女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

慶祝!北方華創(chuàng)ICP刻蝕機交付已突破1000腔

如意 ? 來源:快科技 ? 作者:上方文Q ? 2020-12-11 15:30 ? 次閱讀

北方華創(chuàng)(Naura)官方宣布,ICP等離子刻蝕機第1000腔交付儀式近日在北京亦莊基地舉行,NAURA刻蝕機研發(fā)團隊見證了這一歷史性時刻。

北方華創(chuàng)表示,這不僅是公司發(fā)展征程中的重要里程碑,更是國產刻蝕機在歷經了20年自主創(chuàng)新后得到客戶廣泛認可的重要標志,未來會持續(xù)在等離子刻蝕ICP技術領域尋求更多突破。

北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司成立于2001年,由北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司、北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司戰(zhàn)略重組而成,是目前國內集成電路高端工藝裝備的先進企業(yè)。

北方華創(chuàng)成立后就開始組建團隊鉆研刻蝕技術,2004年第一臺設備成功起輝,2005年第一臺8英寸ICP刻蝕機在客戶端上線,并于2007年獲得國家科學技術進步二等獎。

目前,北方華創(chuàng)的刻蝕設備已經覆蓋集成電路、LED、先進封裝、功率半導體、MEMS微機電系統(tǒng)、化合物半導體、硅基微顯、分析儀器、功率器件、光通信器件等多個領域,硅刻蝕機已突破14nm技術,進入主流芯片代工廠。

其中,12英寸ICP刻蝕機在實現(xiàn)客戶端28nm國產化替代,并在14/7nm SADP/SAQP、先進存儲器、3D TSV等工藝應用中發(fā)揮著重要作用。

所謂等離子干法刻蝕,就是利用等離子體進行薄膜微細加工的技術,具有良好的各向異性、工藝可控性,廣泛應用于微電子產品制造領域。

在典型的干法刻蝕工藝過程中,一種或多種氣體原子或分子混合于反應腔室中,在外部能量作用下(如射頻、微波等)形成等離子體。

另外,很多人可能分不清***、刻蝕機。最簡單地說,***把電路圖投影到覆蓋有光刻膠的硅片上面,刻蝕機則是畫了電路圖的硅片上的多余電路圖腐蝕掉。

再打個比方,***是照相機,刻蝕機就是顯影設備。
責編AJX

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 光刻機
    +關注

    關注

    31

    文章

    1163

    瀏覽量

    48056
  • 7nm
    7nm
    +關注

    關注

    0

    文章

    267

    瀏覽量

    35633
  • 刻蝕機
    +關注

    關注

    0

    文章

    53

    瀏覽量

    4464
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    半導體刻蝕工藝技術-icp介紹

    ICP(Inductively Coupled Plasma,電感耦合等離子體)刻蝕技術是半導體制造中的一種關鍵干法刻蝕工藝,廣泛應用于先進集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以下是關于
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:33 ?277次閱讀

    中微公司ICP雙反應臺刻蝕Primo Twin-Star取得新突破

    近日,中微半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”,股票代碼“688012.SH”)宣布通過不斷提升反應臺之間氣體控制的精度, ICP雙反應臺刻蝕Primo Twin-Star 又取得新的
    的頭像 發(fā)表于 03-27 15:46 ?363次閱讀
    中微公司<b class='flag-5'>ICP</b>雙反應臺<b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>機</b>Primo Twin-Star取得新<b class='flag-5'>突破</b>

    北方創(chuàng)躍居全球半導體設備供應商第六位

    。 不過,北方創(chuàng)憑借其在刻蝕、薄膜沉積和清洗設備方面的專業(yè)技能,其全球排名從第十位升至第六位。 2024年半導體設備廠商中,ASML營收超過300億美元排名第一,鞏固主導地位;應用材
    的頭像 發(fā)表于 03-12 15:54 ?513次閱讀

    創(chuàng)北方LED顯示TCON解決方案演示

    在本次“新型顯示產業(yè)與LED標準發(fā)展研討會“上,集創(chuàng)北方向合作伙伴展現(xiàn)了在標準化上的探索與實踐,并演示了基于集創(chuàng)芯片的解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 03-11 11:21 ?785次閱讀

    創(chuàng)北方榮獲??低暋白罴奄|量獎”

    近日,北京集創(chuàng)北方科技股份有限公司(簡稱集創(chuàng)北方)董事長張晉芳一行前往杭州??低晹?shù)字技術股份有限公司(簡稱??低暎┌菰L交流。
    的頭像 發(fā)表于 02-27 16:49 ?474次閱讀

    干法刻蝕的概念、碳硅反應離子刻蝕以及ICP的應用

    反應離子刻蝕以及ICP的應用。 ? 1干法蝕刻概述 干法蝕刻的重要性 精確控制線寬:當器件尺寸進入亞微米級( 化學穩(wěn)定性挑戰(zhàn):SiC的化學穩(wěn)定性極高(Si-C鍵合強度大),使得濕法蝕刻變得困難。濕法蝕刻通常需要在高溫或特定條件下進行,
    的頭像 發(fā)表于 01-22 10:59 ?842次閱讀
    干法<b class='flag-5'>刻蝕</b>的概念、碳硅反應離子<b class='flag-5'>刻蝕</b>以及<b class='flag-5'>ICP</b>的應用

    創(chuàng)北方與國創(chuàng)中心達成戰(zhàn)略合作

    近日,北京集創(chuàng)北方科技股份有限公司(以下簡稱集創(chuàng)北方)在北京總部與國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心(以下簡稱國創(chuàng)中心)正式簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。集
    的頭像 發(fā)表于 01-10 16:35 ?645次閱讀

    ALE的刻蝕原理?

    一層原子。? ? ?? ALE的刻蝕原理? 如上圖,是用Cl2刻蝕Si的ALE反應示意圖。 第一步:向工藝中通入刻蝕氣體Cl2,Cl2吸附在目標材料Si上并與之發(fā)生反應,生成SiCl
    的頭像 發(fā)表于 12-20 14:15 ?843次閱讀
    ALE的<b class='flag-5'>刻蝕</b>原理?

    創(chuàng)北方榮獲vivo“質量進步獎”

    近日,主題為互信共贏·質創(chuàng)未來的2024年vivo商業(yè)伙伴質量&創(chuàng)新溝通會在東莞隆重召開,超百家vivo商業(yè)伙伴蒞臨現(xiàn)場參加了此次溝通會。集創(chuàng)北方憑借其在LCD顯示觸控驅動芯片產品類別中體現(xiàn)的卓越質量把控與
    的頭像 發(fā)表于 12-18 11:43 ?676次閱讀

    創(chuàng)北方榮獲天馬“優(yōu)秀合作伙伴獎”

    近日,以“聚勢謀遠 共贏未來”為主題的2024年天馬全球合作伙伴大會在廈門隆重舉行。憑借在顯示領域的緊密合作與卓越貢獻,集創(chuàng)北方再度榮獲“優(yōu)秀合作伙伴獎”,這也是集創(chuàng)北方連續(xù)兩年獲此殊
    的頭像 發(fā)表于 12-18 11:39 ?635次閱讀

    創(chuàng)北方榮獲2025 IC風云榜“年度車規(guī)芯片市場突破獎”

    投資年會暨IC風云榜頒獎典禮上,北京集創(chuàng)北方科技股份有限公司(以下簡稱:集創(chuàng)北方)榮獲“年度車規(guī)芯片市場突破獎”。 “年度車規(guī)芯片市場
    的頭像 發(fā)表于 12-17 18:18 ?1372次閱讀
    集<b class='flag-5'>創(chuàng)</b><b class='flag-5'>北方</b>榮獲2025 IC風云榜“年度車規(guī)芯片市場<b class='flag-5'>突破</b>獎”

    室壓力對刻蝕的影響

    本文介紹了室壓力對刻蝕的影響。 ? 室壓力是如何調節(jié)的?對刻蝕的結果有什么影響? ? 什么是室壓力?
    的頭像 發(fā)表于 12-17 18:11 ?810次閱讀
    <b class='flag-5'>腔</b>室壓力對<b class='flag-5'>刻蝕</b>的影響

    一文看懂刻蝕角度與ICP-RIE射頻功率的關系

    本文介紹了用ICP-RIE刻蝕接觸孔工藝中,側壁的角度與射頻功率關系大不大,以及如何通過調節(jié)功率來調節(jié)側壁角度。 什么是刻蝕的側壁角度? 如上圖,側壁角度是側壁相對于襯底的傾斜角度,是衡量刻蝕
    的頭像 發(fā)表于 11-24 10:54 ?1266次閱讀

    半導體干法刻蝕技術解析

    主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術,其中包括離子束刻蝕(IBE)、反應離子刻蝕(RIE)、以及后來基于高密度等離子體反應離子的電子回旋共振等離子體刻蝕(ECR)和電感耦合等離子體
    的頭像 發(fā)表于 10-18 15:20 ?1676次閱讀
    半導體干法<b class='flag-5'>刻蝕</b>技術解析

    北方創(chuàng)自研射頻電源批量應用于多款產品

    近日,北方創(chuàng)在互動平臺宣布了一項重要進展:公司自主研發(fā)的射頻電源已成功批量應用于多款產品中,標志著其在半導體核心部件國產化道路上邁出了堅實的一步。隨著國內零部件供應商能力的顯著提升,北方
    的頭像 發(fā)表于 09-10 17:12 ?1110次閱讀