專注ALD創新，助力超越摩爾

據麥姆斯咨詢報道，2021年5月25日，思銳智能（SRII）與國家智能傳感器創新中心戰略合作簽約儀式暨SRII旗下BENEQ原子層沉積（ALD）產品技術路演在上海嘉定隆重舉行。思銳智能總經理聶翔先生在戰略合作簽約儀式致辭中表示：“與國家智能傳感器創新中心的全面戰略合作是思銳智能深化在超越摩爾領域布局最重要的戰略舉措。雙方建立了聯合研發實驗室，并已全面投入使用之中。未來雙方將重點開展面向MEMS和CMOS圖像傳感器等重要領域的聯合研發工作，以開放包容的機制為超越摩爾行業提供全面系統的技術解決方案！”

“國家智能傳感器創新中心和思銳智能都青睞‘智能’兩個字，都對超越摩爾產業情有獨鐘，雙方就以原子層沉積（ALD）設備及技術作為起點，建立戰略合作伙伴關系，未來將在制造工藝設備的國產化，以及新材料、新工藝、新器件、新應用等方面展開合作研究，非常值得期待。”國家智能傳感器創新中心副總裁焦繼偉博士表示，“此次戰略合作協議的簽訂，標志著我們雙方合作跨上了一個新的臺階！”

在SRII旗下BENEQ原子層沉積（ALD）產品技術路演環節，思銳智能聶總首先介紹公司情況：“思銳智能成立于2018年，對標國家戰略性新興產業發展方向，針對半導體裝備關鍵核心技術，全資收購了芬蘭的BENEQ公司——擁有近40年的ALD技術經驗。現在，BENEQ公司是我們海外技術研發中心，同時正在組建國內技術中心和產業化中心。思銳智能致力于成為世界一流的ALD設備和服務提供商。”

隨后，聶總闡述了思銳智能發展歷程、ALD技術特點、鍍膜工藝過程、業務布局（包括開發服務、ALD設備、鍍膜服務）等內容，并推薦了Transform系列產品——面向超越摩爾、集成電路和泛半導體的系列化ALD解決方案，支持Thermal batch ALD和PE-ALD，適用于Al?O?、SiO?、HfO?、Ta?O?、TiO?、TiN、AlN、SiN等典型鍍膜工藝。目前，8英寸ALD設備獲得來自歐、美、日和國內知名半導體客戶訂單，第二代12英寸ALD設備預計2021年底推出，已有多個高度意向訂單。

在產品技術詳解環節，兩位BENEQ芬蘭專家通過云端聯線方式作了主題為“BENEQ ALD和Semi ALD產品”和“ALD技術在功率氮化鎵和碳化硅、射頻和CMOS圖像傳感器等領域的應用”兩個精彩報告。BENEQ半導體業務負責人Patrick Rabinzohn表示：“從研發階段到批量生產，BENEQ ALD設備都可提供靈活的解決方案。我們已將單片、批量、熱法及等離子體增強功能集成在同一平臺上，在工藝制備中可滿足最苛刻的薄膜沉積要求。在批量生產方面，BENEQ Transform系列憑借多功能性和靈活性，制造了全新的ALD集群工具設備，既能滿足特定的晶圓產能要求，也可為應對不斷增長的產量或新的ALD應用而進行升級，因此可適用于廣泛的應用場景。Transform系列擁有非常高的產能和性能，使得單片晶圓加工成本非常低。”

BENEQ半導體業務技術總監Alexander Perros針對ALD技術的超越摩爾應用案例進行介紹：“在功率器件方面：ALD技術適用于氮化鎵、碳化硅以及傳統的IGBT，主要涉及高K電介質的薄膜沉積，包括柵極絕緣層的沉積，旨在實現低界面態或高擊穿電壓。在射頻濾波器方面：ALD技術在改善壓電材料的性能的壓電系數和機電耦合系數方面發揮重要作用。在射頻IC方面：ALD表面鈍化方法和高介電柵極疊層對于III-V材料上的MOS是必不可少的。在MEMS方面, ALD技術可以形成抗粘連疏水膜和保形密封層。在圖像傳感器、LED、光電子方面，ALD是用于表面鈍化和防反射鍍膜的解決方案。”

BENEQ ALD技術的超越摩爾應用矩陣

在最后的媒體專訪環節，思銳智能聶總就大家關心的產業熱點和公司布局進行解答。聶總表示：“我們把BENEQ的技術優勢和思銳智能的整合能力結合在一起，實現芬蘭和中國兩邊協同研發，并讓工作變得更加高效。今年下半年也會打造國內的產業化基地，加大技術的本地化，更好地服務中國大市場。在MEMS方面，我們已經在MEMS加速度計、MEMS陀螺儀、MEMS麥克風、射頻濾波器等領域有了成功經驗，下一步我們將針對集成電路加速12英寸ALD設備研發進程，目前主流廠商已經有了意向訂單。”

責任編輯：lq