碳化硅功率器件以其優(yōu)異的高耐壓、低損耗、高導熱率等優(yōu)異性能,被普遍認為是替代硅基功率器件最理想的新型半導體器件。在即將于2020 年 7 月 3- 5 日在國家會展中心(上海)召開的2020慕尼黑上海電子展上,富士通就為現(xiàn)場觀眾帶來多款SiC產(chǎn)品及解決方案。
由于材料限制,傳統(tǒng)硅基功率器件在許多方面已逼近甚至達到了其材料的本征極限,如電壓阻斷能力、正向?qū)▔航怠⑵骷_關速度等,尤其在高頻和高功率領域更顯示出其局限性。而相比硅,碳化硅在用電效率上能提升兩到三個百分點,可靠性更高,而且器件的體積重量更小,在無線通信、汽車電子、電網(wǎng)、高鐵、衛(wèi)星通信、軍工雷達、航空航天等領域應用中具備硅基無法比擬的優(yōu)勢。
泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(簡稱:GPT)是中國碳化硅(SIC) 功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導者之一,國內(nèi)首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商,生產(chǎn)碳化硅裸芯片(常規(guī)和雙面銀),碳化硅二極管,碳化硅MOS管,碳化硅橋堆等。
Ta=215℃的7000V1A和9000V1A SiC方案的線圈體積重量更小二極管模組
用于機車牽引混合模塊的3300V50A芯片
其生產(chǎn)的碳化硅肖特基二極管目前主要分為650V/1200V/1700V/3300V四個電壓等級,其中有針對普通應用場合的650V/1200V電壓等級產(chǎn)品,以及針對于高壓應用領域的1700V/3300V電壓等級產(chǎn)品。
泰科天潤產(chǎn)品封裝表
目前泰科天潤650V/1200V電壓等級的產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應用于光伏、通信、電動汽車等應用領域,此外公司的高電壓的1700V/3300V電壓等級產(chǎn)品也同樣成熟,1700V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品型號齊全,也是同行中極少數(shù)可以批量供貨3300V碳化硅產(chǎn)品的功率半導體器件廠商。
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原文標題:SiC前景火爆,國產(chǎn)功率器件廠商能否搶占市場先機?
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