女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

射頻晶體管發(fā)射通道和接收通道的工作原理

lhl545545 ? 來(lái)源:與非網(wǎng) ? 作者:與非網(wǎng) ? 2020-08-13 10:55 ? 次閱讀

電磁波傳輸距離和發(fā)射功率成正比,射頻 PA 性能直接決定通訊距離、信號(hào)質(zhì)量和待機(jī)時(shí)間(或耗電量),根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)顯示,2017 年手機(jī)射頻前端中射頻 PA 市場(chǎng)規(guī)模約 50 億美元,在整個(gè)射頻前端中價(jià)值量占比 35%,僅次于濾波器,也是射頻前端價(jià)值量最高的單類(lèi)型芯片。

射頻前端核心器件—PA

射頻模塊是無(wú)線通信設(shè)備的核心模塊

無(wú)線通信主要是利用電磁波實(shí)現(xiàn)多個(gè)設(shè)備之間的信息傳輸。射頻是可以輻射到空間的電磁頻率,頻率范圍從 300KHz~300GHz 之間。射頻模塊是用于發(fā)射和 / 或接收兩個(gè)裝置之間的無(wú)線電信號(hào)的電子設(shè)備,是無(wú)線通信設(shè)備實(shí)現(xiàn)信號(hào)收發(fā)的核心模塊。

射頻晶體管發(fā)射通道和接收通道的工作原理

射頻前端架構(gòu)基本類(lèi)似

射頻前端包括接收通道和發(fā)射通道兩大部分。一般由射頻開(kāi)關(guān)(Switch)、射頻低噪聲放大器(LNA,Low Noise Amplifier)、射頻功率放大器(PA,Power Amplifier)、雙工器(Duplexers)、射頻濾波器(Filter)、天線調(diào)諧器(Antenna tuners) 等組成。

射頻晶體管發(fā)射通道和接收通道的工作原理

發(fā)射通道和接收通道工作原理

發(fā)射通道是使用基帶信號(hào)(語(yǔ)音、視頻、數(shù)據(jù)或其他信息)去調(diào)制中頻正弦波信號(hào),然后中頻信號(hào)再通過(guò)混頻器往上搬移到所需的射頻發(fā)射頻率,通過(guò)功率放大器來(lái)增加發(fā)射機(jī)的輸出功率并驅(qū)動(dòng)天線將已調(diào)制好的載波信號(hào)變換成能夠在自由空間傳播的電磁波。

射頻晶體管發(fā)射通道和接收通道的工作原理

接收通道是發(fā)射通道的逆過(guò)程,天線將在相對(duì)寬的頻率范圍內(nèi)接收到來(lái)自很多輻射源的電磁波,帶通濾波器將濾掉不需要的接收信號(hào),隨后低噪聲放大器放大可能接 收的微弱信號(hào)并使進(jìn)入到接收信號(hào)中的噪聲影響最小化,混頻器將接收到的射頻信號(hào) 下變頻到較低的頻率,中頻放大器將提升信號(hào)的功率電平 以便于協(xié)調(diào)并得到信息。

射頻 PA 是決定通信質(zhì)量的關(guān)鍵器件

功率放大器是能夠向天線提供足夠信號(hào)功率的放大電路主要功能是將調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的功率很小的射頻信號(hào)放大(緩沖級(jí)、中間放大級(jí)、末級(jí)功率放大級(jí))并饋送到天線上輻射出去,是無(wú)線通信設(shè)備射頻前端最核心的組成部分,其性能直接決定了無(wú)線終端的通訊距離、信號(hào)質(zhì)量和待機(jī)時(shí)間(或耗電量),它也是射頻前端功耗最大的器件。

射頻功率放大器在雷達(dá)、無(wú)線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通信、電子對(duì)抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用,是現(xiàn)代無(wú)線通信的關(guān)鍵設(shè)備。

PA 也是射頻前端器件中價(jià)值量較大的器件

手機(jī)目前仍然是射頻前端最大的終端應(yīng)用市場(chǎng),在所有射頻前端器件中,射頻 PA 的價(jià)值量?jī)H次于濾波器,是射頻前端器件中價(jià)值量較大的器件。根據(jù) Yole 的數(shù)據(jù)顯示,2017 年手機(jī)射頻前端中射頻 PA 市場(chǎng)規(guī)模約 50 億美元,在整個(gè)射頻前端中價(jià)值量占比 34%,僅次于濾波器。

射頻 PA 的核心是晶體管

放大器的電路一般由晶體管、偏置及穩(wěn)定電路、輸入輸出匹配電路等組成。功率放大器核心是利用三極管的電流控制作用或場(chǎng)效應(yīng)管的電壓控制作用將電源的功率轉(zhuǎn)換成按照輸入信號(hào)變化的電流,起到電流電壓放大的作用。

晶體管作為射頻放大器的核心器件,它通過(guò)用小信號(hào)來(lái)控制直流電源,產(chǎn)生隨之變化的高功率信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)將電源的直流功率轉(zhuǎn)換成為滿(mǎn)足輻射要求的功率信號(hào)。

工程應(yīng)用方面,提升 PA 性能的方法大多依賴(lài)工藝,以手機(jī)射頻 PA 為例,目前主流工藝是采用第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵,由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展出的工藝技術(shù)(如 CMOS、SOI 和 SiGe 工藝)在無(wú)線通信技術(shù)發(fā)展過(guò)程中遇到瓶頸,通過(guò)設(shè)計(jì)來(lái)彌補(bǔ)工藝的不足難度很大,因此在整體的射頻 PA 器件設(shè)計(jì)生產(chǎn)過(guò)程中工藝是基礎(chǔ)。

射頻晶體管發(fā)展出多種材料工藝

射頻半導(dǎo)體主要經(jīng)歷了由第一代半導(dǎo)體到第三代半導(dǎo)體的三個(gè)階段的發(fā)展,其制造工藝結(jié)構(gòu)也經(jīng)歷了由基礎(chǔ)的 BJT、FET 向更復(fù)雜的 HBT、LDMOS 和 HEMT 等的發(fā)展。

不同材料的性能及成本差別較大

BJT 用電流控制,F(xiàn)ET 屬于電壓控制。HBT 具有功率密度高、相位噪聲低、線性度好等特點(diǎn),GaAs HBT 是目前手機(jī)射頻 PA 主流工藝。硅基 LDMOS 器件被廣泛用于基站的射頻 PA 中。HEMT 是 FET 的一種,近幾年 GaN HEMT 憑借其良好的高頻特性吸引了大量關(guān)注。

不同應(yīng)用場(chǎng)景所需 PA 的性能指標(biāo)不同

按照應(yīng)用場(chǎng)景分為大功率(基站等)和小功率(手機(jī)等)。基站 PA 的應(yīng)用指標(biāo)在于其高功率和高效率,而手機(jī) PA 的應(yīng)用指標(biāo)則在于高線性度、低功耗和高效率。

不同應(yīng)用場(chǎng)景下射頻 PA 的競(jìng)爭(zhēng)格局

基站射頻 PA 主要供應(yīng)商有 Freescale、NXP、Infineon 等。2015 年,NXP 以約 118 億美元的價(jià)格并購(gòu) Freescale 后將 NXP 自身的射頻功率晶體管業(yè)務(wù)剝離賣(mài)給了北京建廣資本,這部分剝離的業(yè)務(wù)后來(lái)成立了 Ampleon(安譜隆)。

手機(jī)射頻 PA 主要供應(yīng)商有 Skyworks、Broadcom(Avago)、Qorvo 等。

不同材料工藝的 PA 產(chǎn)業(yè)分工略有不同

普通硅工藝集成電路和砷化鎵 / 氮化鎵等化合物集成電路芯片生產(chǎn)流程大致類(lèi)似,但與硅工藝不同的是化合物半導(dǎo)體制程由于外延過(guò)程復(fù)雜,所以形成了單獨(dú)的磊晶產(chǎn)業(yè)。

磊晶是指一種用于半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中,在原有芯片上長(zhǎng)出新結(jié)晶以制成新半導(dǎo)體層的技術(shù),又稱(chēng)外延生長(zhǎng)。

由于與 Si 材料性能差異較大,化合物晶圓制造中設(shè)備及工藝與硅有極大的不同,所以化合物半導(dǎo)體擁有自己獨(dú)立的全套產(chǎn)業(yè)鏈。

射頻 PA 產(chǎn)業(yè)同時(shí)存在兩種商業(yè)模式

射頻 PA 產(chǎn)業(yè)同時(shí)有 IDM(Integrated Device Manufacture,垂直整合制造)模式和 Fabless 模式。

IDM 模式是指垂直整合制造商獨(dú)自完成集成電路設(shè)計(jì)、晶圓制造、封測(cè)的所有環(huán)節(jié)。該模式為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展較早期最為常見(jiàn)的模式,但由于對(duì)技術(shù)和資金實(shí)力均有很高的要求,因此目前只為少數(shù)大型企業(yè)所采納,歷史成熟廠商 Skyworks、Qorvo、Broadcom 等均采用 IDM 模式。

在 Fabless 模式下,集成電路設(shè)計(jì)、晶圓制造、封測(cè)分別由專(zhuān)業(yè)化的公司分工完成, 此模式中主要參與的企業(yè)類(lèi)型有芯片設(shè)計(jì)廠商、晶圓制造商、外包封測(cè)企業(yè)。隨著技術(shù)的成熟和代工能力的興起,代工模式占比也將提升,以手機(jī)射頻 PA 為例,中國(guó)臺(tái)灣廠商 穩(wěn)懋已經(jīng)是砷化鎵射頻工藝非常成熟的代工廠。新晉廠商高通、卓勝微等優(yōu)選 Fabless,主攻 IC 設(shè)計(jì),制造封測(cè)需求外部合作。

射頻 PA 市場(chǎng),到 2035 年 5G 將拉動(dòng) 12 萬(wàn)億美元的經(jīng)濟(jì)活動(dòng)

HIS 發(fā)布的報(bào)告《5G 經(jīng)濟(jì):5G 技術(shù)將如何助力全球經(jīng)濟(jì)》預(yù)測(cè),未來(lái) 5G 技術(shù)將給全球經(jīng)濟(jì)帶來(lái) 12 萬(wàn)億美元的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng),而 2020-2035 年間 5G 技術(shù)帶來(lái)的全球 GDP 增長(zhǎng)量相當(dāng)于一個(gè)印度的 GDP。到 2035 年,5G 價(jià)值鏈本身將創(chuàng)造 3.5 萬(wàn)億美元經(jīng)濟(jì)產(chǎn)出,同時(shí)創(chuàng)造 2200 萬(wàn)個(gè)工作崗位,其中中國(guó)總產(chǎn)出 9840 億美元,就業(yè)機(jī)會(huì) 950 萬(wàn)個(gè),居全球首位。

5G 應(yīng)用場(chǎng)景

5G 關(guān)鍵技術(shù)

5G 新增高頻頻段

5G 新增頻段主要?jiǎng)澐譃?sub-6GHz 和毫米波,sub-6GHz 的全球主流頻段主要包 n1/n3/n8/n20/n28/n41/n77/n78/n79 等,國(guó)內(nèi) 5G 網(wǎng)絡(luò)的頻段主要是中國(guó)電信(3400MHz-3500MHz)和中國(guó)聯(lián)通(3500MHz-3600MHz)使用的 n78 頻段、中國(guó)移動(dòng)使用的 n41(2515MHz-2675MHz)和 n79(4800MHz-4900MHz)頻段。除 n41 頻段靠近 4G 頻段外,n78、n79 頻段相對(duì)比 4G 頻段屬于更高的頻譜。

5G 具有更大的帶寬

4G 走向 5G 時(shí)另一個(gè)重大的變化是手機(jī)必須支持更大的帶寬,提高帶寬是實(shí)現(xiàn)以全新 5G 頻段為目標(biāo)的更高數(shù)據(jù)速率的關(guān)鍵。LTE 頻段不高于 3GHz,單載波帶寬僅為 20MHz,到了 5G 時(shí)代,F(xiàn)R1 的信道 / 單載波帶寬高達(dá) 100MHz,F(xiàn)R2 的單載波帶寬高達(dá) 400MHz。

中國(guó)電信、中國(guó)聯(lián)通的 5G 頻段 n78 帶寬分別為 100MHz;中國(guó)移動(dòng) n79 頻段帶寬為 100MHz,n41 頻段帶寬高達(dá) 160MHz。

智能手機(jī)市場(chǎng)規(guī)模大,5G 將刺激換機(jī)

Yole 數(shù)據(jù)顯示,2018 年全球智能手機(jī)銷(xiāo)售額 4220 億美元(約合 3 萬(wàn)億元人民幣),以出貨量 14 億部計(jì)算,智能手機(jī)平均售價(jià)達(dá)到 301 美元(約合 2000 元人民幣)。

愛(ài)立信數(shù)據(jù)顯示,2018 年全球智能手機(jī)存量 50 億部,預(yù)計(jì)到 2024 年全球智能手機(jī)存量將達(dá)到 72 億部。

2018、2019 全球智能手機(jī)出貨量同比均出現(xiàn)下滑,我們判斷主要原因是智能手機(jī)階段性創(chuàng)新乏力、性能過(guò)剩導(dǎo)致的換機(jī)周期拉長(zhǎng),手機(jī)市場(chǎng)急需新動(dòng)力。5G 將有望刺激消費(fèi)者換機(jī),為市場(chǎng)增長(zhǎng)注入動(dòng)力。

5G 全網(wǎng)通手機(jī)至少要新增 3 大頻段

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Strategy Analytics 近日發(fā)布的最新報(bào)告稱(chēng),全球 5G 手機(jī)需求 2020 年一季度大漲,其今年首季出貨量,超過(guò)去年的 1870 萬(wàn)臺(tái)至 2410 萬(wàn)臺(tái)。

2018 年 12 月中國(guó)三大運(yùn)營(yíng)商獲得 n41、n78、n79 三個(gè)頻段;

工信部規(guī)定手機(jī)滿(mǎn)足攜號(hào)轉(zhuǎn)網(wǎng),實(shí)現(xiàn)全網(wǎng)通功能,新的 5G 手機(jī)不僅要向下兼容 2G、3G、4G,也要兼容 5G 全部頻段。

4G 時(shí)代的 1T2R,1 路發(fā)射、2 路接收

典型的 4G 手機(jī)需要支持約 40 個(gè)頻段,如 B1、B3、B5、B8、B38、B41 等,每個(gè)頻段都需要有 1 路發(fā)射和 2 路接收。發(fā)射通路上需要濾波器、功率放大器、開(kāi)關(guān)等,接收通路需要開(kāi)關(guān)、低噪放、濾波器等器件。

部分頻段的射頻前端可以共用

在 4G LTE 頻段劃分中,有部分頻率相近或重合的頻段,可以形成射頻前端器件共用,業(yè)界通常將 4G 頻段劃分為低頻(698~960Mhz)、中頻(1710~2200MHz)和高頻(2400~3800MHz),對(duì)應(yīng)射頻前端器件可以形成低頻模組、中頻模組和高頻模組。

5G 新增頻段,且 SA 模式要求 2T4R

歸根結(jié)底,由于 5G 增加了新頻段,支持新頻段就需要增加配套的射頻前端芯片。簡(jiǎn)化來(lái)看,射頻發(fā)射通路主要是 PA 和濾波器,接收通路主要是 LNA 和濾波器,其他如射頻開(kāi)關(guān)、RFIC、電阻電容、電感均為核心芯片的配套。

手機(jī)射頻 PA 單機(jī)用量大幅增加

新增一個(gè)頻段將會(huì)增加 2 顆 PA 的使用量,新增三個(gè)頻段大概增加 6 顆左右的 PA 芯片,4G 多模多頻手機(jī)需要 5-7 顆 PA,預(yù)測(cè) 5G 多模多頻手機(jī)內(nèi)的 PA 芯片最多或?qū)⑦_(dá)到 16 顆。

射頻 PA 市場(chǎng)增長(zhǎng)穩(wěn)定

根據(jù) QYR Electronics Research 數(shù)據(jù),2011-2018 年,全球射頻功率放大器的市場(chǎng)規(guī)模從 25.33 億美元增長(zhǎng)至 31.05 億美元,年均復(fù)合增長(zhǎng)率 2.95%;預(yù)計(jì)至 2023 年,市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 35.71 億美元。PA 市場(chǎng)整體增速較其他射頻前端芯片增速低,主要是因?yàn)楦叨?4G 和 5G PA 市場(chǎng)將保持增長(zhǎng),但是 2G/3G PA 市場(chǎng)將會(huì)逐步衰退。

手機(jī)射頻 PA 模組市場(chǎng)有望超百億美元

由于射頻前端模塊化是大勢(shì)所趨,且射頻 PA 是主動(dòng)元器件,是射頻前端功耗最大的器件,決定了手機(jī)通信質(zhì)量,因此射頻 PA 廠商往往主導(dǎo)了 PA 模組的市場(chǎng)。

根據(jù) Yole Development 的統(tǒng)計(jì)與預(yù)測(cè),2018 年射頻前端市場(chǎng)為 150 億美元,并將以 8%的年均復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng),到 2025 年有望達(dá)到 258 億美元。其中,功率放大器模組市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì) 104 億美元,接收模組預(yù)計(jì) 29 億美元,WiFi 連接模組預(yù)計(jì) 31 億美元,天線模組預(yù)計(jì) 13 億美元,分立濾波器及雙工器等預(yù)計(jì) 51 億美元,分立射頻低噪聲放大器及普通開(kāi)關(guān)預(yù)計(jì) 17 億美元,天線調(diào)諧開(kāi)關(guān)預(yù)計(jì) 12 億美元。

理論上 5G 基站覆蓋范圍低于 4G 基站

基站電磁波的自由空間損耗可以從 Friis Transmission Equation(弗林斯傳輸方程)得到電磁波波長(zhǎng)與傳輸距離成正比,也即是電磁波頻率與傳輸距離成反比。理論上,當(dāng)其他條件相同時(shí),頻率越高基站覆蓋范圍越小,也即是 5G 基站覆蓋范圍理論上低于 4G 基站。

通過(guò)采用 3D MIMO 技術(shù)提升天線增益以提升下行覆蓋和下行用戶(hù)體驗(yàn),使得下行覆蓋可以接近 4G,不過(guò)考慮到終端(手機(jī)等)功率限制,上行鏈路是擴(kuò)大覆蓋的瓶頸。

GIV 預(yù)測(cè) 2025 年全球?qū)⒂?650 萬(wàn)個(gè) 5G 基站

中國(guó)基站建設(shè)數(shù)量全球領(lǐng)先

2019 年,全國(guó)凈增移動(dòng)電話(huà)基站 174 萬(wàn)個(gè),總數(shù)達(dá) 841 萬(wàn)個(gè),其中 4G 基站總數(shù)達(dá)到 544 萬(wàn)個(gè)。中國(guó) 4G 的基站數(shù)量占到全球 4G 基站數(shù)量的一半以上。

中國(guó) 5G 基站建設(shè)在全球占比有望延續(xù) 4G 的格局。根據(jù)賽迪顧問(wèn)的數(shù)據(jù)顯示,到 2020 年底,全球 5G 商用網(wǎng)絡(luò)將從 2019 年的 60 個(gè)增至 170 個(gè),基站會(huì)從 2019 年的 50 萬(wàn)個(gè)增長(zhǎng)到 150 萬(wàn)個(gè),全球 5G 用戶(hù)預(yù)計(jì)將會(huì)從 1000 多萬(wàn)增至 2.5 億,而中國(guó)將占全球整個(gè) 5G 基站建設(shè)的 50%以上,在用戶(hù)的發(fā)展數(shù)量上占世界的 70%以上。

宏基站單站 PA 使用量大幅度提升

根據(jù)《中國(guó)聯(lián)通 5G 基站設(shè)備技術(shù)白皮書(shū)》,對(duì)于 6GHz 以下頻段,AAU 設(shè)備主要包括 64T64R、32T32R、16T16R 三種類(lèi)型,這三種類(lèi)型設(shè)備主要區(qū)別在于設(shè)備收發(fā)通道數(shù)的差異。相對(duì)比 4G 基站采用 4T4R 方案,收發(fā)通道數(shù)大幅度增加,每一個(gè)收發(fā)通道對(duì)應(yīng)一個(gè)射頻單元,5G 宏基站單站射頻 PA 使用量對(duì)比 4G 基站有大幅度提升。

基站射頻市場(chǎng)未來(lái)幾年有望翻番

由于基站建設(shè)呈現(xiàn)一定的周期性,因此基站射頻市場(chǎng)也相應(yīng)的呈現(xiàn)一定的周期性。根據(jù)賽迪顧問(wèn)的數(shù)據(jù)顯示,中國(guó)基站射頻市場(chǎng)規(guī)模有望從 2020 年的不到 50 億元增長(zhǎng)到 2023 年的超過(guò) 110 億元,整體市場(chǎng)份額增長(zhǎng)超過(guò)一倍,之后每年的市場(chǎng)份額將逐年下降。

5G 時(shí)代室內(nèi)流量占比高達(dá) 80%

5G 技術(shù)將廣泛用于智慧家庭、遠(yuǎn)程醫(yī)療、遠(yuǎn)程教育、工業(yè)制造和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,具體包括千兆級(jí)移動(dòng)寬帶數(shù)據(jù)接入、3D 視頻、高清視頻、云服務(wù)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)、虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)、工業(yè)制造自動(dòng)化、緊急救援、自動(dòng)駕駛、現(xiàn)代物流等典型業(yè)務(wù)應(yīng)用。其中,高清視頻、AR、VR、遠(yuǎn)程醫(yī)療、工業(yè)制造自動(dòng)化、現(xiàn)代物流管理等主要發(fā)生在建筑物室內(nèi)場(chǎng)景。

2019 中國(guó)無(wú)線電大會(huì)上,中國(guó)鐵塔通信技術(shù)研究院無(wú)線技術(shù)總監(jiān)鄒勇發(fā)表演講表示,相比 4G 時(shí)代的 70%,5G 時(shí)代室內(nèi)流量占比高達(dá) 80%,包括語(yǔ)音、ARVR 等應(yīng)用,對(duì)網(wǎng)絡(luò)時(shí)延提出了更高要求。而 5G 的頻段非常高,傳播損耗、穿透損耗都很大,難以從室外傳到室內(nèi)。因此解決室內(nèi)信號(hào)覆蓋是 5G 時(shí)代需要重點(diǎn)解決和發(fā)展的一個(gè)方向。

小基站預(yù)計(jì)將迎來(lái)發(fā)展時(shí)機(jī)

4T4R 以上的室內(nèi)數(shù)字化分布基站有望得到部署。

根據(jù)工信部通信科技委常務(wù)副主任韋樂(lè)平在 2019 中國(guó)光網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)上的預(yù)測(cè) 2021 到 2027 年國(guó)內(nèi)將建設(shè)數(shù)千萬(wàn)級(jí)小基站。

Wi-Fi 網(wǎng)絡(luò)建立了分布式連接架構(gòu)

Wi-Fi 全稱(chēng)為 wireless fidelity,在無(wú)線局域網(wǎng)的范疇是指“無(wú)線相容性認(rèn)證”,實(shí)質(zhì)上是一種商業(yè)認(rèn)證,同時(shí)也是一種無(wú)線聯(lián)網(wǎng)的技術(shù)。Wi-Fi 主要定位成小范圍、熱點(diǎn)式的覆蓋,工作在 2.4GHz 或 5GHz 兩個(gè)未授權(quán)頻段。Wi-Fi 標(biāo)準(zhǔn)由 IEEE 標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)制定。

Wi-Fi 網(wǎng)絡(luò)建立了分布式連接架構(gòu),使 Wi-Fi 能承載絕大部分無(wú)線流量,并在住宅內(nèi)、建筑物內(nèi)、設(shè)備密集的室外區(qū)域等提供寬帶連接。

Wi-Fi 已成為當(dāng)今世界無(wú)處不在的技術(shù),為數(shù)十億設(shè)備提供連接,也是越來(lái)越多的用戶(hù)上網(wǎng)接入的首選方式,并且有逐步取代有線接入的趨勢(shì)。

Wi-Fi 技術(shù)不斷發(fā)展以滿(mǎn)足更多需求

隨著視頻會(huì)議、無(wú)線互動(dòng) VR、移動(dòng)教學(xué)等業(yè)務(wù)應(yīng)用越來(lái)越豐富,Wi-Fi 接入終端越來(lái)越多,IoT 的發(fā)展更是帶來(lái)了更多的移動(dòng)終端接入無(wú)線網(wǎng)絡(luò),甚至以前接入終端較少的家庭 Wi-Fi 網(wǎng)絡(luò)也將隨著越來(lái)越多的智能家居設(shè)備的接入而變得擁擠。因此 Wi-Fi 網(wǎng)絡(luò)仍需要不斷提升速度,同時(shí)還需要考慮是否能接入更多的終端,適應(yīng)不斷擴(kuò)大的客戶(hù)端設(shè)備數(shù)量以及不同應(yīng)用的用戶(hù)體驗(yàn)需求。

為適應(yīng)新的業(yè)務(wù)應(yīng)用和減小與有線網(wǎng)絡(luò)帶寬的差距 , 每一代 802.11 的標(biāo)準(zhǔn)都在大幅度的提升其速率。

Wi-Fi 6 性能全面提升

Wi-Fi 6 是新一代 802.11 ax 標(biāo)準(zhǔn)的簡(jiǎn)稱(chēng),核心技術(shù)包括 OFDMA 頻分復(fù)用技術(shù)、DL/UL MU MIMO 技術(shù)、更高階的調(diào)制技術(shù) (1024 QAM)、空分復(fù)用技術(shù) SR BSS Coloring 著色機(jī)制、擴(kuò)展覆蓋范圍(ER)等,支持 2.4 GHz 頻段,具有目標(biāo)喚醒時(shí)間(TWT)功能。Wi-Fi 6 連接數(shù)翻倍,傳輸速率最高可達(dá) 9.6Gbps,低時(shí)延,更低功耗。于 2019 年 Q3 正式開(kāi)啟認(rèn)證計(jì)劃。

802.11ax 設(shè)計(jì)之初就是為了適用于高密度無(wú)線接入和高容量無(wú)線業(yè)務(wù),比如室外大型公共場(chǎng)所、高密場(chǎng)館、室內(nèi)高密無(wú)線辦公、電子教室等場(chǎng)景。根據(jù)預(yù)測(cè),到 2020 年全球移動(dòng)視頻流量將占移動(dòng)數(shù)據(jù)流量的 50%以上,其中有 80%以上的移動(dòng)流量將會(huì)通過(guò) Wi-Fi 承載。

Wi-Fi 6 滲透率持續(xù)提升

IDC 在 3 月 4 日發(fā)布《2019 年第三季中國(guó) WLAN 市場(chǎng)季度追蹤報(bào)告》顯示,WLAN 市場(chǎng)整體規(guī)模仍處平穩(wěn)增長(zhǎng)趨勢(shì),其中 Wi-Fi 6 在去年第三季開(kāi)始從一些主流廠商陸續(xù)登場(chǎng),首次登場(chǎng)的 Wi-Fi 6 產(chǎn)品在去年第三季便有 470 萬(wàn)美元的銷(xiāo)售規(guī)模。IDC 預(yù)計(jì),今年 Wi-Fi 6 將在無(wú)線市場(chǎng)中大放異彩,僅在中國(guó)市場(chǎng)的規(guī)模就將接近 2 億美元。IDC 預(yù)測(cè)國(guó)內(nèi)到 2023 年 Wi-Fi 市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò) 12 億美元,Wi-Fi 6 將在未來(lái)幾年快速滲透。
責(zé)任編輯:pj

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 射頻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    106

    文章

    5726

    瀏覽量

    169724
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    9978

    瀏覽量

    140643
  • 5G
    5G
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1360

    文章

    48728

    瀏覽量

    570209
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    BJT晶體管工作原理

    BJT(Bipolar Junction Transistor)是雙極結(jié)型晶體管的縮寫(xiě),是一種三端有源器件,通過(guò)控制基區(qū)電流來(lái)控制集電區(qū)電流,從而實(shí)現(xiàn)電流的放大、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)等功能。BJT的工作原理
    的頭像 發(fā)表于 12-31 16:11 ?2825次閱讀

    晶體管工作狀態(tài)的分類(lèi)與分析

    區(qū)(Active Region) 在放大區(qū),晶體管工作狀態(tài)允許電流在集電極和發(fā)射極之間流動(dòng),同時(shí)基極電流對(duì)集電極電流有控制作
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:47 ?1531次閱讀

    雪崩晶體管的定義和工作原理

    雪崩晶體管(Avalanche Transistor)是一種具有特殊工作特性的晶體管,其核心在于其能夠在特定條件下展現(xiàn)出雪崩倍增效應(yīng)。以下是對(duì)雪崩晶體管的定義、
    的頭像 發(fā)表于 09-23 18:03 ?1868次閱讀

    單結(jié)晶體管工作原理和伏安特性

    單結(jié)晶體管(Unipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)UJT),又稱(chēng)基極二極或單晶二極,是一種具有獨(dú)特工作原理和伏安特性的半導(dǎo)體器件。以下將詳細(xì)闡述單結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 09-23 17:29 ?3134次閱讀
    單結(jié)<b class='flag-5'>晶體管</b>的<b class='flag-5'>工作原理</b>和伏安特性

    晶體管的基本工作模式

    晶體管作為電子電路中的核心元件,其基本工作模式對(duì)于理解其工作原理和應(yīng)用至關(guān)重要。晶體管工作模式主要可以分為兩大類(lèi):放大模式和開(kāi)關(guān)模式。這兩
    的頭像 發(fā)表于 09-13 16:40 ?1698次閱讀

    鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理

    鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種基于鐵電材料的新型晶體管技術(shù),其工作原理涉及到鐵電材料的極化反轉(zhuǎn)特性及其對(duì)半導(dǎo)體通道電流的調(diào)控。
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:14 ?2833次閱讀

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類(lèi)型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMO
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?7332次閱讀

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區(qū)別

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:09 ?3638次閱讀

    c類(lèi)放大器晶體管耐壓多少

    NPN和PNP兩種類(lèi)型。晶體管有三個(gè)引腳:集電極(Collector)、發(fā)射極(Emitter)和基極(Base)。晶體管工作原理是利用基極電流控制集電極電流,實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大。 1.
    的頭像 發(fā)表于 08-01 14:45 ?666次閱讀

    晶體管處于放大狀態(tài)的條件是什么

    晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。它具有三個(gè)主要的引腳:基極(B)、發(fā)射極(E)和集電極(C)。晶體管工作原理是通過(guò)控制基極和發(fā)射
    的頭像 發(fā)表于 07-18 18:15 ?2543次閱讀

    晶體管放大飽和截止怎么判斷

    主要由兩個(gè)PN結(jié)組成,分別為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。晶體管的三個(gè)主要引腳為基極(B)、發(fā)射極(E)和集電極(C)。晶體管工作原理可以概括為:通過(guò)控
    的頭像 發(fā)表于 07-18 15:32 ?2729次閱讀

    晶體管電流的關(guān)系有哪些類(lèi)型 晶體管的類(lèi)型

    和設(shè)計(jì)電子電路具有重要意義。 晶體管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 晶體管主要由三層半導(dǎo)體材料組成,分別為發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collector)。根據(jù)半導(dǎo)體材料
    的頭像 發(fā)表于 07-09 18:22 ?2497次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>電流的關(guān)系有哪些類(lèi)型 <b class='flag-5'>晶體管</b>的類(lèi)型

    什么是光電晶體管?光電晶體管工作原理和結(jié)構(gòu)

    光電晶體管是具有三個(gè)端子(發(fā)射極、基極和集電極)或兩個(gè)端子(發(fā)射極和集電極)的半導(dǎo)體器件,并具有光敏基極區(qū)域。雖然所有晶體管都對(duì)光敏感,但光電晶體管
    的頭像 發(fā)表于 07-01 18:13 ?3754次閱讀
    什么是光電<b class='flag-5'>晶體管</b>?光電<b class='flag-5'>晶體管</b>的<b class='flag-5'>工作原理</b>和結(jié)構(gòu)

    什么是NPN晶體管?NPN晶體管工作原理和結(jié)構(gòu)

    NPN晶體管是最常用的雙極結(jié)型晶體管,通過(guò)將P型半導(dǎo)體夾在兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間而構(gòu)成。 NPN 晶體管具有三個(gè)端子:集電極、發(fā)射極和基極。 NPN晶體
    的頭像 發(fā)表于 07-01 18:02 ?8985次閱讀
    什么是NPN<b class='flag-5'>晶體管</b>?NPN<b class='flag-5'>晶體管</b>的<b class='flag-5'>工作原理</b>和結(jié)構(gòu)

    PLC晶體管輸出的工作原理

    控制信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)外部設(shè)備。其中,晶體管輸出是PLC輸出方式的一種,其原理和特點(diǎn)對(duì)于理解和應(yīng)用PLC具有重要意義。本文將詳細(xì)闡述PLC晶體管輸出的原理,包括其定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用以及與其他輸出方式的比較。
    的頭像 發(fā)表于 06-14 16:58 ?3032次閱讀