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      NP2018DR(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)

      啊啊啊得得得 ? 來(lái)源：啊啊啊得得得 ? 作者：啊啊啊得得得 ? 2022-07-12 16:47 ? 次閱讀

      描述
      NP2018DR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)
      提供優(yōu)秀的RDS()、低門和收費(fèi)
      操作門電壓2.5 v。這
      設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制
      應(yīng)用程序。

      一般特征
      ? VDS =20V，ID =16A
      RDS(上)(Typ) = 8.6 m?@VGS = 4.5 v
      RDS(上)(Typ) = 10.7 m?@VGS = 2.5 v
      ? High 功率 和 電流 處理 能力
      ? Lead 免費(fèi) 產(chǎn)品
      ? Surface 安裝 包
      應(yīng)用程序
      ? PWM 應(yīng)用 程序
      ?負(fù)荷開關(guān)

      封裝
      ? DFN2*2-6L-B

      原理圖

      pYYBAGLNLyyAXpGwAAAKZM38-g0962.png

      標(biāo)記和引腳分配
      DFN2 * 2-6L-B
      (厚度0.55毫米)

      poYBAGLNL4mAC8R4AAAucJpgoKU464.png

      訂購(gòu)信息

      poYBAGLNMhuAGEINAAA_be7hE00485.png


      審核編輯 黃昊宇

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