（文章來源：儀器網）

晶體管是一種固體半導體器件(包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件)，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關不同，晶體管利用電信號來控制自身的開合，所以開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。

摩爾定律預測當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，每個新的芯片大體上包含其前任兩倍的容量，每個芯片產生的時間都是在前一個芯片產生后的18~24個月內，如果這個趨勢繼續，計算能力相對于時間周期將呈指數式的上升。

中國科學院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心科研人員與國內外多家單位合作，制備出以單層極限二維材料作為半導體溝道的鰭式場效應晶體管，同時成功制備出鰭式場效應晶體管陣列。引入碳納米管替代傳統金屬作為柵極材料，結果顯示該材料比傳統金屬柵具有更好的包覆性，可以有效提高器件性能。該研究工作為后摩爾時代的場效應晶體管器件的發展提供了新方案。

是指場效應晶體管中源區和漏區之間的一薄半導體層。溝道是半導體中由于外加電場引起的沿長度方向的導電層。如MOS結構中當施加外部電場時在半導體表面形成的積累層及反型層。在場效應晶體管中，源區和漏區之間有一薄半導體層，電流在其中流動受柵極電勢的控制。溝道寬度是表征集成電路集成度的重要標志。商品集成電路中場效應晶體管的溝道寬度已小到0.25微米，每個芯片上包含了7億多個晶體管。

源自于傳統標準的晶體管—場效應晶體管 的一項創新設計，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。鰭式場效應晶體管命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的柵長。傳統晶體管結構中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構。

在鰭式場效應晶體管的架構中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構，可于電路的兩側控制電路的接通與斷開。這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流，也可以大幅縮短晶體管的柵長。具有近似的寄生電阻、寄生電容，從而在電路水平上可以提供相似的功率性能。
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