女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

2萬噸多晶硅產能緊急停產 多晶硅價格或將大幅上漲

旺材芯片 ? 來源:中國半導體論壇 ? 作者:中國半導體論壇 ? 2020-09-04 16:57 ? 次閱讀

來源:中國半導體論壇

8月17日晚,四川樂山再次遭遇暴雨。受強降雨影響,樂山中心城區多處路段積水,不僅影響了車輛通行,一些低洼路段形成了“路中湖”。

為保障道路暢通及人員安全,樂山市公安局交警支隊全體民輔警聞汛而動,全力投入抗洪救災一線,竭盡全力疏導道路交通。目前四川及樂山市已啟動一級防汛應急響應。

(圖片來源/騰訊視頻截圖)

8月18日上午,通威旗下永祥股份子公司永祥多晶硅所在的樂山市五通橋區,遭遇特大洪水波及,永祥多晶硅公司按當地政府應急管理局要求,已緊急停產,全部設備安全停車,復產時間視汛情和后續影響而定。

據了解,當前永祥多晶硅正在全力進行防汛工作,該廠區目前產能2萬噸。

多晶硅價格或將繼續大幅上漲

據悉,本次受影響的永祥多晶硅廠目前產能2萬噸,當地水位還在繼續上漲。

MM詢價顯示今日部分地區化學級硅價上漲,四川421#硅出廠價格在11400-11600元/噸。今日四川部分地區因暴雨導致道路毀損嚴重,樂山、阿壩、雅安均有不同程度影響。有2家硅廠因暴雨影響冷卻水循環而停產3臺礦熱爐,還有一些因供電、運輸等問題有減停產風險。

隨著國內以及海外市場持續恢復,全球硅需求同步上漲。但是近幾個月硅生產供應端事故頻發導致硅價迅速反彈。據SMM了解,6月初,東方希望因硅粉爆炸原因30萬噸金屬硅產能全部停產,雖未影響多晶硅生產,但因裝置檢修、新投產能負荷逐漸提升等原因該企業共8萬噸多晶硅年產能在7月負荷僅有60%左右;7月初,新疆大全因氣體泄漏影響產能0.6萬噸;7月19日,保利協鑫新疆多晶硅廠精餾裝置爆炸,該廠目前停產,年產能4.8萬噸,另有2萬噸技改產能計劃于今年第四季度投產;8月中旬,因永祥多晶硅所處地段經過洪峰,應當地防汛部門要求該企業已與今日(18日)上午停產,涉及年產能2萬噸。

近期洪水影響加重了供應問題,SMM維持此前觀點,即國內多晶硅因檢修及事故減停產造成供應短缺,在國內硅片擴產產能在下半年集中釋放、海外終端需求回升的背景下,多晶硅價格或將繼續大幅上漲。

多晶硅的分類及用途

中國是多晶硅第一大生產國及消費國,多晶硅作為電子工業和太陽能光伏產業的基礎材料,被廣泛應用于人工智能、自動控制、信息處理和光伏發電等領域,被稱為“微電子大廈的基石”

多晶硅分太陽能級和電子級兩大類,最本質的區別就是純度差異。

一般來說,太陽能級的純度要求為99.9999%~99.9999999%,即(6N到9N),而電子級多晶硅的純度要求則為99.9999999%~99.999999999%,即(9N到11N),電子級多晶硅的高純度要求相當苛刻, 如5000噸的電子級多晶硅中總的雜質含量僅相當于一枚1元硬幣的重量。

太陽能級多晶硅用于光伏發電,目前占世界光伏電池總量98%以上的硅光伏電池都是以多晶硅為核心原材料。

電子級多晶硅是最高純度等級的多晶硅產品,主要作為硅片及芯片等生產的原材料,是集成電路產業的核心關鍵基礎原料。

來源:中國半導體論壇

原文標題:關注 | 突發!2萬噸多晶硅產能緊急停產

文章出處:【微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 多晶硅
    +關注

    關注

    3

    文章

    248

    瀏覽量

    29640

原文標題:關注 | 突發!2萬噸多晶硅產能緊急停產

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質的來源

    本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質的來源、分布、存在形式以及降低雜質的方法。
    的頭像 發表于 04-15 10:27 ?271次閱讀
    <b class='flag-5'>多晶硅</b>鑄造工藝中碳和氮雜質的來源

    LPCVD方法在多晶硅制備中的優勢與挑戰

    本文圍繞單晶、多晶硅與非晶三種形態的結構特征、沉積技術及其工藝參數展開介紹,重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優勢與挑戰,并結合不同工藝條件對材料性能的影響,幫助讀者深入理解
    的頭像 發表于 04-09 16:19 ?420次閱讀
    LPCVD方法在<b class='flag-5'>多晶硅</b>制備中的優勢與挑戰

    芯片制造中的多晶硅介紹

    多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly)是由無數微小晶粒組成的非單晶材料。與單晶(如襯底)不同,
    的頭像 發表于 04-08 15:53 ?534次閱讀
    芯片制造中的<b class='flag-5'>多晶硅</b>介紹

    晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

    本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
    的頭像 發表于 04-02 09:22 ?410次閱讀
    晶體管柵極<b class='flag-5'>多晶硅</b>摻雜的原理和必要性

    多晶硅錠定向凝固生長方法

    鑄錠澆注法是較早出現的一種技術,該方法先將料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉機械將其注入模具內結晶凝固,最初主要用于生產等軸多晶硅。近年來,為提升多晶硅電池轉換效率,通過控制模具中熔體凝固過程的溫度,創造定向散熱條件,從而
    的頭像 發表于 03-13 14:41 ?348次閱讀

    單晶圓系統:多晶硅與氮化硅的沉積

    本文介紹了單晶圓系統:多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導體制造領域,單晶圓系統展現出獨特的工藝優勢,它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一,便是能夠實現臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
    的頭像 發表于 02-11 09:19 ?346次閱讀
    單晶圓系統:<b class='flag-5'>多晶硅</b>與氮化硅的沉積

    為什么采用多晶硅作為柵極材料

    本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
    的頭像 發表于 02-08 11:22 ?463次閱讀
    為什么采用<b class='flag-5'>多晶硅</b>作為柵極材料

    多晶硅的存儲條件是什么

    在全球積極推動清潔能源轉型的大背景下,太陽能光伏產業蓬勃發展,而多晶硅作為光伏產業鏈的關鍵起始原料,其質量和性能直接關系到整個光伏系統的發電效率和穩定性。因此,了解并嚴格把控多晶硅的存儲條件顯得尤為重要。
    的頭像 發表于 12-27 09:22 ?622次閱讀

    今日看點丨美國宣布提高中國太陽能硅片、多晶硅關稅50%;聯發科天璣 8400 芯片詳細參數曝光

    1. 美國宣布提高中國太陽能硅片、多晶硅關稅至50% 2025 年1 月1 日生效 ? 美國拜登政府周三(12月11日)宣布,增加對中國太陽能硅片和多晶硅、鎢產品的進口關稅,作為其保護本國清潔
    發表于 12-12 10:09 ?849次閱讀

    多晶硅生產過程中芯的作用

    ? ? ? ?多晶硅還原爐內,芯起著至關重要的作用。?? 在多晶硅的生長過程中,芯的表面會逐漸被新沉積的層所覆蓋,形成
    的頭像 發表于 11-14 11:27 ?655次閱讀

    多晶硅柵工藝的制造流程

    與亞微米工藝類似,多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極,柵極的作用是控制器件的關閉或者導通。淀積的多晶硅是未摻雜的,它是通過后續的源漏離子注入進行摻雜,PMOS 的柵是p型摻雜,NMOS 的柵是n型摻雜。
    的頭像 發表于 11-07 08:58 ?1321次閱讀
    <b class='flag-5'>多晶硅</b>柵工藝的制造流程

    光伏多晶硅的應用領域有哪些

    光伏多晶硅是太陽能光伏產業中的關鍵材料,它在太陽能電池的生產中扮演著重要角色。多晶硅太陽能電池因其成本相對較低、制造工藝成熟、穩定性好等特點,在光伏市場中占有重要地位。 1. 住宅和商業建筑 1.1
    的頭像 發表于 09-20 11:33 ?1095次閱讀

    光伏多晶硅的分片方法及優缺點

    光伏多晶硅是一種用于制造太陽能電池的材料,其分片過程是整塊的多晶硅切割成適合制造太陽能電池的小塊。這個過程對于提高太陽能電池的效率和降低成本至關重要。以下是一篇關于光伏多晶硅分片方法
    的頭像 發表于 09-20 11:26 ?889次閱讀

    多晶硅生產污水處理設備數據采集方案

    多晶硅作為一種關鍵的功能材料,在集成電路、晶體管、太陽能電池等領域發揮著重要作用。然而,多晶硅生產過程中需要使用大量的水,如冷卻水、清洗水、反應水等。這些水在使用后會被污染,需要進行處理以去除其中
    的頭像 發表于 09-02 13:35 ?344次閱讀
    <b class='flag-5'>多晶硅</b>生產污水處理設備數據采集方案

    多晶硅柵耗盡效應簡述

    當柵與襯底之間存在壓差時,它們之間存在電場,靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發生彎曲,并且電荷耗盡,從而形成多晶硅柵耗盡區。該耗盡區會在多晶硅柵與柵氧化層之間產生一個額外的串聯電容。當柵氧化層厚度減小到
    的頭像 發表于 08-02 09:14 ?4795次閱讀
    <b class='flag-5'>多晶硅</b>柵耗盡效應簡述