女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

新思科技推出面向臺積公司N6RF工藝全新射頻設計流程

科技綠洲 ? 來源:新思科技 ? 作者:新思科技 ? 2022-06-24 14:30 ? 次閱讀

新思科技聯合Ansys、是德科技共同開發的高質量、緊密集成的RFIC設計產品,旨在通過全新射頻設計流程優化N6無線系統的功率和性能。

新思科技(Synopsys)近日推出面向臺積公司N6RF工藝的全新射頻設計流程,以滿足日益復雜的射頻集成電路設計需求。臺積公司N6RF工藝采用了業界領先的射頻CMOS技術,可提供顯著的性能和功效提升。新思科技攜手Ansys、是德科技(Keysight)共同開發了該全新射頻設計流程,旨在助力共同客戶優化5G芯片設計,并提高開發效率以加速上市時間。

我們與新思科技的最新合作著眼于下一代無線系統的挑戰,賦能開發者為日益緊密相連的世界提供更強連接、更大帶寬、更低延遲和更廣覆蓋范圍。借助新思科技聯手Ansys、是德科技開發的高質量、緊密集成的解決方案,臺積公司針對N6RF工藝的全新射頻設計參考流程提供了一種現代、開放的方法,有助于提高復雜集成電路的開發效率。

Suk Lee設計基礎設施管理事業部副總經理臺積公司

提高下一代無線系統的帶寬和連接性

基于萬物互聯世界的發展需求,用于收發器和射頻前端組件等無線數據傳輸系統的射頻集成電路變得日益復雜。這些下一代無線系統將在更多的互聯設備上提供更大帶寬、更低延遲和更廣覆蓋范圍。為了確保射頻集成電路能夠滿足這些要求,開發者必須能夠準確測試射頻性能、頻譜、波長和帶寬等參數。

全新射頻設計參考流程通過業界領先的電路仿真和版圖生產率,以及精確的電磁(EM)建模和電遷移/IR壓降(EMIR)分析,加快了設計交付時間。該流程包括新思科技Custom Compiler?設計和版圖解決方案、PrimeSim?電路仿真解決方案、StarRC?寄生參數提取簽核解決方案和IC Validator?物理驗證解決方案;Ansys VeloceRF?感應組件和傳輸線綜合產品、RaptorX?和RaptorH?先進納米電磁分析產品、Totem-SC?產品;以及是德科技用于電磁仿真的PathWave RFPro。

射頻設計客戶將顯著受益于新思科技定制設計解決方案Customer Compiler和PathWave RFPro在臺積公司的設計參考流程中的互操作性。通過將電磁協同仿真左移至設計流程之前,使射頻電路的開發者能夠優化面向5G和WiFi 6/6E應用的先進芯片和多技術模塊的寄生參數效應。這樣可以讓仿真工作流程節省數天甚至數周時間,同時降低產品開發周期中成本高昂的重制(re-spin)風險。我們與新思科技、臺積公司的合作為射頻客戶提供了其所需的設計工具和先進工藝技術,以確保實現高性能和首次流片成功。

Niels Fache副總裁兼PathWave軟件解決方案總經理是德科技

很高興能與新思科技、臺積公司共同開發用于RFIC設計的先進參考流程。5G和6G設計需求的不斷增長產生了極大的復雜性,以及納米節點上的先進工藝效果,給RFIC開發者帶來了巨大的挑戰。在EM和EMIR分析中精確模擬仿真先進的工藝效果,對于創建從DC到幾十GHz的一次性流片成功至關重要。Ansys的VeloceRF、RaptorX、Exalto和Totem-SC等工具與新思科技Custom Complier platform實現了無縫協作,能夠提供業界領先的能力來處理最具挑戰性的設計,并為所有先進工藝效果建模。這可為射頻設計模塊的設計、優化和驗證提供了一個直觀且易于使用的流程。

Yorgos Koutsoyannopoulos研發副總裁Ansys

新思科技致力于持續提供強大的射頻設計解決方案,通過集成電磁合成、提取、設計、版圖、簽核技術和仿真工作流程實現了5G設計的關鍵差異化優勢?;谛滤伎萍寂c臺積公司的深度合作關系,以及與Ansys、是德科技的緊密聯系,客戶采用臺積公司面向5G應用的先進N6RF技術后,將可以通過新思科技定制設計系列產品的先進功能來提高生產效率,并成功實現芯片設計。

Aveek Sarkar工程副總裁新思科技

審核編輯:彭靜
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關注

    關注

    5419

    文章

    11945

    瀏覽量

    367089
  • 射頻
    +關注

    關注

    106

    文章

    5726

    瀏覽量

    169721
  • 新思科技
    +關注

    關注

    5

    文章

    853

    瀏覽量

    51194
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    思科技攜手公司開啟埃米級設計時代

    思科技近日宣布持續深化與公司的合作,為公司
    的頭像 發表于 05-27 17:00 ?379次閱讀

    Cadence攜手公司,推出經過其A16和N2P工藝技術認證的設計解決方案,推動 AI 和 3D-IC芯片設計發展

    :CDNS)近日宣布進一步深化與公司的長期合作,利用經過認證的設計流程、經過硅驗證的 IP 和持續的技術協作,加速 3D-IC 和先進節點技術的芯片開發進程。作為
    的頭像 發表于 05-23 16:40 ?551次閱讀

    西門子與電合作推動半導體設計與集成創新 包括N3P N3C A14技術

    西門子和電在現有 N3P 設計解決方案的基礎上,進一步推進針對臺N3C 技術的工具認證。雙方同時就
    發表于 05-07 11:37 ?171次閱讀

    思科推出Virtualizer原生運行虛擬仿真技術

    思科推出面向Arm架構設備的Virtualizer原生運行虛擬仿真技術(Virtualizer Native Execution)。這項開創性的虛擬原型技術將改變邊緣設備及應用的軟件開發模式,特別是在汽車、高性能計算、物聯網和移動通訊行業。
    的頭像 發表于 03-26 14:41 ?475次閱讀

    電裝公司推出全新電動車輛充電控制系統「EVECOM」

    株式會社電裝(以下簡稱電裝)于 3 月 6 日宣布,通過旗下株式會社電裝解決方案公司,正式推出面向企業用車單位、大型社區以及商業綜合體的全新電動車輛充電控制系統「EVECOM」。該系統
    的頭像 發表于 03-14 11:21 ?407次閱讀

    思科推出全新硬件輔助驗證產品組合

    思科技近日宣布,推出基于全新AMD Versal Premium VP1902自適應系統級芯片(SoC)的HAPS原型驗證系統,全新升級其業界領先的硬件輔助驗證(HAV)產品組合。
    的頭像 發表于 02-18 17:30 ?552次閱讀

    英特爾18A與N2工藝各有千秋

    TechInsights與SemiWiki近日聯合發布了對英特爾Intel 18A(1.8nm級別)和N2(2nm級別)工藝的深度分析。結果顯示,兩者在關鍵性能指標上各有優勢。
    的頭像 發表于 02-17 13:52 ?427次閱讀

    蘋果M5芯片量產,采用N3P制程工藝

    工藝——N3P。與前代工藝相比,N3P在性能上實現了約5%的提升,同時在功耗方面降低了5%至10%。這一顯著的進步意味著,搭載M5芯片的設備將能夠提供更強大的處理能力,同時擁有更出色的
    的頭像 發表于 02-06 14:17 ?585次閱讀

    電2025年起調整工藝定價策略

    近日,據臺灣媒體報道,隨著AI領域對先進制程與封裝產能的需求日益旺盛,電計劃從2025年1月起,針對其3nm、5nm以及先進的CoWoS封裝工藝進行價格調整。 具體而言,
    的頭像 發表于 12-31 14:40 ?663次閱讀

    高通推出面向AI時代的全新工業物聯網產品組合

    此前,在北美嵌入式電子與工業計算機應用展(Embedded World North America)上,高通技術公司推出全新物聯網產品組合,通過賦能行業用例為各行各業打造支持智能計算的開創性邊緣側
    的頭像 發表于 11-08 10:22 ?591次閱讀

    思科技再獲公司多項OIP年度合作伙伴大獎

    半導體技術領域的發展速度十分驚人,新思科技與公司(TSMC)始終處于行業領先地位,不斷突破技術邊界,推動芯片設計的創新與效率提升。我們與
    的頭像 發表于 10-31 14:28 ?540次閱讀

    思科技7月份行業事件

    思科技宣布推出面向英特爾代工EMIB先進封裝技術的可量產多裸晶芯片設計參考流程,該流程采用了Synopsys.ai EDA全面解決方案和新思科
    的頭像 發表于 08-12 09:50 ?811次閱讀

    SK海力士攜手電,N5工藝打造高性能HBM4內存

    在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業潮流,宣布將采用電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內存。這一舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領域的持續深
    的頭像 發表于 07-18 09:47 ?893次閱讀

    思科技攜手英特爾推出可量產Multi-Die芯片設計解決方案

    思科技(Synopsys)近日宣布推出面向英特爾代工EMIB先進封裝技術的可量產多裸晶芯片設計參考流程,該流程采用了Synopsys.ai EDA全面解決方案和新
    的頭像 發表于 07-16 09:42 ?860次閱讀

    思科面向英特爾代工推出可量產的多裸晶芯片設計參考流程,加速芯片創新

    3DIC Compiler協同設計與分析解決方案結合新思科技IP,加速英特爾代工EMIB技術的異構集成 摘要: 新思科技人工智能(AI)驅動型多裸晶芯片(Multi-die)設計參考流程已擴展至
    發表于 07-09 13:42 ?944次閱讀