反激變換器、充電器都偏愛的同步整流芯片U7710

同步整流芯片U7710是一款用于替代 Flyback 副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關，內置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統效率。

7.1V 穩壓器

在原邊MOSFET導通期間，同步整流芯片U7710內部 7.1V 穩壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓恒定在7.1V 左右。基于高頻解耦和供電考慮，推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。

系統啟動

系統開機以后，同步整流芯片U7710內部高壓 LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。當VDD電壓低于欠壓保護閾值后（3.1V 典型值），芯片進入睡眠模式，同時內部同步整流MOSFET進入關斷狀態，副邊繞組電流經內部同步整流MOSFET的體二極管實現續流。當VDD電壓高于 VDD開啟電壓后（4V 典型值），芯片開始工作。芯片內部同步整流MOSFET只在副邊續流期間才能開通。系統開機以后，芯片內部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。

當 VDD 電壓低于欠壓保護閾值后（3.1V 典型值），芯片進入睡眠模式，同時內部同步整流 MOSFET 進入關斷狀態，副邊繞組電流經內部同步整流 MOSFET 的體二極管實現續流。當 VDD 電壓高于 VDD 開啟電壓后（4V 典型值），芯片開始工作。芯片內部同步整流 MOSFET 只在副邊續流期間才能開通。

開通階段

初始階段同步整流MOSFET處于關閉狀態，副邊電流經MOSFET體二極管實現續流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓（《-500mV）。該負向Vds電壓遠小于同步整流芯片U7710內部MOSFET開啟檢測閾值，故經過開通延遲（Td_on，約 200ns）后內部MOSFET開通。

關斷階段

在同步整流MOSFET導通期間，同步整流芯片U7710采樣MOSFET漏-源兩端電壓 （Vds）。當Vds電壓高于MOSFET 關斷閾值，內部MOSFET將在關斷延遲（Td_off，約 60ns）后被關斷。

前沿消隱 （LEB）

在內部同步整流MOSFET開通瞬間，同步整流芯片U7710漏-源（Drain-Source） 之間會產生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統正常工作導致芯片誤動作，芯片內部集成有前沿消隱電路 （LEB）。在 LEB 時間（約 1us）內，關斷比較器被屏蔽，無法關斷內部同步整流MOSFET，直至消隱時間結束。

同步整流芯片U7710支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構，也支持系統斷續工作模式（DCM） 和準諧振工作模式 （QR）。集成有VDD欠壓保護功能和VDD電壓鉗位。U7710內置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，減低了系統成本。