女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

碳化硅MOSFET有幾種電壓介紹

薛強 ? 來源:艾江電子 ? 作者:艾江電子 ? 2023-02-21 09:59 ? 次閱讀

poYBAGP0ItCAXen4AAMCXoGqRiI825.png

碳化硅二極管 碳化硅肖特基二極管 碳化硅肖特基勢壘二極管 SiC SBD 碳化硅功率器件 碳化硅半導體

碳化硅二極管 碳化硅肖特基二極管 SiC SBD和碳化硅MOSFET 碳化硅MOS SiC MOSFET有幾種電壓介紹

碳化硅二極管和碳化硅MOSFET都屬于碳化硅功率器件,又稱為碳化硅電力電子器件,屬于主動元器件,也屬于半導體元器件。我們現在不得不重新認識什么是碳化硅,首先碳化硅不是天然的元素和物質,區別于自然礦物質硅物質,硅基功率器件屬于第二代半導體,現在我們說的碳化硅是碳和硅的化學化合物,屬于合成的物質,他們經過研磨、襯底、外延、晶圓制造、裸芯粒、封裝測試才能制造成碳化硅功率器件。

poYBAGP0JRyAGdhGAAKAk6-d4uM291.png

碳化硅二極管 碳化硅肖特基二極管 碳化硅肖特基勢壘二極管 SiC SBD 碳化硅功率器件 碳化硅半導體

碳化硅功率器件主要可以分為3類,第一個裸芯片,無封裝芯片,該類產品用于終端半導體廠商做模塊封裝或其他特定封裝。第二個碳化硅二極管和碳化硅MOSFET,他們的封裝有貼片型和插件型,主要封裝型號有:碳化硅二極管為貼片封裝:DFN5×6、DFN8×8、TO-252-2L、TO-263-2L插件封裝:TO-220-2、TO-247-2、TO-247-3;碳化硅MOSFET為貼片封裝: TO-263-7L 插件封裝:TO-247-3、TO-247-4;第三個碳化硅模塊,如肖特基二極管模塊,主要用于一些特大功率的工業儀器電源,或超級充電樁

下面我們拿慧制敏造出品的KNSCHA品牌碳化硅功率器件說明。碳化硅 (SiC)二極管采用全新技術,提供比硅材質更勝一籌的開關性能和可靠性。目前主流的能量產而且性能穩定的碳化硅二極管電壓為650V、900V、1200V、1700V,當然還有超高壓3300V,目前正在研發中,主要應用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產品、工控,電源、工控、空調等、電動工具、儲能等。碳化硅 (SiC) MOSFET高速且堅固,并具備效率高、尺寸小、成本低的系統優勢,目前主流的量產型號電壓為650V和1200V,主要應用于新能源、汽車、逆變、光伏、工控、工業電源、充電樁、儲能。

審核編輯黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關注

    關注

    148

    文章

    10039

    瀏覽量

    170289
  • 碳化硅MOSFET
    +關注

    關注

    0

    文章

    43

    瀏覽量

    4541
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
    發表于 01-04 12:37

    基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

    本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速
    發表于 08-05 14:32

    碳化硅的歷史與應用介紹

    硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
    發表于 07-02 07:14

    碳化硅深層的特性

    電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物,原子間結合的鍵很強,它具有以下一些獨特的性能,因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數據.不同資料取法不一,2100℃。2)高硬度。碳化硅
    發表于 07-04 04:20

    碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

    本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
    發表于 08-02 08:44

    碳化硅半導體器件哪些?

    200V,但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐,同時在正向電壓也減少,耐壓也大大超過200V,典型的電壓650V、1200V等,另外在反向恢復造成的損耗方面
    發表于 06-28 17:30

    碳化硅的應用

    碳化硅作為現在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
    發表于 08-19 17:39

    傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

    應用領域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
    發表于 09-23 15:02

    功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

      本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。  分立器件(如 TO-247)是將碳化硅集成到各種應用中的第一步,但對于更強大和更
    發表于 02-20 16:29

    用于PFC的碳化硅MOSFET介紹

    碳化硅(SiC)等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導通和關斷損耗,并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明,SiC
    發表于 02-22 16:34

    淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動的區別

    范圍-5V~-15V,客戶根據需求選擇合適值,常用值-8V、-10V、-15V;  · 優先穩定正電壓,保證開通穩定。  2)碳化硅MOSFET:不同廠家
    發表于 02-27 16:03

    TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

    的柵極電壓衰減,使得碳化硅MOSFET(TO-247-4封裝)的開關速度會比TO-247-3封裝的更快,開關損耗更小。  因此,當您在使用碳化硅MO
    發表于 02-27 16:14

    在開關電源轉換器中充分利用碳化硅器件的性能優勢

    的一個原因是由關斷時驅動集成電路和碳化硅MOSFET之間電路板寄生電感制造的柵源極電壓振蕩,這振蕩是由于碳化硅MOSFET關斷時電路板寄生電
    發表于 03-14 14:05

    SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產業鏈介紹

    我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后
    的頭像 發表于 02-21 10:04 ?2526次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>二極管和SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>產業鏈<b class='flag-5'>介紹</b>

    碳化硅MOSFET什么意思

    碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"
    的頭像 發表于 06-02 15:33 ?2101次閱讀