圖：三星華城半導體工廠。圖片來源/三星電子

2020年1月1日消息，三星半導體工廠停電，導致部分存儲器半導體生產線停止工作。

據三星電子1日報道，周二下午1:30，電源線在華城變電站爆裂，在京畿道華城的三星華城半導體工廠停電約1分鐘。

由于這次事故，三星電子停止了其位于韓國華城芯片工廠的部分DRAM和NAND閃存芯片生產線。據悉，三星電子的11、12和13三條生產線被關閉了大約一分鐘。第11條產線制造存儲器，但是目前正在切換以生產圖像傳感器。第12條產線生產2D NAND閃存，而第13條產線生產20nm以上的DRAM。

預計損失將小于三星平澤半導體工廠在2018年的損失。在平澤半導體工廠停電期間，三星電子因處置晶圓和原始NAND閃存產品而受到500億韓元（約合3億人民幣）的損失。

三星電子尚未就停電問題做出正式回應，但預計最多可能需要三天時間才能完全恢復。此外，由于為停電做準備的應急發電機將立即啟動，因此損害預計將少于平澤停電事故。

同時，自2000年以來，三星半導體工廠的停電事故已達到7次。