單晶片背面和斜面清潔（下篇）
高級應用
在正面具有對損壞敏感的關鍵結構的應用中，例如對于32nm柵極多晶硅(AR>5:1)圖案化的晶片，該 系統可以被設置為無損壞地清潔。這是通過修改背面化學噴嘴和配方配置，并保持正面干燥來實現的， 如圖9所示。雖然僅由10瓦的兆頻超聲波能量增強的氣泡爆炸可能導致物理損壞，如果正面是濕的，即 使通過硅晶片和空氣傳遞100瓦的兆頻超聲波能量，這也不會發生。在整個過程中，供應到背面的化學 物質/DIW不會從晶片邊緣
如圖4所示，晶圓邊緣和斜面清潔是需要解決的嚴重問題，因此Akrion Systems開發了一種將金手指正面兆頻超聲波系統(FS Meg)與其BS Meg工藝相結 合的工藝。圖10顯示了這個合并的過程是如何工作的。金手指乙二醇被拉出到邊 緣區域，并與BS乙二醇同時使用，以加強邊緣和斜面區域的清潔效率。清洗前后: 的顆粒圖和SEM檢查證實，邊緣和斜面處的PRE大大改善。
結論
在這項研究中，Akrion Systems設計的單晶片背面兆頻超聲波系統被證明能夠同時去除晶片兩面 的污染物。根據進入的晶片狀況，該系統還能夠僅清潔晶片背面，從而保護關鍵圖案免受 任何物理/化學損害。此外，該系統可以被修改以增強晶片邊緣/斜面區域的清 洗效率。預評估和SEM檢查證實了這一點。實驗還揭示了DHF預處理有助于去 除強烈粘附的ESC標記。
審核編輯 黃昊宇
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