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得一微科創板IPO獲受理!2021年營收翻漲2.6倍,募資12.24億研發下一代PCIe及eMMC存儲控制器產品

DzOH_ele ? 來源:未知 ? 2022-12-01 19:05 ? 次閱讀

電子發燒友報道(文/劉靜)11月29日晚間,存儲控制芯片公司得一微電子股份有限公司(簡稱:得一微)科創板IPO獲上交所受理。

得一微的前身是深圳硅格,成立于2007年,專注于固態存儲。2017年得一微在深圳成立,成立后便收購了做存儲器的深圳硅格和深圳立而鼎,獲得了深厚的存儲技術積累,現已形成固態硬盤存儲控制芯片、嵌入式存儲控制芯片、擴充式存儲控制芯片、存儲控制IP的存儲產品矩陣。

去年,得一微的SDD存儲控制芯片出貨量超過1300萬顆,根據艾瑞咨詢數據測算,得一微SSD存儲控制芯片全球市占率達4%。

得一微此次發行不超過2354萬股,募集12.24億元,用于面向企業級/數據中心級的PCIe存儲控制器項目、面向工業級/車規級的嵌入式存儲控制器項目等。

天眼查顯示,得一微成立至今,共完成6輪融資,其中A輪融資交易金額高達3億人民幣,投資方包括江波龍、兆易創新、龍芯中科等知名企業以及華登國際、中芯聚源、普華資本、鼎暉百孚等中國百強投資機構。這六輪融資支撐著得一微新工藝、新技術、新產品的研發,從工藝節點來看,得一微的先進產品已達到14nm、12nm工藝。

2021年營收翻漲2.6倍,存儲器產品產銷增長表現強勁


招股書顯示,2019年-2021年得一微的營業收入分別為1.26億元、2.07億元、7.45億元,年復合增長率為143.16%。其中營收增長速度從2020年的64.29%提升至259.90%。總體來看,營收規模是處于高速增長的。

不過現在得一微還尚未實現真正盈利,歸母凈利潤仍處于持續為負當中,2019年至2021年三年累計虧損4.45億元。

報告期內,得一微的綜合毛利率低于同行業公司可比毛利率平均水平,分別為7.90%、7.72%、18.80%、13.76%。

今年上半年,得一微依舊沒有扭虧為盈,虧損3642萬元,實現營收4.71億元,占2021年全年營收的63.22%,如果營收保持這樣的高增長速度,2022年度得一微營收突破8億元完全有可能。

關于公司虧損形成的原因,得一微表示公司為保持核心技術產品的快速迭代,保持高強度的研發投入,同時公司對骨干員工廣泛進行股權激勵并確認大額股份支付,以及部分產品仍在市場拓展階段,尚未完全發揮規模優勢。

截至2022年6月30日,得一微擁有研發人員222人,占比62.71%。在報告期內,得一微的研發費用分別為5532.47萬元、18129.42萬元、15358.83萬元、7403.68萬元,分別占當期營收的比例為43.94%、87.61%、20.61%、15.71%。研發投入累計達46424.40萬元,占同期累計營業收入比例為29.96%。

得一微的主營業務主要分為存儲控制芯片、基于存儲控制芯片的存儲解決方案,其中后者包括存儲器產品、半導體IP授權服務、技術服務。

目前公司營收最主要來源于存儲器產品,報告期內該產品收入占主營業務收入的比例分別為44.17%、47.29%、67.07%、69.34%。業務占比逐年提升,銷售收入增速也持續提升。2021年得一微的存儲器產品銷售收入取得4.73億元的好成績,同比增長513.59%;存儲器產品銷量突破3000萬顆,產銷率高達94.86%。

存儲控制芯片是得一微營收的第二大來源,近年該業務占比出現逐年下降趨勢,從2019年的54.67%下降至2021年31.73%,2021年取得2.24億元銷售收入,同比增長181.63%。

2022年以來,受消費電子影響,存儲器產品出現跳水式暴跌。招股書顯示,2022年上半年得一微的存儲器產品單價較2021年的15.68元/顆下跌2.68%,但存儲器的核心部件存儲控制芯片單價上揚48.67%,達3.91元/顆。

存儲控制芯片產品系列豐富,終端客戶數量超400


半導體存儲按照介質分類主要分為DRAM和NAND FLASH。而得一微的產品及服務主要圍繞NAND FLASH展開,NAND FLASH存儲器產品主要由存儲控制芯片和NAND FLASH存儲顆粒等部件組成,其中存儲控制芯片主要負責管理存儲顆粒的數據寫入、讀取與擦除,并與CPU進行通信和數據交換。

存儲控制芯片根據使用場景,可主要分為固態硬盤存儲控制芯片、嵌入式存儲控制芯片及擴充式存儲芯片三大產品線。

而得一微的固態硬盤存儲控制芯片根據存儲協議不同又分為PCIe SSD和SATA SSD兩大類,其中PCIe SSD控制器最高支持NVMe1.3協議、最高順序讀取速度達3680MB/s、順序寫入速度3120MB/s;SATA SSD控制器最高支持SATA 3.2協議,最高順序讀取速度550MB/s、順序寫入速度510MB/s。

得一微的嵌入式存儲控制芯片,分為eMMC和SPI NAND兩大類。其中eMMC5.1控制器最高支持eMMC5.1協議、最高順序讀取速度達320MB/s、順序寫入速度達280MB/s;SPI NAND控制器支持SPI協議、塊擦除時間2.08ms、頁編程時間410us、頁讀取時間110us。

用于擴充主機存儲容量或數據拷貝的擴充式存儲控制芯片,分為SD和USB兩大類。得一微的SD存儲卡控制器最高支持SD6.0協議、最高順序讀取速度95MB/s、順序寫入速度80MB/s;USB閃存盤控制器最高支持USB3.2協議、兼容Type-C接口、最高順序讀取速度560MB/s、順序寫入速度450MB/s。

在客戶方面,得一微的存儲控制芯片已成功搭載在朗科科技、臺電、七彩虹、江波龍、晶豪科技、凌航科技、海康存儲等知名存儲模組廠的存儲器產品中。基于存儲控制芯片的存儲控制IP得到了美光科技、群聯電子、瑞昱、慧榮科技等多家國內外知名存儲顆粒廠及存儲控制芯片公司的采用,用于其存儲控制芯片設計中。

除上述客戶外,得一微的存儲產品、技術服務等存儲解決方案還應用于松下電器、長江存儲、兆易創新、紫光展銳、阿里巴巴、FLEXXON、創維集團、九聯科技、長虹電器、朗新科技、三一重工、天邑康和、中興通訊、國家電網等各行業知名終端應用客戶的場景中。截至2022年6月底,得一微的終端客戶數量累計超400家。

研發費用率較高,擁有覆蓋存儲控制IC各關鍵環節的6大核心技術及244項境內發明專利


根據Report Linker數據,NANDFLASH市場規模預計在2022-2027年保持每年5.33%的速度增長,并在2027年達到942.4億美元。

NAND FLASH行業主要包括存儲顆粒廠、存儲控制芯片公司、存儲模組廠等。其中存儲顆粒廠主要為三星電子、美光科技、鎧俠、西部數據、SK海力士和長江存儲等;存儲模組廠主要包括金士頓、創見信息、宜鼎、朗科科技、江波龍和佰維存儲等;存儲控制芯片公司主要為群聯電子、慧榮科技、得一微、點序科技、美滿電子等。

目前,NAND FLASH全球市場高度集中,主要由三星電子、美光科技、SK海力士等國際領先存儲顆粒廠主導,并與全球范圍內的領先終端客戶、存儲控制芯片公司、存儲模組廠形成較為成熟的半導體存儲器生態圈。

2021年,得一微與存儲控制芯片同行企業在營收規模和存儲控制芯片占比方面的比較情況如下所示:

得一微2021年的營收規模和存儲控制芯片銷售收入規模小于群聯電子和慧榮科技。群聯電子、慧榮科技成立時間較早,存儲控制芯片的生產規模會相對比較大,但是得一微成長還是相對較快的,2021年的營收規模和存儲控制芯片銷售收入規模已經超過中國臺灣的點序科技。由于國內大部分存儲控制芯片企業尚未上市,無法獲取公開數據,得一微在招股書中并未列出國內企業經營數據的對比。

得一微存儲控制芯片毛利率與同行業公司毛利率對比如下:

報告期內,得一微存儲控制芯片毛利率低于慧榮科技和點序科技。慧榮科技與點序科技具有品牌優勢,其核心技術和新產品研發能力均處于國際領先水平,可以獲得較高的產品溢價,因此毛利率較高。得一微憑借長期積累的技術能力、客戶資源、產品布局和本土化服務能力,正逐步進入諸多客戶供應鏈體系,銷售規模快速增長,未來存儲控制芯片與同行業可比公司毛利率差距也將逐漸縮小。

得一微存儲器產品毛利率與同行業公司毛利率對比如下:

報告期內,得一微存儲器產品毛利率低于江波龍和佰維存儲。值得注意的是,2021年得一微存儲器產品毛利率已由負轉正,未來隨著存儲器產品銷售規模的迅速增長,與佰維存儲和江波龍的差距也將進一步縮小。

得一微研發費用率水平與同行業公司對比如下:

經營規模不大、毛利率水平不太高的得一微,在報告期內一直保持高于行業平均值以上的研發費用率水平,同時高于群聯電子、江波龍、佰維存儲,僅在2022年上半年低于慧榮科技。

目前得一微已掌握覆蓋存儲控制芯片各關鍵環節的六大核心技術,分別為存儲信號處理、存儲協議處理、閃存轉換層、存儲顆粒特性分析、存儲器系統級建模及仿真、存儲協處理器加速,技術水平均在國內領先。

截至2022年6月30日,得一微及其子公司共擁有244項境內外發明專利,持有22項集成電路布圖設計。

募資12.24億,研發下一代PCIeeMMC存儲控制器產品


本次募集資金扣除發行費用后,將投資以下項目:

報告期內,得一微的PCIe固態硬盤存儲控制器產品主要應用于筆記本、臺式機上,下一代PCIe SSD固態硬盤存儲控制器將向企業級/數據中心級相關領域延伸。

根據艾瑞咨詢數據,2020至2025年企業級固態硬盤市場規模年復合增速約為25%,數據中心行業市場規模近三年年均復合增長率達到30.69%,得一微布局的這兩大領域對PCIe存儲控制器的需求都有在快速增加,但是這兩大領域對存儲控制芯片在性能、功耗、穩定性和可靠性方面有特殊要求,得一微可能需要在現有技術基礎上再進一步突破。

根據Gartner數據,2019-2024年全球ADAS領域NAND FLASH存儲器產品的消費容量將快速增長,預計2024年將達到41.5億GB,5年復合增長率高達79.9%。看到智能駕駛汽車市場的得一微,下一代eMMC嵌入式存儲控制芯片擬向工業級/車規級相關領域延伸,開發能夠滿足ISO 26262標準及AEC-Q規范等車規級認證要求的存儲器產品,并圍繞存儲控制芯片完善相應的存儲控制IP、存儲器產品、技術服務等多元化存儲解決方案。

擬投入1.98億元的研發中心及開放生態建設項目,得一微擬建設高速軟硬件仿真及分析測試實驗室、研究新型存儲顆粒和新型存儲器產品、建設開放生態平臺。

得一微表示,公司總體發展戰略將以存儲控制技術為核心進行研發創新、成果轉換和推廣應用,并持續拓展更多行業應用場景的存儲控制IP、存儲器產品、技術服務等多元化存儲解決方案。


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