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中芯國際7nm工藝Q4季度問世:性能提升20% 功耗降低57%

21克888 ? 來源:電子發燒友整合 ? 作者:Norris ? 2020-02-28 09:49 ? 次閱讀


中芯國際公司已經實現90%以上的復工率,各條生產線、研發線實現100%運行,產能預計于一季度實現滿載。

關于中芯國際集成電路制造有限公司,是世界領先的集成電路芯片代工企業之一,也是中國內地規模最大、技術最先進的集成電路芯片制造企業。主要業務是根據客戶本身或第三者的集成電路設計為客戶制造集成電路芯片。中芯國際是純商業性集成電路代工廠,提供 0.35微米到28納米制程工藝設計和制造服務。榮獲《半導體國際》雜志頒發的"2003年度最佳半導體廠"獎項。

一場疫情,讓2020年開年與以往很是不同。新冠肺炎下,我們開啟了既要滿足每日生活、工作所需,同時還要兼顧疫情防控的“無接觸式”生活模式,隨之而來的是每個人生活場景的巨大變化,以及各行業生產模式的改變。

受疫情影響餐飲、零售等消費類行業波及嚴重,但集成電路制造企業要確保全年365天*24小時工廠不間斷生產。在疫情期間,中芯國際人力資源部門陸續出臺假期調整、延期返崗、外地返崗員工14天隔離措施以及防疫期間薪酬保障等政策,并提倡各部門實行臨時輪班,減少會議、避免聚集。春節期間,生產線上的工作人員采取四班二輪的輪崗制度繼續生產,研發部門采取各級值班制度,輔助部門維持部分后勤保安和餐廳廠商在崗,保證了廠研發與運營的持續進行。

臺積電、三星今年就要量產5nm工藝了,國內的先進工藝還在追趕,最大的晶圓代工廠中芯國際去年底量產了14nm工藝,帶來了1%的營收,收入769萬美元,不過該工藝技術已經可以滿足國內95%的需求了。
14nm及改進型的12nm工藝是中芯國際第一代FinFET工藝,他們還在研發更先進的N+1括N+2 FinFET工藝,分別相當于7nm工藝的低功耗、高性能版本。

根據中芯國際聯席CEO梁孟松博士所示,N+1工藝和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%。

N+1之后還會有N+2,這兩種工藝在功耗上表現差不多,區別在于性能及成本,N+2顯然是面向高性能的,成本也會增加。

至于備受關注的EUV光刻機,梁孟松表示在當前的環境下,N+1、N+2代工藝都不會使用EUV工藝,等到設備就緒之后,N+2工藝可能會有幾層光罩使用EUV,之后的工藝才會大規模轉向EUV光刻工藝。

從梁孟松的解釋來看,中芯國際的7nm工藝發展跟臺積電的路線差不多,7nm節點一共發展了三種工藝,分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7+,前兩代工藝也沒用EUV光刻機,只有N7+工藝上才開始用EUV工藝,不過光罩層數也比較少,5nm節點寸是充分利用EUV光刻工藝的,達到了14層EUV光罩。


現在最關鍵的是中芯國際的7nm何時量產,最新消息稱中芯國際的N+1 FinFET工藝已經有客戶導入了(不過沒公布客戶名單),今年Q4季度小規模生產——這個消息比之前的爆料要好一些,進度更快。

為了加快先進工藝產能,中芯國際今年的資本開支將達到31億美元(該公司一年營收也不過30億美元上下),其中20億美元用于中芯國際的上海12英寸晶圓廠,5億美元用于北京12英寸晶圓廠。


本文由電子發燒友綜合報道,參考自快科技TechWeb等,轉載請注明以上來源。

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