來(lái)源:鉅亨網(wǎng)
鴻海(富士康)研究院半導(dǎo)體所,攜手陽(yáng)明交大電子所,雙方研究團(tuán)隊(duì)在第四代化合物半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)上取得重大突破,提高了第四代半導(dǎo)體氧化鎵 (Ga2O3) 在高壓、高溫應(yīng)用領(lǐng)域的高壓耐受性能,為未來(lái)高功率電子元件開(kāi)辟了新的可能性。
第四代半導(dǎo)體氧化鎵 (Ga2O3) 因其優(yōu)異的性能,被視為下一代半導(dǎo)體材料的代表。它擁有超寬能隙 (4.8 eV)、超高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng) (8 MV/cm) 等特性,較現(xiàn)有的硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等材料具有顯著優(yōu)勢(shì),這些特性使得氧化鎵特別適用于電動(dòng)車、電網(wǎng)系統(tǒng)、航空航太等高功率應(yīng)用場(chǎng)景。
鴻海認(rèn)為,氧化鎵元件將有望成為具有競(jìng)爭(zhēng)力的電力電子元件,能直接與碳化硅元件競(jìng)爭(zhēng)。目前中國(guó)、日本和美國(guó)在氧化鎵研究領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。其中,日本已實(shí)現(xiàn) 4 英寸和 6 英寸氧化鎵晶圓的產(chǎn)業(yè)化,而中國(guó)多家科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)也在積極推進(jìn)相關(guān)研究與產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。
本次研究 Heteroepitaxially Grown Homojunction Gallium Oxide PN Diodes Using Ion Implantation Technologies,利用磷離子布植和快速熱退火技術(shù)實(shí)現(xiàn)了第四代半導(dǎo)體 P 型 Ga2O3 的制造,并在其上重新生長(zhǎng) N 型和 N+ 型 Ga2O3,形成了 PN Ga2O3 二極體,結(jié)果展示出優(yōu)異的電性表現(xiàn),這一突破性技術(shù)除了能大幅提升元件的穩(wěn)定性和可靠性,并顯著降低電阻。
此次鴻海研究院與陽(yáng)明交大電子所通力合作研究成果已發(fā)表于高影響力指數(shù) (impact paper) 的國(guó)際頂級(jí)材料科學(xué)期刊“Materials Today Advances”。Materials Today Advances 在 2023 年的影響力指數(shù)達(dá)到 10.25,并在材料科學(xué)領(lǐng)域的 SJR (Scimago Journal & Country Rank) 中排名前 25%。
論文詳細(xì)闡述了這種新型 Ga2O3 PN 二極體的制作過(guò)程和性能特征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,該元件具有 4.2 V 的開(kāi)啟電壓和 900 V 的擊穿電壓,展現(xiàn)出元件優(yōu)異的高壓耐受性能。此次的技術(shù)突破,將為中國(guó)臺(tái)灣在全球化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的領(lǐng)先地位增添優(yōu)勢(shì),也為未來(lái)的高壓半導(dǎo)體應(yīng)用開(kāi)創(chuàng)新的可能,也再次證明了鴻海在技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展上的卓越能力。
展望未來(lái),鴻海研究院表示,隨著氧化鎵技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,可以期待其在更多高壓、高溫和高頻領(lǐng)域中有更廣泛應(yīng)用,將繼續(xù)致力于此領(lǐng)域的研究,為全球技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)進(jìn)步做出更大的貢獻(xiàn)。
【近期會(huì)議】
10月30-31日,由寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心主辦的“化合物半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將首次與大家在江蘇·常州相見(jiàn),邀您齊聚常州新城希爾頓酒店,解耦產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)布局!https://w.lwc.cn/s/uueAru
11月28-29日,“第二屆半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)”將再次與各位相見(jiàn)于廈門,秉承“延續(xù)去年,創(chuàng)新今年”的思想,仍將由云天半導(dǎo)體與廈門大學(xué)聯(lián)合主辦,雅時(shí)國(guó)際商訊承辦,邀您齊聚廈門·海滄融信華邑酒店共探行業(yè)發(fā)展!誠(chéng)邀您報(bào)名參會(huì):https://w.lwc.cn/s/n6FFne
聲明:本網(wǎng)站部分文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播。 轉(zhuǎn)載文章版權(quán)歸原作者所有,如有異議,請(qǐng)聯(lián)系我們修改或刪除。聯(lián)系郵箱:viviz@actintl.com.hk, 電話:0755-25988573
審核編輯 黃宇
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28615瀏覽量
232655 -
富士康
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
1152瀏覽量
60317
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
高通推出第四代驍龍7移動(dòng)平臺(tái)
高通推出第四代驍龍8s移動(dòng)平臺(tái)
CHIPWAYS推出第四代車規(guī)級(jí)多節(jié)電池組監(jiān)控器芯片XL8832A

曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
TCL 再掀電視革新風(fēng)暴,第四代液晶電視震撼登場(chǎng)
高通躍龍第四代固定無(wú)線接入平臺(tái)至尊版發(fā)布
第四代核電堆型:鈉冷快堆設(shè)計(jì)的流體仿真技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案

中國(guó)第四代半導(dǎo)體技術(shù)獲重大突破:金剛石與氧化鎵實(shí)現(xiàn)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合
高通發(fā)布第四代驍龍6移動(dòng)平臺(tái)
AN65-第四代LCD背光技術(shù)

意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代STPower硅碳化物MOSFET技術(shù)

意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世
意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代SiC MOSFET技術(shù)
跨越時(shí)代 —— 第四代半導(dǎo)體潛力無(wú)限

評(píng)論