電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)近期,中芯國際、三星甚至TI都爆出想要建設(shè)晶圓廠的消息,此前,英特爾、臺積電等大廠也都確認將要新建晶圓廠。市場中的缺芯行業(yè),不斷刺激著各大晶圓廠的神經(jīng),讓各個地區(qū)的晶圓廠都開始立項、建設(shè)直至量產(chǎn),這也成為未來幾年的主旋律。
嚴(yán)苛的制造環(huán)境
那么如果要投資建設(shè)一座晶圓廠,需要做哪些準(zhǔn)備呢?
首先,由于芯片半導(dǎo)體加工屬于精密制造,對于環(huán)境的要求極高,尤其如今芯片制程在納米級別,一些小的污漬或者灰塵就可能導(dǎo)致晶圓報廢。因此對于晶圓廠而言,無塵間或者叫凈化間是必須的。
并且因為芯片制造的精密性,通常晶圓廠的無塵間級別甚至要比尋常的手術(shù)室嚴(yán)格數(shù)十倍,將空氣中的雜志與灰塵盡可能隔離出廠間。
污染物除了尋常可見的灰塵顆粒、金屬雜質(zhì)或者沾污以外,還有自然氧化層、靜電等。為了防止這些意外的因素對晶圓制造造成干擾,進入無塵間的工作人員都會穿上超凈服,完全將自己包裹住。
同時在進入無塵間之前還需要經(jīng)過一條空氣洗滌通道,盡可能去除工作人員身體帶來的雜質(zhì)與污染。而超凈服也能最大程度避免靜電,讓干擾降至最低。
而在無塵間中,對于工作人員的移動速度也做了限制,不能走動太快,需要緩慢移動,防止氣流被破壞。外來的風(fēng)氣也必須經(jīng)過濾網(wǎng)處理,避免有灰塵進入,不同的工藝對于無塵的要求也不相同。
此外,制造晶圓時,還需要使用到大量的高質(zhì)量、超純?nèi)ルx子水。通常這些去離子水會通過管道連接進入車間,并且用于晶圓蝕刻環(huán)節(jié)上。
高度的無塵要求,大量的去離子水,對外部空氣進行過濾,甚至要盡可能避免工作人員太多的走動。這就需要晶圓廠進行更合理的布局,來提升生產(chǎn)良率,而這些要求也進一步提升了晶圓廠的成本。
比如前段時間中芯國際便計劃投資約88.7億美元,建設(shè)月產(chǎn)能10萬片12英寸晶圓廠。英特爾今年3月份也宣布將投資200億美元建設(shè)2座先進工藝晶圓廠,并且決定未來10年在歐洲地區(qū)建設(shè)8座晶圓廠,投資金額高達950億美元。顯然,如今的先進工藝晶圓廠平均價格甚至達到了近百億美元。
復(fù)雜的流程與昂貴的設(shè)備
除了對工廠車間環(huán)境的嚴(yán)苛要求外,晶圓制造的具體環(huán)節(jié)還需要提供大量的相關(guān)設(shè)備。首先是EDA軟件,將芯片半導(dǎo)體的設(shè)計通過EDA完成,然后交由晶圓廠進行制造。這一步通常是由需求方來提供,比如許多的Fabless企業(yè)都會通過EDA完成芯片設(shè)計后,再找到晶圓廠下達訂單。
拿到圖紙后,便進入到晶圓的制備環(huán)節(jié)。而晶圓的原材料便是高純度的硅,但自然界并沒有這種材料,企業(yè)需要從沙子當(dāng)中進行提純,通常是將砂石原料放入一個溫度超過兩千攝氏度的電弧熔爐中,在高溫下發(fā)生還原反應(yīng)得到冶金級硅,然后將粉碎的冶金級硅與液態(tài)氯化氫反應(yīng),生成液態(tài)的硅烷,再通過整流和化學(xué)還原工藝,得到高純度的多晶硅。
除了硅作為積體電路的主要材料外,還需要加入一些砷、磷、硼等元素,來改變硅材料的導(dǎo)電能力與特性。最后還需要將多晶硅溶解,通過速度拉成圓柱狀的單晶硅晶棒,最后切割得到晶圓。有了硅晶圓,才真正進入到集成電路的制造流程當(dāng)中。
制造集成電路的流程,首先要將晶圓放在爐管中,通過高溫反應(yīng)在硅晶體上形成一層硅氧化物,為之后的打磨和刻蝕做準(zhǔn)備,這里需要相應(yīng)的高溫設(shè)備。隨后再將相應(yīng)的例子植入進晶圓的特定區(qū)域中,改變晶圓在特定區(qū)域的導(dǎo)電或者不導(dǎo)電性。
然后通過化學(xué)氣相沉積,利用CVD將反應(yīng)氣體生成固態(tài),沉積在晶圓的表面,形成一層薄膜。
再之后,在晶圓表面涂上一層光刻膠,成為光阻,將晶圓放在光下進行曝光,讓晶圓的表面一部分曝光,一部分沒有曝光,這個步驟需要用到光刻機。全球最大的光刻機生產(chǎn)商為荷蘭的ASML,一臺EVU光刻機售價甚至達數(shù)億美元。
曝光完成后,就需要進行蝕刻,通過蝕刻機將曝光的區(qū)域進行蝕刻,形成紋路。然后通過PVD設(shè)備在晶圓上覆蓋一層銅離子,將晶體管連接起來,銅離子會沉積在晶圓表面,最后將多余的銅拋光掉。
以上的這些步驟,需要多次重復(fù),每一層都能實現(xiàn)不同的功能,通常一個芯片包含幾十層結(jié)構(gòu),這意味著制造晶圓也需要重復(fù)數(shù)十次以上。
再將芯片從硅片上裁剪下來,成為一個獨立的芯片,繼續(xù)對每個芯片進行測試,測試合格的產(chǎn)品將進行最終的封裝。
粗略估算下來,芯片的制造步驟超過上千步,建設(shè)每一步的合格率達到99.99%,那么經(jīng)過數(shù)千步之后,晶圓的良率甚至可能接近于0。而芯片的制造整體良率需要達到90%以上才會量產(chǎn),這樣才能保證不會虧本。
那么一塊12寸晶圓能夠生產(chǎn)多少芯片呢,以一顆長寬均為10.5mm的芯片為例,完美生產(chǎn)的話,一塊晶圓可以生產(chǎn)650顆芯片左右,不過考慮到良率,最終成品將在550顆左右。
以上這些還只是晶圓廠的硬件成本,還沒有算上人工成本、研發(fā)成本以及其他成本,這也就解釋了,為什么一座先進的晶圓廠需要投資上百億美元才能建設(shè)。
嚴(yán)苛的制造環(huán)境
那么如果要投資建設(shè)一座晶圓廠,需要做哪些準(zhǔn)備呢?
首先,由于芯片半導(dǎo)體加工屬于精密制造,對于環(huán)境的要求極高,尤其如今芯片制程在納米級別,一些小的污漬或者灰塵就可能導(dǎo)致晶圓報廢。因此對于晶圓廠而言,無塵間或者叫凈化間是必須的。
并且因為芯片制造的精密性,通常晶圓廠的無塵間級別甚至要比尋常的手術(shù)室嚴(yán)格數(shù)十倍,將空氣中的雜志與灰塵盡可能隔離出廠間。
污染物除了尋常可見的灰塵顆粒、金屬雜質(zhì)或者沾污以外,還有自然氧化層、靜電等。為了防止這些意外的因素對晶圓制造造成干擾,進入無塵間的工作人員都會穿上超凈服,完全將自己包裹住。
同時在進入無塵間之前還需要經(jīng)過一條空氣洗滌通道,盡可能去除工作人員身體帶來的雜質(zhì)與污染。而超凈服也能最大程度避免靜電,讓干擾降至最低。
而在無塵間中,對于工作人員的移動速度也做了限制,不能走動太快,需要緩慢移動,防止氣流被破壞。外來的風(fēng)氣也必須經(jīng)過濾網(wǎng)處理,避免有灰塵進入,不同的工藝對于無塵的要求也不相同。
此外,制造晶圓時,還需要使用到大量的高質(zhì)量、超純?nèi)ルx子水。通常這些去離子水會通過管道連接進入車間,并且用于晶圓蝕刻環(huán)節(jié)上。
高度的無塵要求,大量的去離子水,對外部空氣進行過濾,甚至要盡可能避免工作人員太多的走動。這就需要晶圓廠進行更合理的布局,來提升生產(chǎn)良率,而這些要求也進一步提升了晶圓廠的成本。
比如前段時間中芯國際便計劃投資約88.7億美元,建設(shè)月產(chǎn)能10萬片12英寸晶圓廠。英特爾今年3月份也宣布將投資200億美元建設(shè)2座先進工藝晶圓廠,并且決定未來10年在歐洲地區(qū)建設(shè)8座晶圓廠,投資金額高達950億美元。顯然,如今的先進工藝晶圓廠平均價格甚至達到了近百億美元。
復(fù)雜的流程與昂貴的設(shè)備
除了對工廠車間環(huán)境的嚴(yán)苛要求外,晶圓制造的具體環(huán)節(jié)還需要提供大量的相關(guān)設(shè)備。首先是EDA軟件,將芯片半導(dǎo)體的設(shè)計通過EDA完成,然后交由晶圓廠進行制造。這一步通常是由需求方來提供,比如許多的Fabless企業(yè)都會通過EDA完成芯片設(shè)計后,再找到晶圓廠下達訂單。
拿到圖紙后,便進入到晶圓的制備環(huán)節(jié)。而晶圓的原材料便是高純度的硅,但自然界并沒有這種材料,企業(yè)需要從沙子當(dāng)中進行提純,通常是將砂石原料放入一個溫度超過兩千攝氏度的電弧熔爐中,在高溫下發(fā)生還原反應(yīng)得到冶金級硅,然后將粉碎的冶金級硅與液態(tài)氯化氫反應(yīng),生成液態(tài)的硅烷,再通過整流和化學(xué)還原工藝,得到高純度的多晶硅。
除了硅作為積體電路的主要材料外,還需要加入一些砷、磷、硼等元素,來改變硅材料的導(dǎo)電能力與特性。最后還需要將多晶硅溶解,通過速度拉成圓柱狀的單晶硅晶棒,最后切割得到晶圓。有了硅晶圓,才真正進入到集成電路的制造流程當(dāng)中。
制造集成電路的流程,首先要將晶圓放在爐管中,通過高溫反應(yīng)在硅晶體上形成一層硅氧化物,為之后的打磨和刻蝕做準(zhǔn)備,這里需要相應(yīng)的高溫設(shè)備。隨后再將相應(yīng)的例子植入進晶圓的特定區(qū)域中,改變晶圓在特定區(qū)域的導(dǎo)電或者不導(dǎo)電性。
然后通過化學(xué)氣相沉積,利用CVD將反應(yīng)氣體生成固態(tài),沉積在晶圓的表面,形成一層薄膜。
再之后,在晶圓表面涂上一層光刻膠,成為光阻,將晶圓放在光下進行曝光,讓晶圓的表面一部分曝光,一部分沒有曝光,這個步驟需要用到光刻機。全球最大的光刻機生產(chǎn)商為荷蘭的ASML,一臺EVU光刻機售價甚至達數(shù)億美元。
曝光完成后,就需要進行蝕刻,通過蝕刻機將曝光的區(qū)域進行蝕刻,形成紋路。然后通過PVD設(shè)備在晶圓上覆蓋一層銅離子,將晶體管連接起來,銅離子會沉積在晶圓表面,最后將多余的銅拋光掉。
以上的這些步驟,需要多次重復(fù),每一層都能實現(xiàn)不同的功能,通常一個芯片包含幾十層結(jié)構(gòu),這意味著制造晶圓也需要重復(fù)數(shù)十次以上。
再將芯片從硅片上裁剪下來,成為一個獨立的芯片,繼續(xù)對每個芯片進行測試,測試合格的產(chǎn)品將進行最終的封裝。
粗略估算下來,芯片的制造步驟超過上千步,建設(shè)每一步的合格率達到99.99%,那么經(jīng)過數(shù)千步之后,晶圓的良率甚至可能接近于0。而芯片的制造整體良率需要達到90%以上才會量產(chǎn),這樣才能保證不會虧本。
那么一塊12寸晶圓能夠生產(chǎn)多少芯片呢,以一顆長寬均為10.5mm的芯片為例,完美生產(chǎn)的話,一塊晶圓可以生產(chǎn)650顆芯片左右,不過考慮到良率,最終成品將在550顆左右。
以上這些還只是晶圓廠的硬件成本,還沒有算上人工成本、研發(fā)成本以及其他成本,這也就解釋了,為什么一座先進的晶圓廠需要投資上百億美元才能建設(shè)。
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