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TPS2419 0.8V 至 16.5V、1.2A IQ、291uA Igate 源 N+1 和帶啟用的 OR-ing 電源軌控制器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-13 16:19 ? 次閱讀

TPS2419控制器與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用,以 MOSFET 的效率提供 ORing 二極管的反向電流保護。TPS2419 可用于將多個電源組合到 N+1 配置的公共總線上,或組合冗余輸入電源總線。
*附件:tps2419.pdf

TPS2419 的應(yīng)用范圍廣泛,包括服務(wù)器和電信。這些應(yīng)用通常具有 N+1 冗余電源和/或冗余電源總線。冗余電源必須具有相當于二極管的 OR,以防止在故障和熱插拔期間出現(xiàn)反向電流。

精確的電壓感應(yīng)和可編程的關(guān)斷閾值允許針對各種實施和總線特性進行定制作。TPS2419 引出一個使能引腳,允許系統(tǒng)在輕負載、高噪聲條件下強制關(guān)閉 MOSFET。

特性

  • 用于 N+1 和 ORing 的控制外部 FET
  • 控制 3 V 至 16.5 V 的總線
  • 外部使能
  • N 溝道 MOSFET 控制
  • 快速器件關(guān)斷功能保護總線完整性
  • 可編程關(guān)斷閾值
  • 軟開啟可減少總線瞬變
  • 工業(yè)溫度范圍:–40°C 至 85°C
  • 8 引腳 TSSOP 和 SOIC 封裝
  • 應(yīng)用
    • N+1 電源
    • 服務(wù)器刀片
    • 電信系統(tǒng)
    • 高可用性電源模塊

參數(shù)
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方框圖

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1. 概述

TPS2419 是一款用于 N+1 和 ORing 電源軌控制的集成電路,它結(jié)合外部 N 通道 MOSFET,實現(xiàn)了類似 ORing 二極管的反向電流保護功能,同時提供了更高的效率。該芯片適用于多種系統(tǒng),包括服務(wù)器和電信系統(tǒng),其中常采用 N+1 冗余電源或冗余電源總線配置。

2. 主要特性

  • ?控制外部 FET?:用于 N+1 和 ORing 配置。
  • ?電壓范圍?:支持 3V 至 16.5V 的電壓范圍。
  • ?外部使能?:通過使能引腳,系統(tǒng)可以在輕載或高噪聲條件下強制關(guān)閉 MOSFET。
  • ?可編程關(guān)斷閾值?:允許根據(jù)系統(tǒng)需求定制關(guān)斷閾值。
  • ?軟啟動?:減少總線瞬態(tài)。
  • ?工業(yè)溫度范圍?:支持 -40°C 至 85°C 的工作溫度范圍。

3. 封裝與引腳

  • ?封裝?:提供 8 引腳 TSSOP 和 SOIC 封裝。
  • ?引腳功能?:包括使能引腳(EN)、模擬電壓輸入(A、C)、柵極驅(qū)動輸出(GATE)、旁路電容引腳(BYP)、RSET 編程引腳等。

4. 電氣特性

  • ?開啟電壓?:典型值為 65mV。
  • ?關(guān)斷閾值?:可通過 RSET 引腳編程,實現(xiàn)可編程的快速關(guān)斷閾值范圍。
  • ?柵極驅(qū)動?:提供高達 1.75A 的柵極下拉電流,以及 290μA 的柵極源電流。
  • ?熱關(guān)斷?:在結(jié)溫達到 135°C 時觸發(fā),具有 10°C 的熱滯回特性。

5. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • ?服務(wù)器刀片?
  • ?電信系統(tǒng)?
  • ?高可用性電源模塊?
  • ?N+1 電源供應(yīng)?
  • ?輸入電源總線 ORing?

6. 功能框圖

TPS2419 的功能框圖展示了其內(nèi)部電荷泵、偏置電壓、控制邏輯、電壓監(jiān)測、關(guān)斷比較器以及柵極驅(qū)動電路等關(guān)鍵組成部分。

7. 典型應(yīng)用

  • ?N+1 電源供應(yīng)?:通過并聯(lián)多個電源供應(yīng),提高系統(tǒng)容量和冗余性。
  • ?輸入電源總線 ORing?:將冗余總線 ORing 到一個公共點,提高系統(tǒng)可靠性。

8. 系統(tǒng)設(shè)計與噪聲問題

  • ?關(guān)斷閾值設(shè)置?:建議使用負關(guān)斷閾值,以減少對總線噪聲的敏感度。
  • ?MOSFET 選擇?:根據(jù)電壓額定值、電壓降、功耗、尺寸和成本進行選擇。
  • ?布局考慮?:建議將 TPS2419、MOSFET 及相關(guān)組件放置在接地平面上,并保持短而寬的接地連接。

9. 設(shè)計步驟

  1. ?保持 A 和 C 引腳的噪聲電壓和阻抗低?。
  2. ?選擇 2200pF 的 BYP 旁路電容?。
  3. ?根據(jù)電壓降、功耗、電壓額定值和柵極電容選擇 MOSFET?。
  4. ?根據(jù)所選 MOSFET 和反向電流考慮選擇 RSET?。
  5. ?確保 RSVD 引腳接地?。
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