隨時產品智能化和便捷程度要求越來越高，對所有電子元器件的體積也就要求越來越小，當產品變小后，產品本身的指標也會跟著發生變化，對于石英晶振來說，體積變小，某些關鍵參數也會發生趨勢性變化，變化隨之也會帶來使用上的問題，某些變化可以通過設備的升級得以改善甚至變得更好，比如常溫頻差，采用最先進的自動化生產線，就會比老舊的設備合格率更好，頻率一致更棒。但是也有些參數，比如由于體積變小，要用制造小尺寸的壓控晶體振蕩器，基本上就不能實現，因為晶片變小了，晶體的頻率牽引度就變小了，調頻范圍就達不到設計要求，產品就不實用；還有就是某些指標因體積變小了，其值發生了變化，對晶振的使用就提出了不一樣的要求，該電路在大尺寸的晶振時可以使用，改換為小尺寸晶振，晶振卻不工作了，比如晶振的等效阻抗R，相同頻點的晶體，晶體尺寸越小，電阻值就越大，所以就對電路的使用提出了新的要求。下面我們來重點分析當晶振阻抗增大后都可以采取何種措施。

如將晶體單元的諧振狀態置換成電氣電路，可以得到如圖所示的晶體振蕩單元的等效電路，R值相當于等效電路中的R1，通常將晶體振蕩單元小型化時，R值會變大，這時，晶體振蕩單元的CI值對振蕩電路的影響及對策如下文所述：

當R值較大時起振或停止電壓會變高，會出現即使增加電壓也難以起振，電壓稍下降振蕩就會變得不穩定或者停止振蕩的現象。而且R值是晶體振蕩單元單體中的諧振頻率的等效阻抗，對振蕩的不穩定或不振蕩產生影響的、決定振蕩裕度的重要參數之一。

解決辦法 ：

首先，需要確保衡量振蕩電路能否穩定振蕩的尺度（振蕩裕度）在5倍以上。這項振蕩裕度可用上圖的振蕩電路的負阻抗除以晶體振蕩單元的等效串聯阻抗（R）的最大值來表示。

當振蕩裕度不足時，將出現如上所述的延遲起振時間或起振電壓變高的故障。而且，當振蕩裕度明顯不足時，振蕩將陷入不穩定或不起振的狀態。

為了提高振蕩裕度，以下幾種方法較為有效：

1. 增加振蕩電路電流。此方法改善負阻抗的方法較為有效，根據下圖所示的振蕩電路部分功耗與負阻抗之間的關系，可使用增加振蕩部電流的方法來解決，但這種方法存在增加耗電量的缺點。

2. 使用CI值較小的石英晶體也可以改善振蕩裕度，但如上所述，通常晶體振蕩單元的小型化將使R值變大，如果挑選使用，勢必會增加使用成本。

3. 通常負阻抗還跟振蕩電路的匹配電容相關，匹配電容越大，電路負阻抗越小，所以如果能減小匹配電容的可以改善問題的話，首先是降低外圍電路的匹配電容，否則就只能采用前面兩種方法。

綜上所述，石英晶體的小型化，推動了智能穿戴等便捷式產品的發展，同時也對晶振本身和產品的使用提出了更高的要求。