因為疫情影響，各大手機品牌紛紛開展線上發(fā)布會，5G手機大戰(zhàn)已然開啟，與此同時UFS 3.1閃存也成了熱門，近日vivo發(fā)布了旗下性能最強的SA＆NSA雙模5G旗艦手機iQOO 3 5G版，就首發(fā)了UFS 3.1閃存，調試信息顯示芯片顆粒來自三星。據了解，鎧俠及西部數據在UFS 3.1閃存也有最新進展。

西數發(fā)布UFS 3.1閃存：寫速可達800MB/s

近日，西數宣布推出符合JEDEC最新規(guī)范的UFS 3.1閃存，品名iNAND MC EU521 。

西數將這款新型UFS 3.1閃存視作專為5G手機、平板等準備，可為游戲、AR/VR、機器學習、人工智能等場景加速。

根據JEDEC文檔，相較于UFS 3.0，UFS 3.1的主要提升在于更高的寫入性能、更低的功耗及更穩(wěn)定的性能管理。為達成寫入加速，西數引入了第六代SmartSLC緩存技術，寫速最高可達800MB/s，媲美5G網絡實際下載速度，而且即便容量滿載也不會掉速。

雖然沒有公布存儲顆粒類型，但西數表示成本效益高，看來TLC的可能性大。

暫時還不清楚哪款手機或平板會搭載西數iNAND MC EU521 UFS 3.1閃存芯片。

鎧俠宣布出樣UFS 3.1閃存：最大1TB、寫速是UFS 3.0兩到三倍

鎧俠（KIOXIA，原東芝存儲）近日宣布開始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片。

新閃存基于東芝BiCS 3D存儲技術打造，設計容量包括128GB、256GB、512GB和1TB，比西數EU521豐富，主控和閃存都按照規(guī)范要求封裝在11.5 x 13mm的尺寸之內。

關于性能，鎧俠未給出具體數據，但表示寫速是UFS 3.0的2~3倍，連續(xù)讀速比UFS 3.0提升30%，引入HPB改善隨機讀取性能，睡眠模式下功耗更低，溫度過高時可主動降低性能避免損壞元件。

鎧俠指出，東芝是最早在2013年推出UFS的廠商，去年也是第一波提供UFS 3.0產品的企業(yè)。

相較于UFS3.0，UFS3.1的理論速度依然為23.2Gbps，但引入三個新特性，包括寫入增強器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)和性能調整通知(Performance Throttling Notification)，以及支持UFS主機性能增強器(HPB，Host Performance Booster)擴展。Write Booster帶來最大程度的順序寫入速度提升，HPB能夠進一步提升長時間使用后的隨機讀取性能。

分析顯示，小米10 Pro的閃存配置為UFS3.0+Turbo Write ，Realme X50 Pro 的閃存配置為UFS3.0+Turbo Write+ HPB，均較標準版UFS3.0有所升級，與UFS3.1標準基本一致。

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