深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
充電樁3C認證,壓死小微樁企的最后一根“稻草”?
發(fā)表于 04-29 17:38
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似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r間17日報道稱,自 1z nm 時期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。三星試圖通過
發(fā)表于 04-18 10:52
在萬眾矚目的三星Galaxy S25系列手機發(fā)布會上,消費者們終于迎來了國行價格的正式公布。此次發(fā)布的Galaxy S25系列手機涵蓋了Galaxy S25、Galaxy S25+以及
發(fā)表于 02-12 11:23
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據(jù)最新消息,一款型號為SM - S9370的三星手機通過了國內(nèi)3C認證,支持25W充電功率,預(yù)計為Galaxy S25 Edge超薄手機。 在2025 Galaxy Unpacked發(fā)
發(fā)表于 01-24 10:23
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充電樁3C認證的測試項目是為了確保產(chǎn)品在電氣安全、電磁兼容性(EMC)、環(huán)境適應(yīng)性等方面達到國家標準的要求。以下是基于現(xiàn)有資料整理的一些主要測試項目,這些測試旨在保障充電樁的安全性和可靠性:
發(fā)表于 12-25 17:13
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近日,英偉達公司正在積極推進對三星AI內(nèi)存芯片的認證工作。據(jù)英偉達CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進程,旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。 此次認證工作的焦點在于
發(fā)表于 11-25 14:34
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近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對此傳聞進行了回應(yīng),明確表示該報道并不屬實。
發(fā)表于 08-08 10:06
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近日,三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報,其高頻寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達(NVIDIA)的嚴格認證,標志著該產(chǎn)品即將進入規(guī)模化生產(chǎn)階段,預(yù)計在
發(fā)表于 07-18 09:36
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韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道,聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產(chǎn)品測試,預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達供貨的序幕。然而,三星電子方面迅速對此消息進行了
發(fā)表于 07-05 16:09
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近期,有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達(NVIDIA)的HBM3E(高帶寬內(nèi)存)質(zhì)量測試,并預(yù)計很快將啟動量產(chǎn)流程,以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而,這一消息迅速遭到了三星
發(fā)表于 07-05 15:08
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近日,韓國媒體的一則報道引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注,稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過了GPU巨頭英偉達(NVIDIA)的質(zhì)量認證,即Qualtest PRA(產(chǎn)品準備批準),
發(fā)表于 07-05 10:37
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概倫電子(股票代碼:688206.SH)近日宣布其新一代大容量、高性能并行SPICE仿真器NanoSpice通過三星代工廠3/4nm工藝技術(shù)認證,滿足雙方共同客戶對高精度、大容量和高性
發(fā)表于 06-26 09:49
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英偉達公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM(高帶寬內(nèi)存)的傳聞進行了澄清。他明確表示,英偉達仍在認證三星提供的HBM內(nèi)存,并否認了三星HBM未通過
發(fā)表于 06-06 10:06
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近日,小米智能手表新品M2312W1已獲得中國強制性產(chǎn)品認證(3C認證)。據(jù)悉,這款產(chǎn)品由嘉興永瑞電子科技有限公司代工,預(yù)計將是S3系列的衍
發(fā)表于 05-29 16:02
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