女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

日本加快研發2nm hCFET晶體管

如意 ? 來源:半導體行業觀察 ? 作者:icbank ? 2020-12-21 10:59 ? 次閱讀

2020年12月,由日本工業技術研究院(AIST)和中國臺灣半導體研究中心(TSRI)代表的聯合研究小組宣布了用于2nm世代的Si(硅)/ Ge(硅)/ Ge層壓材料。他們同時宣布,已開發出一種異質互補場效應晶體管(hCFET)。

由于微加工技術的進步,電場效應晶體管(FET)已實現了高性能和低功耗。

在22nm世代中,它推進到被稱為“ FinFET”的三維柵極結構的FET。此外,GAA(全方位門)結構已作為替代版本出現。

除此之外,還有一種稱為CFET結構的技術,該結構是將n型FET和p型FET彼此堆疊的結構。其面積可以大大減小,速度可以提高。

FET結構路線圖資料來源:AISTAIST

一直在研究和開發混合了硅n型FET和鍺p型FET的CMOS技術。另一方面,TSRI一直致力于開發精細工藝技術,以在2nm世代之后實現3D溝道。因此,兩家公司于2018年啟動了一項國際聯合研究項目,以利用各自的優勢。

該項目旨在開發可堆疊Si和Ge層的Si / Ge異質溝道集成平臺,并且是一種低溫異質材料鍵合技術(LT-HBT ),可在200°C或更低的溫度下堆疊高質量的Si和Ge層。開發了低溫異質層粘接技術。由于所有的層壓和刻蝕工藝都可以在低溫下進行,因此其特點是對Si層和Ge層的破壞極小,可以實現高質量的Si / Ge異質溝道集成平臺。

該產品制造過程如下。首先,準備在主晶片上外延生長Ge的“主晶圓”和“供體晶圓”。SiO2絕緣膜沉積在主硅片的每一個上以活化表面。然后,將其直接在200°C下粘合。然后,順序地去除施主硅片的Si襯底,BOX絕緣膜和Si層。最后,使用東北大學開發的中性束刻蝕(NBE)將Ge均勻薄化。

結果,實現了Si / Ge異質溝道層疊結構。這項技術可以大大簡化hCFET的制造過程,也可以用于其他多層結構。

使用低溫異種材料鍵合技術的Si / Ge異質通道層壓工藝過程來源:AIST

該研究小組使用已開發的Si / Ge異質溝道堆疊平臺創建了hCFET。形成具有相同溝道圖案的Si和Ge層,并且去除Si層和Ge層之間的絕緣層以形成納米片狀的層疊溝道結構。從SEM俯瞰圖,可以確認Ge和Si通道是暴露的。

在該結構上沉積高k柵絕緣膜(Al2 O3)和金屬柵(TiN)以覆蓋整個溝道,并且上下放置GAA結構“ 硅n型FET”和“ p型FET”。已經實現了堆疊的hCFET。從TEM截面圖,發現上部的Ge層和下部的Si層以具有約50nm的溝道寬度的納米片的形式層疊。這些結構也可以通過TEM EDX分析來確認。

此外,我們成功地通過單個柵極同時操作了這些“ n型FET”和“ p型FET”。事實證明,通過LT-HBT堆疊不同的通道作為2nm世代晶體管技術極為有效。

這項研究的結果是日本小組(AIST和東北大學),由高級CMOS技術研究小組的研究員Chang Wen Hsin,AIST的器件技術研究部門以及TSRI的Lee Yao-Jen Research代表。它是由研究員組成的中國臺灣團隊(交通大學,成功大學,南方國際大學,臺灣大學,國立中山大學,愛子大學,工業技術學院,臺灣日立高科技)的國際合作研究小組。

國際合作研究小組,連同急于向包括海外的私人公司建立一個高精度的異構渠道集成平臺,有望進行為期三年的技術轉讓。
責編AJX

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    335

    文章

    28553

    瀏覽量

    232068
  • 晶體管
    +關注

    關注

    77

    文章

    9976

    瀏覽量

    140579
  • FET
    FET
    +關注

    關注

    3

    文章

    769

    瀏覽量

    63939
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    晶體管電路設計(下)

    晶體管,FET和IC,FET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設計,源極跟隨器電路設計,FET低頻功率放大器的設計與制作,柵極接地放大電路的設計,電流反饋型OP放大器的設計與制作,進晶體管
    發表于 04-14 17:24

    臺積電分享 2nm 工藝深入細節:功耗降低 35% 或性能提升15%!

    下),同時其晶體管密度是上一代3nm制程的1.15倍。這些顯著優勢主要得益于臺積電的全柵極(Gate-All-Around, GAA)納米片晶體管、N2 NanoFlex設計技術協同優
    的頭像 發表于 12-16 09:57 ?686次閱讀
    臺積電分享 <b class='flag-5'>2nm</b> 工藝深入細節:功耗降低 35% 或性能提升15%!

    IBM與Rapidus在多閾值電壓GAA晶體管技術的新突破

    Rapidus 的 2nm 制程生產流程之中。 IBM 宣稱,當制程推進到 2nm 階段時,晶體管的結構會從長久以來所采用的 FinFET(鰭式場效應晶體管)轉換為 GAAFET(全
    的頭像 發表于 12-12 15:01 ?581次閱讀

    如何測試晶體管的性能 常見晶體管品牌及其優勢比較

    壞,引腳是否彎曲或斷裂。 2. 極性測試 二極測試 :使用萬用表的二極測試功能,檢查晶體管的基極和發射極之間的正向和反向電壓降。 3. 電流增益測試 直流電流增益 :測量
    的頭像 發表于 12-03 09:52 ?1006次閱讀

    晶體管與場效應的區別 晶體管的封裝類型及其特點

    晶體管與場效應的區別 工作原理 : 晶體管晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發射極之間的電流。
    的頭像 發表于 12-03 09:42 ?811次閱讀

    最新研發電壓型多值晶體管的結構

    電子發燒友網站提供《最新研發電壓型多值晶體管的結構.pdf》資料免費下載
    發表于 11-21 16:27 ?1次下載

    最新研發高速電壓型多值晶體管的結構

    高速電壓型多值晶體管的結構
    的頭像 發表于 11-21 12:23 ?434次閱讀
    最新<b class='flag-5'>研發</b>高速電壓型多值<b class='flag-5'>晶體管</b>的結構

    世芯電子成功流片2nm測試芯片

    近日,高性能ASIC設計服務領域的領先企業世芯電子(Alchip)宣布了一項重大技術突破——成功流片了一款2nm測試芯片。這一里程碑式的成就,使世芯電子成為首批成功采用革命性納米片(或全能門GAA)晶體管架構的IC創新者之一。
    的頭像 發表于 11-01 17:21 ?1328次閱讀

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
    的頭像 發表于 09-13 14:10 ?7268次閱讀

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區別

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領域中都扮演著重要角色,但它們在結構、工作原理和應用方面存在顯著的區別。以下是對兩者區別的詳細闡述。
    的頭像 發表于 09-13 14:09 ?3585次閱讀

    日本Rapidus 2nm原型生產線明年4月運營

    日本芯片產業迎來重要里程碑,Rapidus公司位于北海道的2nm原型生產線預計將于明年4月正式投入運營。這一消息標志著日本在半導體技術領域的雄心壯志正逐步變為現實,也預示著北海道有望成為全球芯片制造的新中心。
    的頭像 發表于 09-03 15:47 ?645次閱讀

    晶體管處于放大狀態的條件是什么

    晶體管是一種半導體器件,廣泛應用于電子設備中。它具有三個主要的引腳:基極(B)、發射極(E)和集電極(C)。晶體管的工作原理是通過控制基極和發射極之間的電流,來控制集電極和發射極之間的電流。晶體管
    的頭像 發表于 07-18 18:15 ?2515次閱讀

    PNP晶體管符號和結構 晶體管測試儀電路圖

    PNP晶體管是一種雙極性晶體管,用于電子電路中放大、開關和控制電流的器件。與NPN晶體管相對應,PNP晶體管的結構特點在于其三個不同的半導體區域:正極(P型)、負極(N型)、正極(P型
    的頭像 發表于 07-01 17:45 ?4718次閱讀
    PNP<b class='flag-5'>晶體管</b>符號和結構 <b class='flag-5'>晶體管</b>測試儀電路圖

    日本Rapidus計劃2025年啟動2nm制程測試工廠

    近日,日本Rapidus公司CEO Atsuyoshi Koike透露,該公司的2nm制程測試工廠將于2025年4月正式啟動。這一里程碑式的進展,標志著日本在半導體產業振興之路上又邁出了堅實的一步。
    的頭像 發表于 06-21 09:32 ?609次閱讀

    Rapidus與IBM深化合作,共推2nm制程后端技術

    日本先進的半導體代工廠Rapidus本月初宣布,與IBM在2nm制程領域的合作將進一步深化,從前端技術拓展至后端封裝技術。此次雙方的合作將聚焦于芯粒(Chiplet)先進封裝量產技術的共同研發
    的頭像 發表于 06-14 11:23 ?769次閱讀