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博世將累計(jì)追加投資在羅伊特林根增建無塵車間

科技綠洲 ? 來源:博世汽車電子事業(yè)部 ? 作者:博世汽車電子事業(yè) ? 2022-06-21 10:36 ? 次閱讀

近日,廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司(AccoPower)向博世汽車電子事業(yè)部半導(dǎo)體業(yè)務(wù)單元發(fā)送了碳化硅芯片的項(xiàng)目定點(diǎn)函和相關(guān)產(chǎn)品訂單。此次定點(diǎn),開啟了博世和國內(nèi)碳化硅領(lǐng)軍企業(yè)合作的業(yè)務(wù)模式。該項(xiàng)目中的博世碳化硅芯片將最終被裝配在國內(nèi)某核心自主品牌主機(jī)廠SEA架構(gòu)的多款車型中。作為全球唯一自主生產(chǎn)碳化硅芯片的汽車零部件供應(yīng)商,博世正與其他多家碳化硅模塊廠,逆變器廠及主機(jī)廠進(jìn)行積極的技術(shù)溝通和商務(wù)洽談。

博世擁有自己的碳化硅芯片研發(fā),在芯片溝槽技術(shù)方面已有20多年的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。博世的碳化硅產(chǎn)品采用了獨(dú)特的雙通道溝槽柵極技術(shù),與平面型和單通道溝槽柵極技術(shù)相比,博世的雙通道溝槽柵極技術(shù)在相同的芯片面積下具有更低的導(dǎo)通電阻,這使得我們可以在更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)更好的功能,這對(duì)于芯片產(chǎn)出與成本控制都有優(yōu)勢(shì);博世碳化硅芯片還提高了對(duì)di/dt的耐受,結(jié)合較低的米勒系數(shù),進(jìn)一步降低了開關(guān)的能量損耗。優(yōu)化后的設(shè)計(jì),可確保更加出色的柵極氧化層魯棒性。

博世碳化硅芯片產(chǎn)品不僅提供裸片,還提供包含TO-247-3L、TO-247-4L和TO-263-7L封裝的750V、1200V單管MOSFET,以滿足客戶的不同需求。

同時(shí),在芯片市場(chǎng)需求激增的情況下,博世全面提高半導(dǎo)體生產(chǎn)能力,竭力保障客戶供貨。博世不僅于2022年全面擴(kuò)建其位于德國德累斯頓和羅伊特林根的晶圓廠以及位于馬來西亞檳城的半導(dǎo)體測(cè)試中心。2021至2023年間,博世將累計(jì)追加投資1.5億歐元在羅伊特林根增建無塵車間,此舉有望緩解碳化硅功率半導(dǎo)體的供需缺口。

作為一家全球領(lǐng)先的技術(shù)與服務(wù)供應(yīng)商,博世自1970年起便在羅伊特林根量產(chǎn)半導(dǎo)體元件。博世利用自身在半導(dǎo)體和汽車領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí),不斷提高產(chǎn)品性能,為汽車新能源事業(yè)和碳中和持續(xù)注能,惠及客戶以及無數(shù)想在未來繼續(xù)享受安全高效出行的人們。

審核編輯:彭靜
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