圖片來源：聯(lián)電

12月2日，中國(guó)***半導(dǎo)體代工廠聯(lián)電（UMC）宣布，在首次成功使用硅技術(shù)之后，其22nm制程技術(shù)已準(zhǔn)備就緒。

該公司稱，全球面積最小、使用22nm制程技術(shù)的USB 2.0通過硅驗(yàn)證，證明了聯(lián)電22納米工藝的穩(wěn)健性。

新的芯片設(shè)計(jì)可使用22nm設(shè)計(jì)準(zhǔn)則或遵循28nm到22nm的轉(zhuǎn)換流程（Porting Methodology），無需更改現(xiàn)有的28nm設(shè)計(jì)架構(gòu)，因此客戶可放心地使用新的芯片設(shè)計(jì)或直接從28nm移轉(zhuǎn)到更先進(jìn)的22nm制程。

聯(lián)電知識(shí)產(chǎn)權(quán)開發(fā)與設(shè)計(jì)支持部總監(jiān)陳永輝表示：“由于聯(lián)電致力于提供世界領(lǐng)先的代工專業(yè)技術(shù)，公司繼續(xù)推出新的專業(yè)工藝產(chǎn)品，以服務(wù)于快速增長(zhǎng)的5G，物聯(lián)網(wǎng)和無線市場(chǎng)。汽車IC。我們很高興能為代工客戶提供22nm工藝，因?yàn)槲覀円呀弑M全力確保該技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)性能，面積和易于設(shè)計(jì)。”

聯(lián)電的22nm制程與原本的28nm高介電系數(shù)/金屬柵極制程縮減10％的晶粒面積、擁有更佳的功率效能比，以及強(qiáng)化射頻性能等特點(diǎn)。另外也提供了與28nm制程技術(shù)相容的設(shè)計(jì)規(guī)則和相同的光罩?jǐn)?shù)的22nm超低功耗 （22uLP）版本，以及22nm超低泄漏 （22uLL）版本。此22uLP和22uLL所形成的超級(jí)組合，可支援1.0V至0.6V的電壓，協(xié)助客戶在系統(tǒng)單芯片（SoC）設(shè)計(jì)中同時(shí)享有兩種技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。

22nm制程平臺(tái)擁有基礎(chǔ)元件IP支援，為市場(chǎng)上各種半導(dǎo)體應(yīng)用，包括消費(fèi)性電子的機(jī)上盒、數(shù)位電視、監(jiān)視器、電源或漏電敏感的物聯(lián)網(wǎng)芯片（附帶藍(lán)牙或WiFi）和需要較長(zhǎng)電池壽命可穿戴式產(chǎn)品的理想選擇。