第七屆中國硬件創(chuàng)新創(chuàng)客大賽（以下簡稱”大賽“）是由深圳市福田區(qū)科技創(chuàng)新局、深圳市福田區(qū)企業(yè)發(fā)展服務中心指導，深圳華秋電子有限公司主辦，面向硬科技初創(chuàng)企業(yè)及團隊的專業(yè)賽事。
大賽自2015年舉辦以來，影響了超過40萬工程師群體，吸引了30000多名硬創(chuàng)先鋒報名參加線上線下培訓會，并成功聚集了350多家生態(tài)合作伙伴，與近400家頂級資本方建立合作。截止到目前，大賽已累計服務超過3000個項目。隨著影響力的擴大，<中國硬件創(chuàng)新創(chuàng)客大賽>已成為中國硬件創(chuàng)新領域重要賽事之一。

2021年大賽參賽隊伍地域覆蓋華南、華北、華東三大地區(qū)，今年還增設了集成電路賽道。項目涵蓋芯片、5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、機器視覺、智能終端等多個領域。經(jīng)過層層篩選，最終產(chǎn)生13強項目方進入全國總決賽，爭奪總決賽桂冠。

硬創(chuàng)大賽全國13強：高純鎵及三代半材料產(chǎn)業(yè)化項目



華廈半導體的高純鎵及三代半材料產(chǎn)業(yè)化項目在微納集成電路賽中脫穎而出，成功晉級全國13強，將于2021年12月17日進行路演。



據(jù)悉，華廈半導體的高純鎵及三代半材料產(chǎn)業(yè)化項目提出了一種可以大幅度降低成本的方法：提供一種氮化鎵生長襯底，包括逐層疊加的基板、晶格轉化層和緩沖層；基板為氮化鎵非晶基板覆蓋多晶層，在緩沖層與基底之間設置有用金屬制成的晶格轉化層，不僅可以增強緩沖層與基底之間的結合能力，而且所構形成的晶格轉化層的晶格失配參數(shù)與基底（氮化鎵）的晶格失配參數(shù)相近，可以避免緩沖層與基底晶格適配參數(shù)相差較大而造成最終產(chǎn)品中存在較多晶格缺陷的問題。

華廈半導體聚焦于打造以“鎵”金屬為核心，從高純鎵，超高純鎵，高純氮化鎵粉末，氮化鎵微晶，氮化鎵襯底，及高純銻化鎵粉末，高純氧化鎵粉末，銻化鎵單晶的華廈鎵鏈。 目前，是全球唯一家從源頭“鎵”金屬布局的三代半材料產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。

聯(lián)合創(chuàng)始人談謙表示，華廈半導體的使命就是為中國集成電路用高純材料提供國產(chǎn)替代。

讓我們共同期待屆時高純鎵及三代半材料產(chǎn)業(yè)化項目的路演表現(xiàn)吧！