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基于碳化硅的6英寸碳化硅晶圓已經(jīng)大規(guī)模投產(chǎn)

我快閉嘴 ? 來(lái)源:上海臨港 ? 作者:上海臨港 ? 2020-10-19 14:06 ? 次閱讀

碳化硅是成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料,相比目前傳統(tǒng)的硅基產(chǎn)品,其制成的器件能為電力電子產(chǎn)品升級(jí)提供核心保障,像大家熟悉的新能源車(chē)、充電樁、光伏發(fā)電等領(lǐng)域,目前國(guó)際上基于此的6英寸碳化硅晶圓已經(jīng)大規(guī)模投產(chǎn)。10月16日,首片國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管)晶圓在臨港正式發(fā)布,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在此領(lǐng)域的空白,未來(lái)市場(chǎng)容量可達(dá)百億美金。

這就是首片國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅MOSFET晶圓,基于碳化硅也就是第三代半導(dǎo)體材料制成,用于例如新能源車(chē)、光伏發(fā)電等新能源產(chǎn)業(yè),是最核心的工藝半導(dǎo)體芯片。目前市面上在該領(lǐng)域使用的主流的工藝半導(dǎo)體器件是硅基器件,而使用碳化硅器件,其效率、功率密度會(huì)進(jìn)一步提升。上海瞻芯電子創(chuàng)始人兼總經(jīng)理張永熙介紹:“如果用了碳化硅MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管)新能源汽車(chē)作電驅(qū)動(dòng)的話,續(xù)航里程可以有5%到10%的提升;比如說(shuō)用了碳化硅工藝器件的光伏逆變器的話,效率也可以非常大的提升尤其在能耗上面降低50% 。

目前從芯片的成本角度確實(shí)比硅基芯片要高大概至少2到5倍之間,但是由于用了碳化硅器件以后可以帶來(lái)系統(tǒng)成本的降低,包括性能的提升,長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看效益還是更好。”

2017年7月,上海瞻芯在臨港注冊(cè),成立之初,他們就對(duì)標(biāo)國(guó)際最先進(jìn)的技術(shù),同時(shí)前瞻性的開(kāi)發(fā)以6英寸為主的碳化硅晶圓,1152天,終于攻克而成,每一天,張永熙都記得清清楚楚。

“在這個(gè)1152天里,我們投入了超過(guò)500片6英寸的碳化硅晶圓去做研發(fā),每一片晶圓都至少承載了一個(gè)單項(xiàng)實(shí)驗(yàn),所以整個(gè)過(guò)程是非常復(fù)雜和挑戰(zhàn)性的,但是很慶幸的是我們的團(tuán)隊(duì)大家一起努力把產(chǎn)品研發(fā)出來(lái)。完全自主核心,我們是在自主的國(guó)內(nèi)一條6英寸生產(chǎn)線上把200多道工序一步步的調(diào)整,完全是在國(guó)內(nèi)自己留片、自己制造加工,完全自主開(kāi)發(fā)的。進(jìn)入到國(guó)際一線水平,我們先趕上別人在性能,可靠性上和國(guó)際主流大廠持平,以后在接下來(lái)幾年內(nèi)會(huì)逐步迭代做第二代第三代,希望能夠趕超國(guó)際大公司。”

因?yàn)槠溟_(kāi)發(fā)研制是在國(guó)內(nèi)的一條升產(chǎn)線上,低成本開(kāi)發(fā)出的高附加值產(chǎn)品,因此制造成本就會(huì)降低,從而價(jià)格至少比國(guó)際產(chǎn)品能降低20%。目前,這款晶圓已經(jīng)有國(guó)內(nèi)10多家客戶進(jìn)行了試用,其中2家已經(jīng)形成了小批量出貨。

而國(guó)內(nèi)相關(guān)行業(yè)龍頭企業(yè)比亞迪、華為等都在其旗艦產(chǎn)品中廣泛使用碳化硅MOSFET,國(guó)際上,歐洲超級(jí)充電樁也采用了此類(lèi)模塊,據(jù)預(yù)計(jì),今年全球碳化硅市場(chǎng)預(yù)計(jì)在6億美金左右,隨著新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,市場(chǎng)增量潛力非常大,有機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)2027年全球碳化硅市場(chǎng)可以達(dá)到百億美元,而國(guó)內(nèi)市場(chǎng)至少將占據(jù)半壁江山。

上海瞻芯電子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司,2017年成立于上海自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)。官方表示,經(jīng)過(guò)三年的深度研發(fā)和極力攻關(guān),瞻芯電子成為中國(guó)第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝,以及SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片的公司。
責(zé)任編輯:tzh

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