據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,中國知名電子企業(yè)中國電子科技集團有限公司近日取得重大技術(shù)突破,其自主研發(fā)的高能離子注入機已成功實現(xiàn)百萬電子伏特高能離子加速,其性能達(dá)國際主流先進水平。
據(jù)悉,目前國內(nèi)僅有少數(shù)幾家擁有自主研發(fā)離子注入機器的集團或企業(yè),中國電科有中科院背景,實力超級強大。
據(jù)筆者了解到,離子注入機是高壓小型加速器中的一種,應(yīng)用數(shù)量最多。它是由離子源得到所需要的離子,經(jīng)過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流,用做半導(dǎo)體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入,還用于金屬材料表面改性和制膜等。
作為芯片生產(chǎn)過程中不可或缺的設(shè)備,離子注入機很貴,切大部分依賴進口,如今的極技術(shù)突破具有非凡的意義。中國電科旗下電科裝備離子注入機總監(jiān)張叢表示,電科裝備將在年底前推出首臺高能離子注入機,實現(xiàn)中國芯片制造領(lǐng)域全系列離子注入機自主創(chuàng)新發(fā)展,并將為全球芯片制造企業(yè)提供離子注入機成套解決方案。
作為電子產(chǎn)業(yè)的重要機構(gòu),中國電科總是能承擔(dān)重任,如北斗相關(guān)芯片研發(fā)也有它的身影。中電科通信子集團54所和國基北方子集團13所承擔(dān)天通一號移動通信系統(tǒng)終端核心芯片組的技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研制工作。高性能的終端芯片組是制約衛(wèi)星通信系統(tǒng)建設(shè)、行業(yè)應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)化的主要因素。“我們基于自研,集成設(shè)計了基帶、射頻和功放核心芯片,擴展了功能,形成了包括硬件、平臺、驅(qū)動、應(yīng)用等在內(nèi)的完整的終端解決方案。”本次技術(shù)突破,再次增強中國芯片研發(fā)和崛起的信心。
據(jù)悉,中國電子科技集團有限公司成立于2002年3月1日,成立18年多,是以原信息產(chǎn)業(yè)部直屬電子研究院所和高科技企業(yè)為基礎(chǔ)、組建而成的國有大型企業(yè)集團,也是國家批準(zhǔn)的國有資產(chǎn)授權(quán)投資機構(gòu)之一,由國務(wù)院國有資產(chǎn)監(jiān)督管理委員會直接監(jiān)管。主要從事國家重要軍民用大型電子信息系統(tǒng)的工程建設(shè),重大裝備、通信與電子設(shè)備、軟件和關(guān)鍵元器件的研究。
-
加速器
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
823瀏覽量
38879 -
離子
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
102瀏覽量
17223
發(fā)布評論請先 登錄
東土科技牽手沙特投資部 鴻道駛?cè)胫袞|千億級市場
光谷企業(yè)際上導(dǎo)航移動激光雷達(dá)掃描技術(shù)取得重大突破

托卡馬克裝置:探索可控核聚變的前沿利器
離子注入工藝中的重要參數(shù)和監(jiān)控手段

佳恩半導(dǎo)體IGBT項目科技成果達(dá)到國際先進水平
離子注入的目的及退火過程
一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)介紹

CET中電技術(shù)電能質(zhì)量相關(guān)科技成果獲國際領(lǐng)先、國際先進認(rèn)定

華光光電一項科技成果達(dá)到國際先進水平
SiC的離子注入工藝及其注意事項
源漏離子注入工藝的制造流程

國產(chǎn)在線測徑儀為什么能達(dá)到先進水平?
廣東人仁康一項技術(shù)通過國家科技成果評價達(dá)到國際先進水平

評論