“高德紅外研制的百萬像素中波/中波雙色二類超晶格制冷紅外探測器代表了紅外成像技術尖端水平，打破少數國外企業的技術壟斷，為我國特色紅外技術產業提供堅實的科技支撐，滿足我國對于高端制冷紅外探測器的需求。”在今年兩會期間，全國政協委員、高德紅外董事長黃立向媒體發布了公司最新取得的成果。而這一成果，也和他此次的提案相關，即在國家促進集成電路產業高質量發展政策方面，應突出特殊半導體的戰略地位，針對不同的特殊半導體給予不同的線寬政策。

特殊半導體是多學科高技術聚合物

集成電路是信息社會的基石，也是信息技術的重要基礎。芯片產業的高質量發展，關系到現代信息產業和產業鏈發展。近年來，中國集成電路產業發展取得了驕人成績，產業規模不斷增長。據中國半導體行業測算，2020年我國集成電路銷售收入達到8848億元，增長率為同期全球產業增速的3倍。技術創新上也不斷取得突破，在制造工藝、封裝技術、關鍵設備材料都有明顯大幅提升。

黃立表示，相對于硅基集成電路的邏輯運算，特殊半導體作為與外界環境交互的重要手段和感知信息的主要來源，已成為決定未來數字通信、傳感互聯、人工智能產業發展的核心與“卡脖子”的關鍵技術。他指出，特殊半導體是多學科的高技術聚合物，涵蓋了化合物半導體、功率半導體、傳感器件和微機電器件，具有信息采集、信息處理、信息交換、信息存儲等多元化功能。

黃立認為，黨的十八大以來，黨中央把握住歷史契機，出臺了一系列半導體產業扶持政策，在加快我國集成電路技術創新，推動集成電路產業進步方面取得了長足發展。特別是去年8月國務院印發的《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》更是為國內集成電路產業快速發展推波助瀾。“然而，特殊半導體未能充分享受到集成電路產業的相關政策支持。”黃立表示。

特殊半導體產業目前面臨三大挑戰

特殊半導體的制造工藝和制造條件要求極高，和集成電路有一定的相似度，但更加側重于工藝的特殊性和復雜性。黃立表示，目前產業水平低的主要問題有以下幾點，首先，核心特殊半導體產品品種數較多，國內僅能生產其中的約1/3，整體技術含量也較低。同時，核心功能性器件市場需求量上萬億元，且逐年上升，每年進口額數千億元，包括汽車電子或科學儀器等高端特殊半導體95%以上市場份額都掌握在外資企業手里。

其次，核心特殊半導體器件生產制造工藝流程繁瑣復雜、產業鏈較長，企業規模偏小，人才集聚和培養難度大，上下游協同門檻高、成本高，產業發展尚未形成合力。

最后，特殊半導體涉及的技術領域眾多、工序復雜。特殊半導體對于光刻線寬的要求相對較低，但是對于工藝、材料的控制更加復雜，被稱為“工業藝術品”。例如MEMS傳感器，學科涉及電子、機械、材料、制造、物理、化學和生物等多種學科，并集約了當今科學技術發展的許多尖端成果;設計與傳統IC行業注重二維靜止的電路設計不同，以理論力學為基礎，結合電路知識設計三維動態產品;工藝包含更多非標準的定向工藝步驟，如體硅工藝、背面工藝、高溫工藝、高深寬比蝕刻等;材料往往會涉及特殊材料，如相變材料、磁致伸縮材料、記憶合金材料等。

針對不同特殊半導體給予不同線寬政策

針對特殊半導體的“特殊性”，黃立提出如下建議：

第一，在國家促進集成電路產業高質量發展政策，應突出特殊半導體的戰略地位，針對不同的特殊半導體給予不同的線寬政策。如化合物半導體類和MEMS微機電類，線寬小于0.25微米的企業。給予該類企業所得稅最高“十免”優惠政策——鼓勵符合條件的特殊半導體生產企業或項目，第一年至第十年免征企業所得稅。

第二，加快核心技術攻關，針對材料體系和特殊工藝給予相應的配套政策，如針對非硅基的III-V、II-VI化合物半導體，及相關的多元材料外延工藝，給予專項扶持、市場準入、人才認定等持續支持，以彌補產業技術短板與政策缺失，實現傳感器產業高質量發展。

第三，培育產業發展新動能。聚焦特殊半導體的工藝復雜性，從產業鏈出發，加強國產替代。發展壯大細分領域的龍頭企業，分類培育產業鏈相關的高端配套骨干企業，形成融通發展的良好局面。

此外，黃立還針對加大知識產權保護力度給出了建議，他表示，國家應進一步完善以知識產權、商業秘密保護為核心的法律法規和運行機制;開展打擊侵犯知識產權、商業秘密專項行動;加大對侵犯商業秘密的企業和勞動者的處罰力度以及加大對知識產權保護的宣傳力度。
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