通訊運(yùn)營(yíng)商（無(wú)線接入+有線傳輸網(wǎng)）和數(shù)通（數(shù)據(jù)中心）是光模塊兩大重要市場(chǎng)，2020年上半年除了預(yù)期內(nèi)的運(yùn)營(yíng)商市場(chǎng)5G建設(shè)帶動(dòng)前中回傳需求，北美云資本開支回升帶動(dòng)數(shù)通市場(chǎng)回暖外，超預(yù)期的是疫情帶來(lái)的數(shù)通市場(chǎng)景氣度進(jìn)一步上升。現(xiàn)在時(shí)點(diǎn)展望2021年，5G+數(shù)通的需求增長(zhǎng)能否持續(xù)？2020年400G模塊廠不同程度地實(shí)現(xiàn)了小規(guī)模放量，那么接下來(lái)400G能否走出類似100G的成長(zhǎng)邏輯呢？

1、5G+數(shù)通的需求增長(zhǎng)能否持續(xù)？

（1）5G：2021年能否增長(zhǎng)存在不確定性

2020年國(guó)內(nèi)5G規(guī)模建設(shè)啟動(dòng)，運(yùn)營(yíng)商資本開支同比增長(zhǎng)12%；其中5G投資達(dá)1803億元，由于4G投資的大幅下降，給5G提供較大資金空間。根據(jù)我們年度策略預(yù)測(cè)，以及三大運(yùn)營(yíng)商基站招標(biāo)統(tǒng)計(jì)，預(yù)計(jì)全年建設(shè)54~63萬(wàn)5G基站，無(wú)線側(cè)帶來(lái)光模塊市場(chǎng)增量約45~60億元。

展望2021年，5G新建基站數(shù)量是否同比增長(zhǎng)存在不確定性。原因有三：1、預(yù)計(jì)至20年底，三大運(yùn)營(yíng)商已有的約67~76萬(wàn)5G基站，已經(jīng)可覆蓋全國(guó)主要地級(jí)市。相比較于4G的廣覆蓋任務(wù)，5G作為高附加值網(wǎng)絡(luò)，已經(jīng)初步完成建設(shè)任務(wù)。

2、三大運(yùn)營(yíng)商+廣電，將繼續(xù)深化共建共享。共建共享給運(yùn)營(yíng)商每年節(jié)省大量資本開支，共建共享帶來(lái)格局更加集中進(jìn)一步增強(qiáng)了對(duì)于上游產(chǎn)業(yè)鏈議價(jià)能力。此外，700MHz頻段的利用，有望進(jìn)一步降低運(yùn)營(yíng)商5G網(wǎng)絡(luò)的部署成本。

3、2020年底，產(chǎn)業(yè)鏈將面臨進(jìn)一步降價(jià)壓力，上游環(huán)節(jié)面臨盈利進(jìn)一步被擠壓的風(fēng)險(xiǎn)。

（2）數(shù)通：云廠商資本開支已處于短期高位，疫情邊際影響減弱

市場(chǎng)關(guān)注到北美云服務(wù)商資本開支持續(xù)攀升，但沒(méi)有注意到資本開支已處于相對(duì)高位。從20Q2北美第一大云服務(wù)商亞馬遜的資本開支與其云服務(wù)營(yíng)收比可見(jiàn)，短期資本投入已處于相對(duì)較高位置。

雖然數(shù)通光模塊市場(chǎng)伴隨著端口速率提升+光互聯(lián)向更小方向滲透（服務(wù)器間-》板間-》片間），市場(chǎng)長(zhǎng)期呈現(xiàn)更多成長(zhǎng)性，但避免不了短期3~5年的周期性波動(dòng)。

2、400G能否走出類似100G的成長(zhǎng)邏輯？

（1）500m~2km為數(shù)通市場(chǎng)需求主力

光模塊的主力需求在500m~2km，長(zhǎng)期約占整體需求量超過(guò)60%，主要面對(duì)交換機(jī)互聯(lián)場(chǎng)景。而目前階段放量的產(chǎn)品主要集中在300m以下，該距離需求占整體長(zhǎng)期需求空間不足25%。

（2）現(xiàn)有400G出貨集中在短距

由于VCSEL芯片成本低、產(chǎn)量大，且短距離的PAM4調(diào)制可行，因此400G的AOC、SR8及SR4.2模塊相對(duì)成本壓力不高，2020年400G模塊廠不同程度地實(shí)現(xiàn)了小規(guī)模放量。

（3）芯片問(wèn)題成為關(guān)鍵

目前400G核心問(wèn)題不在于電芯片，而在于光芯片。100G時(shí)代，25G DFB芯片價(jià)格低、產(chǎn)量大，可滿足500m~ 2km主力需求，帶動(dòng)了光模塊需求量快速上升。而400G時(shí)代，由于DFB芯片難有較好的PAM4中長(zhǎng)距調(diào)制效果，同時(shí)高速EML芯片價(jià)格高企產(chǎn)量有限，因此放量的產(chǎn)品僅為短距離的VCSEL產(chǎn)品。400G產(chǎn)品走出100G成長(zhǎng)邏輯需要等待新的高性價(jià)比光調(diào)制芯片出現(xiàn)（較大概率是薄膜鈮酸鋰調(diào)制芯片）。

3、光芯片未來(lái)技術(shù)路徑

（1）磷化銦

作為重要的三五族化合物半導(dǎo)體之一，磷化銦（InP）具有電子遷移率高、耐輻射性能好、禁帶寬度大等優(yōu)點(diǎn)，在光子、射頻領(lǐng)域有很好的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。隨著數(shù)通市場(chǎng)對(duì)更高速度的數(shù)據(jù)傳輸需求，InP技術(shù)正從傳統(tǒng)運(yùn)營(yíng)商市場(chǎng)向數(shù)通市場(chǎng)邁進(jìn)。基于InP的半導(dǎo)體激光器主要有DFB、EML。其中DFB可實(shí)現(xiàn)25G速率，中長(zhǎng)距離及以下傳輸（10km）；EML可實(shí)現(xiàn)50G速率，長(zhǎng)距離及以下傳輸（80km），同時(shí)由于EML具備較好的信號(hào)質(zhì)量，可實(shí)現(xiàn)PAM4等調(diào)制進(jìn)一步放大傳輸帶寬，目前已有通過(guò)PAM4實(shí)現(xiàn)100G單通道EML芯片。由于溫控問(wèn)題，uncooled EML成為數(shù)通市場(chǎng)較好選擇，可以實(shí)現(xiàn)500m~2km產(chǎn)品覆蓋。但EML主要問(wèn)題在于產(chǎn)量有限，價(jià)格高企。

目前國(guó)產(chǎn)25G EML仍待突破，處于少量驗(yàn)證階段。EML難度在于在未大量出貨之前，無(wú)法預(yù)知產(chǎn)品良率，產(chǎn)品好壞無(wú)法測(cè)試，僅在使用后才可得知，這給國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品規(guī)模應(yīng)用帶來(lái)很大困難。

（2）硅光

硅光是實(shí)現(xiàn)光電集成的較好方向，且大尺寸高質(zhì)量的硅晶圓帶來(lái)了絕佳的成本優(yōu)勢(shì)。但由于硅基插入損耗高、存在溫漂問(wèn)題，同時(shí)封裝復(fù)雜度高，目前僅在2km以下市場(chǎng)得以應(yīng)用，而在短距300m以下，VCSEL具備較大優(yōu)勢(shì)。目前硅光芯片所需的成熟鍺硅工藝仍需依靠美國(guó)代工，產(chǎn)業(yè)鏈上可控程度較低。

（3）鈮酸鋰

在美國(guó)國(guó)防部的一項(xiàng)關(guān)于鈮酸鋰的報(bào)告中曾經(jīng)有過(guò)這樣一段對(duì)鈮酸鋰的評(píng)價(jià)：“如果電子革命的中心是以使其成為可能的硅材料命名的，那么光子學(xué)革命的發(fā)源地則很可能就是以鈮酸鋰命名了。”

鈮酸鋰材料具備良好的光學(xué)特性，在通信界并不陌生，早在骨干網(wǎng)中應(yīng)用有鈮酸鋰體器件。薄膜鈮酸鋰加工成芯片，是未來(lái)光調(diào)制芯片3db光口帶寬突破60GHz瓶頸的重要方向。但是由于鈮酸鋰材料加工難度大，制造工藝為其核心，量產(chǎn)技術(shù)仍需提升。

未來(lái)隨著薄膜鈮酸鋰制造工藝逐步成熟，鈮酸鋰薄膜芯片體積有望小型化至1~2mm，同時(shí)由于其高速率、高信號(hào)質(zhì)量、低插損等特點(diǎn)，將在數(shù)通光模塊市場(chǎng)和運(yùn)營(yíng)商設(shè)備領(lǐng)域有廣闊前景。

總之，從未來(lái)中短期來(lái)看，光模塊下游市場(chǎng)中，5G建設(shè)市場(chǎng)增長(zhǎng)面臨下降風(fēng)險(xiǎn)，數(shù)通市場(chǎng)受疫情正面影響的邊際變化已減弱，光模塊市場(chǎng)未來(lái)1~2年需求增長(zhǎng)存在不確定性，其中400G產(chǎn)品大規(guī)模放量需要相應(yīng)芯片獲得突破。未來(lái)光芯片的三條技術(shù)路線上，硅光具備板間/芯片間的光電集成優(yōu)勢(shì)，而通信傳輸上300m以下VCSEL具備成本優(yōu)勢(shì)，500m及以上薄膜鈮酸鋰芯片具備極大優(yōu)勢(shì)，是未來(lái)光調(diào)制芯片發(fā)展的重要方向。
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