國內最大的晶圓代工廠中芯國際昨晚發布了2019年報,營收31.16億美元,公司擁有人應占利潤為2.347億美元,同比增長75%。
中芯國際還提到14nm工藝在去年底量產,并貢獻了1%的營收。先進工藝正是中芯國際今年發展的重點,目前公司已經開發了14/12nm多種特色工藝平臺。
量產的14nm工藝已經可以滿足國內95%的芯片生產,根據之前的消息,中芯國際的14nm產能年底將達到15K晶圓/月,之后就不會大幅增長了,重點會轉向下一代工藝——N+1及N+2代FinFET工藝。
之前中芯國際聯席CEO梁孟松博士首次公開了中芯國際N+1、N+2代工藝的情況,透露N+1工藝相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%,SoC面積縮小55%,之后的N+2工藝性能和成本都更高一些。
外界認為中芯國際的N+1代工藝相當于臺積電的7nm工藝,不過中芯國際隨后澄清說,N+1是中芯國際的內部代號,并不等于7nm。
根據這個信息,N+1工藝跟業界公認的7nm工藝主要差距是性能,20%的性能增幅不如業界的35%性能提升,但其他指標差別不大。
在最新的年報會議上,中芯國際表示N+1工藝的研發進程穩定,已進入客戶導入及產品認證階段。之前該公司表示去年底試產了N+1工藝,今年底會有限量產N+1工藝。
總之,即便中芯國際的N+1工藝在性能上還有一定差距,但是國產的7nm級工藝今年底就會問世了,這依然是一件大事。
責任編輯:gt
-
臺積電
+關注
關注
44文章
5740瀏覽量
168991 -
晶圓
+關注
關注
52文章
5125瀏覽量
129185
發布評論請先 登錄
TPS2410 0.8V 至 16.5V 1.2A IQ 290uA Igate 源 N+1 和 OR-ing 電源軌控制器數據手冊

TPS2419 0.8V 至 16.5V、1.2A IQ、291uA Igate 源 N+1 和帶啟用的 OR-ing 電源軌控制器數據手冊

BK350-800S32G1N6 BK350-800S32G1N6

VD150-48S24N1A VD150-48S24N1A

WD100-110S24N1 WD100-110S24N1

WD150-110S24N1 WD150-110S24N1

FN1-15D12B3N FN1-15D12B3N

MHMF012L1U2-MINAS A6N系列 介紹 松下

DLPC3478使用External Pattern Mode如何解決并行口第N次輸入的數據將在N+1次時輸出造成的第1次輸出圖像不能指定的問題?
英特爾18A與臺積電N2工藝各有千秋
MHMF092L1D2M-MINAS A6N系列 介紹 松下

MHMF092L1D2-MINAS A6N系列 介紹 松下

N+1熱插拔電源模塊并聯均流系統設計與實現

評論