據消息報道,臺積電在2022年北美技術研討會上介紹了關于未來N3制程工藝的相關信息,同時還公布了N2(2nm)工藝將于 2025年量產。
在會議上臺積電著重就n2(2nm)工藝制程的相關信息進行了說明。2nm工藝制程采用環繞柵極晶體管 (GAAFET)的制程節點,采用新技術的2nm工藝在性能和功率方面要比3nm工藝更為優秀。同比芯片密度增加約1.1倍,在相同功率和復雜度下速度提升10%到15%,在相同頻率下,功耗降低可達到25%到30%。
同時2nm工藝制程在使用GAAFET技術上也減少了泄露問題和B P rail緩解了電阻壓力,未來預計N2工藝將用于各種芯片應用中。
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審核編輯:郭婷
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發表于 03-14 00:14
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