臺積電：2nm工藝將使用GAAFET技術，預計2025年實現(xiàn)量產(chǎn)
今日，臺積電在其舉辦的技術論壇會中展示了2nm（N2）工藝以及其它的一些先進制程。
在大會上，臺積電展示了N3工藝最新的FINFLEX技術，該技術擴展了采用3nm制程產(chǎn)品的性能、功率等，能夠讓芯片設計者在芯片的每個關鍵功能塊上做出最佳的選擇。
據(jù)臺積電放出的技術發(fā)展圖來看，臺積電的N3工藝將會在今年下半年開始量產(chǎn)，并且這一代N3工藝將會持續(xù)發(fā)展至2025年，其中會擴產(chǎn)出N3E、N3P和N3X工藝，今年除了N3工藝外，N4P和N6RF這兩種全新工藝也會在下半年進行量產(chǎn)。
而N2工藝則是定在了2025年實現(xiàn)量產(chǎn)，臺積電將會在N2工藝上首次使用GAAFET技術，以取代沿用至今的FinFET技術，而據(jù)臺積電表示，N2工藝相比N3工藝的運行速度將會快10%~15%，相同速度的情況下，N2工藝的功耗相比N3工藝將會降低25%~30%。
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