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      NP3401MR 30V p通道增強模式MOSFET

      微雨問海棠 ? 來源：微雨問海棠 ? 作者：微雨問海棠 ? 2022-07-12 10:17 ? 次閱讀

      描述

      NP3401MR采用了先進的溝槽技術

      提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵電荷和

      工作電壓低至2.5V。這

      該器件適用于作為負載開關或PWM

      應用程序。

      一般特征

      ?VDS = -30v, id = -4.2a

      RDS(上)(Typ) = 48 mΩ@VGS = -4.5 v

      RDS(上)(Typ) = 60 mΩ@VGS = -2.5 v

      ?高功率和電流處理能力

      ?獲得無鉛產品

      ?表面安裝包

      應用程序

      ?PWM程序

      ?負荷開關

      包

      ?SOT-23-3L

      poYBAGLM2OeAWDvbAABoJfNnpws204.png

      訂購信息

      poYBAGLM2RyAaZdHAAA1aq8K8X0086.png

      絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)

      pYYBAGLM2TyAP0znAACeSGWTpRQ855.png

      電特性(除非另有說明，TA=25℃)

      pYYBAGLM2WmAO2MOAAJ4Q4lVwRk165.png

      熱特性

      pYYBAGLM2YOAfWs9AABm51mnVQw037.png

      A.將設備安裝在1in2上測量RθJA的值

      FR-4板與2oz。銅，在靜止的空氣環(huán)境中與

      TA = 25°C。在任何給定的應用程序中的值取決于用戶的特定板設計。

      B.功率損耗PD是基于TJ(MAX)=150℃，采用≤10s的結環(huán)境熱阻。

      審核編輯 黃昊宇

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