本應(yīng)用筆記介紹了如何在不使用 AMBA 的情況下圍繞 ARM7TDM 構(gòu)建典型的 SRAM 存儲(chǔ)器系統(tǒng)。有許多可能的方法來做到這一點(diǎn)。應(yīng)該使用不同的方法，這取決于內(nèi)存系統(tǒng)的大小（寬度）、要使用的內(nèi)存類型以及是在片上還是片外。在決定要使用的內(nèi)存系統(tǒng)時(shí)，必須平衡成本和系統(tǒng)性能。*簡介*
本應(yīng)用筆記描述了如何在不使用 AMBA 的情況下圍繞 ARM7TDM 構(gòu)建典型的 SRAM 存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

有許多可能的方法來做到這一點(diǎn)。應(yīng)該使用不同的方法，這取決于內(nèi)存系統(tǒng)的大小（寬度）、要使用的內(nèi)存類型以及是片上還是片外。在決定要使用的內(nèi)存系統(tǒng)時(shí)，必須平衡成本和系統(tǒng)性能。

本應(yīng)用筆記分為兩個(gè)主要部分。
* ARM7TDM 總線接口的描述。描述了總線接口的所有主要方面，從時(shí)鐘策略、總線配置和時(shí)序到內(nèi)存訪問控制。
* 一個(gè)詳細(xì)的例子，展示了如何設(shè)計(jì)一個(gè)典型的內(nèi)存系統(tǒng)。該示例假設(shè)一個(gè)小端系統(tǒng)，僅使用 SRAM 和 ROM。

ARM 開發(fā)了一種稱為 AMBA 的總線架構(gòu)，使用該架構(gòu)將提高可擴(kuò)展性，極大地簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并有助于測試——尤其是在需要多個(gè)總線主控的應(yīng)用中。

ARM 建議使用 AMBA 來設(shè)計(jì)基于 ARM 的系統(tǒng)。然而，本應(yīng)用筆記解釋了如何在不使用 AMBA 方法的情況下將 ARM7TDM 連接到存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

*ARM7TDM 總線基礎(chǔ)知識(shí)*

*_Bus Clocking_*

有兩個(gè)相關(guān)信號，MCLK 和 nWAIT。MCLK 對正常操作模式下的所有處理器活動(dòng)進(jìn)行計(jì)時(shí)。ARM 的靜態(tài)特性允許外部電路為慢速外設(shè)訪問延長時(shí)鐘的任一相位。一個(gè)典型的方案是使用一個(gè)帶有 40 MHz 時(shí)鐘的外部 PAL，該時(shí)鐘生成一個(gè) 20 MHz 時(shí)鐘，并根據(jù)需要進(jìn)行擴(kuò)展。這種技術(shù)在某些設(shè)計(jì)中可能難以使用。這種相位拉伸如圖 1 所示。

在系統(tǒng)中使用高頻時(shí)鐘的一種更簡單、更常見的替代方法是將 nWAIT 與 MCLK 結(jié)合使用。nWAIT 在內(nèi)部與 MCLK 進(jìn)行 AND 運(yùn)算，因此為避免截?cái)嚯A段 2（高）周期，nWAIT 只能在時(shí)鐘低周期（階段 1）期間安全更改。因此，nWAIT 技術(shù)只能用于延長時(shí)鐘低電平周期。這種技術(shù)如圖 2 所示。

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