貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET 為各類電源應用提供更好的支持
2022年6月9日– 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC（現已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線架構中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。
貿澤電子分銷的UF4C/SCSiC FET為設計人員提供了多種導通電阻和封裝選項。1200 V SiC FET的導通電阻 (RDS(on)) 值為23mΩ至70mΩ，可采用三引線TO-247-3L封裝或四引線TO-247-4L封裝。TO-247-4L封裝采用開爾文柵極，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，非常適合開關感性負載，以及任何需要標準柵極驅動的應用。
UF4C/SC系列所有器件都可以用標準的0V至12V或15V柵極驅動電壓安全驅動，從而在不改變柵極驅動電壓的情況下，成為硅IGBT、FET或超級結器件的合適替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括：通過真正的5V閾值電壓保持良好的閾值噪聲容限、出色的反向恢復特性和內置ESD柵極保護箝位。
如需更多信息，敬請訪問https://www.mouser.cn/new/unitedsic/unitedsic-uf4csc-1200v-gen4-sic-fets/。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
電子元器件
+關注
關注
133文章
3534瀏覽量
109229 -
電源應用
+關注
關注
1文章
15瀏覽量
9822 -
貿澤電子
+關注
關注
16文章
1175瀏覽量
97773
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產交付應用
近期，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產品，憑借優秀的性能與品質贏得多家重要客戶訂單，已量產
高通推出第四代驍龍7移動平臺
高通技術公司今日推出最新驍龍7系產品——第四代驍龍7移動平臺。這一全新平臺旨在增強用戶喜愛的多媒體體驗并提供全面的穩健性能。無論是利用先進圖像處理功能拍攝珍貴瞬間，還是借助精選的Snapdragon
高通推出第四代驍龍8s移動平臺
今日，高通技術公司宣布推出第四代驍龍8s移動平臺，該平臺專為追求出色娛樂體驗和創作體驗的用戶打造，旨在將旗艦性能和先進特性帶給更多消費者，并為手游玩家和創作者提供強勁支持。第四代驍龍8
曝三星已量產第四代4nm芯片
據外媒曝料稱三星已量產第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產4nm芯片以來，每年都在改進技術。三星現在使用的是其最新的第四代4
TCL 再掀電視革新風暴，第四代液晶電視震撼登場
前段時間在網上看到消息，說TCL最近有大動作，即將揭曉第四代液晶電視，當我還在好奇第四代液晶電視是啥概念的時候，沒想到這么快，就在今天下午14:30，TCL召開了“華曜之上 盡是極景”QD-Mini
高通躍龍第四代固定無線接入平臺至尊版發布
高通技術公司今日宣布推出高通躍龍第四代固定無線接入平臺至尊版，這是全球首款5G Advanced FWA平臺。
第四代核電堆型：鈉冷快堆設計的流體仿真技術挑戰與解決方案
第四代核反應堆是目前核能技術發展的前沿方向，具有更高的安全性、經濟性、可持續性以及防擴散能力等特點。
高通發布第四代驍龍6移動平臺
近日，高通技術公司在圣迭戈宣布，其最新的第四代驍龍?6移動平臺已正式面世。該平臺旨在為全球廣大用戶帶來前所未有的性能提升與更持久的電池續航能力，并開創性地首次將生成式AI技術融入驍龍6系。 第四代驍
三菱電機1200V級SiC MOSFET技術解析
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器
ROHM推出第四代1200V IGBT
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等應用，開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現了業界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IG
意法半導體發布第四代STPower硅碳化物MOSFET技術
意法半導體(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技術，標志著在高效能和高功率密度領域的又一重大進展。新一代MOSFET不僅在電動汽車中
意法半導體第四代碳化硅功率技術問世
意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時，意法半導體還針對
意法半導體發布第四代SiC MOSFET技術
意法半導體（簡稱ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術，標志著公司在高效能半導體領域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術，在能效、功率密度和穩健性方面均樹立了新的市場標桿，將為汽車和工業市場帶
富士康，布局第四代半導體
能，為未來高功率電子元件開辟了新的可能性。 第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 因其優異的性能，被視為下一代半導體材料的代表。它擁有超寬能隙 (4.8 eV)、超高臨界擊穿場強 (8 MV/cm) 等特性，較現有的硅 (Si)、
工商網監
評論