首款采用四層單元(4LC)技術的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統的TLC UFS,擁有更高的位密度,使其
    的頭像 發表于 10-31 18:22 ?2897次閱讀

    三星與計劃減產NAND閃存

    近日,據供應鏈消息,三星電子與正考慮第四季度對NAND閃存進行減產,并預計根據市場狀況分階段實施。
    的頭像 發表于 10-30 16:18 ?563次閱讀

    擱置10月IPO計劃

    日本存儲芯片巨頭(Kioxia)近日宣布,已決定將原定于10月東京證券交易所的首次公開募股(IPO)計劃暫時擱置。這一決定背后,是
    的頭像 發表于 09-25 14:53 ?559次閱讀

    北上市NAND閃存新工廠竣工,預計2025年秋投產

    存儲芯片巨頭(Kioxia)近日宣布了一項重要進展:其位于日本巖手縣北上市的第二家NAND閃存制造工廠(Fab 2,簡稱K2)已圓滿竣工。此次竣工標志著
    的頭像 發表于 08-06 09:27 ?868次閱讀

    產能利用率全面復蘇,218層NAND Flash即將量產

    近期,日本NAND Flash領軍企業(Kioxia)傳來振奮人心的消息。隨著全球AI技術的蓬勃發展和市場需求的強勁反彈,該公司產能利用率經歷了一段時間的低迷后,已于今年6月成功
    的頭像 發表于 07-05 10:38 ?893次閱讀

    瞄準2027年:挑戰1000層堆疊的3D NAND閃存新高度

    全球半導體行業的激烈競爭中,日本知名存儲芯片制造商(Kioxia)展現了其雄心壯志和堅定決心。結束了長達20個月的NAND閃存減產計
    的頭像 發表于 06-29 09:29 ?890次閱讀

    結束NAND閃存減產,工廠開工率已恢復至100%

    隨著存儲器市場的逐步復蘇,日本半導體巨頭(Kioxia)已正式結束其NAND閃存減產策略。這一戰略調整基于市場需求增長和公司財務狀況的改
    的頭像 發表于 06-20 11:29 ?1138次閱讀

    結束減產,獲新銀行貸款助力市場復蘇

    近日,日本內存芯片巨頭(Kioxia)宣布結束長達20個月的減產策略,這一轉變標志著市場對NAND閃存需求的復蘇。為了支持其業務增長,
    的頭像 發表于 06-20 09:25 ?705次閱讀

    NAND閃存生產恢復

    近日,據日本媒體報道,知名半導體企業(Kioxia)已成功將其位于日本三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND閃存工廠的生產線開工率提升至100%。這一舉措標志著
    的頭像 發表于 06-18 16:48 ?841次閱讀