芯片的制程從最初的0.35微米到0.25微米，后來又到0.18微米、0.13微米、90nm、65nm、45nm、32nm和14nm。在提高芯片工藝制程的過程中，大約需要縮小十倍的幾何尺寸及功耗，才能達到10nm甚至7nm。

在工藝分類上，芯片主要分兩大類：

·HP（High Performance）：主打高性能應用范疇;

·LP（Low Power）：主打低功耗應用范疇。

滿足不同客戶需求，HP 內部再細分 HPL、HPC、HPC+、HP 和 HPM 五種。

HP 和 LP 之間最重要區別就在性能和漏電率上，HP 在主打性能，漏電率能夠控制在很低水平，芯片成本高;LP 則更適合中低端處理器使用，因為成本低。

所以，芯片除了在制程上尋求突破，工藝上也會逐步升級。

芯片制造的整個過程包括芯片設計、芯片制造、封裝制造、測試等。芯片制造過程特別復雜。

芯片制造過程有這么幾個階段：材料制備——單晶硅制造→晶圓片生成芯片前端——芯片構建（Wafer Fabrication）芯片后端——封裝（Package）→完整測試（Initial Test and Final Test）

新智造，電子產品世界網絡綜合整理

責任編輯：李倩