(文章來(lái)源:Science鋒芒)
芯片的研究是非常受大家關(guān)注的,而且在這一研究領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)是非常激烈的,我國(guó)實(shí)現(xiàn)了14納米的大面積量產(chǎn),關(guān)于7納米芯片現(xiàn)在也有了突破性的技術(shù),而由于和其他國(guó)家的合作,也讓我國(guó)在芯片制造技術(shù)上有了更強(qiáng)的一些實(shí)力推動(dòng)。
能夠在這方面取得這樣的發(fā)展是非常不容易的,畢竟芯片領(lǐng)域一直是每個(gè)國(guó)家封鎖的技術(shù),想要有一些更好的提升,就只能通過(guò)不懈的努力,或者是能夠和其他國(guó)家達(dá)成合作。
而我國(guó)的芯片制造公司現(xiàn)在有實(shí)力的應(yīng)該算是臺(tái)積電和中芯集團(tuán),這兩家公司在芯片制造領(lǐng)域都有著比較好的發(fā)展!臺(tái)積電作為我國(guó)的國(guó)企在一些技術(shù)突破上,也是有能力支撐的,而中芯集團(tuán)由于有其他國(guó)家的光刻機(jī)入住現(xiàn)在的生產(chǎn)實(shí)力是非常強(qiáng)勁的。
這兩家公司現(xiàn)在都致力于關(guān)于7納米芯片的一些技術(shù)突破,想要努力讓其實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),而中芯集團(tuán)在n+1以及n+1的芯片制造技術(shù)也讓這樣的日程隨之提升!
除開這些之外,我國(guó)中科院還帶來(lái)了一個(gè)好消息,據(jù)了解2納米的芯片技術(shù),我國(guó)將會(huì)在2024年完全的突破,這給我國(guó)的芯片發(fā)展領(lǐng)域增強(qiáng)的更多的信心以及實(shí)力。在很早之前芯片技術(shù)的發(fā)展是由西方國(guó)家完全壟斷的,而隨著我國(guó)制造技藝的不斷提升,以及整體水平上的提升,現(xiàn)在也有了在這方面的能力!
雖然不能說(shuō)是最好,但是技術(shù)也是不差,并且在科研人員的不斷努力之下,也有了很多方面的突破,關(guān)于2納米芯片技術(shù)的研究,我們也是在一直進(jìn)行著的。然而這一技術(shù)受限制不僅關(guān)乎于光刻機(jī)的入駐,也在一些技能上有所提升,這一技術(shù)中芯集團(tuán)通過(guò)n+1和n+2的基礎(chǔ)技術(shù)上就有了一些啟發(fā)性的影響,相信都會(huì)也會(huì)是很快的實(shí)現(xiàn)2納米芯片技術(shù)的提升。
目前全國(guó)范圍內(nèi)看來(lái)還是比較不可能的,所以關(guān)于這項(xiàng)技術(shù)的突破,也獲得了很多的專利,而除開這些之外我國(guó)在芯片技術(shù)上的發(fā)展也有著很多專利的獲得。
(責(zé)任編輯:fqj)
-
芯片技術(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
162瀏覽量
18004 -
工業(yè)制造
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
419瀏覽量
28320
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
滾珠導(dǎo)軌:電子制造“納米級(jí)”精度的運(yùn)動(dòng)基石

芯片制造“鍍”金術(shù):化學(xué)鍍技術(shù)的前沿突破與未來(lái)藍(lán)圖

芯片制造中的鎢栓塞與銅互連

電機(jī)系統(tǒng)節(jié)能關(guān)鍵技術(shù)及展望
納米技術(shù)的發(fā)展歷程和制造方法

芯片制造中薄膜厚度量測(cè)的重要性

名單公布!【書籍評(píng)測(cè)活動(dòng)NO.57】芯片通識(shí)課:一本書讀懂芯片技術(shù)
Rapidus攜手博通推進(jìn)2納米芯片量產(chǎn)
FIB技術(shù):芯片失效分析的關(guān)鍵工具

紫光同芯亮相SAECCE 2024汽車芯片關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用論壇
Bumping工藝升級(jí),PVD濺射技術(shù)成關(guān)鍵推手

新思科技發(fā)布1.6納米背面布線技術(shù),助力萬(wàn)億晶體管芯片發(fā)展
中國(guó)芯片制造關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破,預(yù)計(jì)一年內(nèi)實(shí)現(xiàn)應(yīng)用落地
SK海力士開發(fā)出第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM
納米級(jí)材料尺寸測(cè)量:從微觀到宏觀,納米精度,中圖智造

評(píng)論