
ML51DB9AE 為內(nèi)建 Flash 的增強(qiáng)型 1T 8051 內(nèi)核微控制器,正常運(yùn)行模式典型功耗可達(dá) 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可達(dá) 24 MHz,并內(nèi)建 38.4 kHz 低速內(nèi)部振蕩器,支持寬電壓工作范圍 1.8 V 至 5.5 V 工作溫度: - 40 ℃ 至 105 ℃。
ML51DB9AE 包含 16 K 字節(jié)的 Flash 以及一個(gè)額外 1 K 字節(jié)片上輔助 RAM(XRAM), 備有豐富的外設(shè),如 11 個(gè)通用 I/O、2 組串口、1 組 ISO-7816 界面、2 組 I2C 與 1 組 SPI,并提供 TSSOP14 封裝。
目標(biāo)應(yīng)用:
穿戴式裝置、智能搖控器、互聯(lián)網(wǎng)端點(diǎn)設(shè)備、智能家居、煙感偵測裝置、電池裝置等。
關(guān)鍵特性:
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CPU |
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全靜態(tài) 8 位 1T 8051 內(nèi)核 CMOS 微控制器 |
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指令集全兼容 MCS-51 |
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4 級優(yōu)先級中斷配置 |
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雙數(shù)據(jù)指針 (DPTRs) |
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工作條件 |
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寬電壓工作范圍 1.8 V 至 5.5 V |
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寬工作頻率最高至 24 MHz |
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工業(yè)級工作溫度 - 40 ℃至 + 105 ℃ |
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低功耗特性 |
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正常運(yùn)行模式典型功耗 80 uA/ MHz |
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低功耗運(yùn)行模式典型功耗 15 uA |
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低功耗空閑模式功耗不超過 13 uA |
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掉電模式典型功耗小于 1 uA |
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掉電模式下喚醒時(shí)間為 10 us (HIRC運(yùn)行) |
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內(nèi)存 |
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16 K 字節(jié) APROM, 用于使用者代碼 |
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可配置 4K/3K/2K/1K 字節(jié) LDROM, 用于啟動(dòng)系統(tǒng)程序設(shè)計(jì)(ISP)代碼 |
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APROM中應(yīng)用編程(IAP)內(nèi)存 128 字節(jié)每頁累加 |
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Flash 內(nèi)存 100,000 次擦寫壽命 |
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代碼安全加密 |
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256 字節(jié)片上 RAM |
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額外 1 K字節(jié)片上輔助 RAM (XRAM) ,通過 MOVX 指令訪問 |
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時(shí)鐘源 |
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24 MHz 高速內(nèi)部振蕩器 (HIRC) ± 1 %精度等級 (25 °C, 3.3 V) 全工作條件范圍下精度 ±5 % 精度等級 |
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38.4 kHz低速內(nèi)部振蕩器 (LIRC) ± 1 %精度等級 (25 °C, 3.3 V) , 全工作條件范圍下精度 ± 10 % 精度等級 |
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外置 4 ~ 24 MHz (HXT)晶振輸入為精密定時(shí)操作 |
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外置 32.768 kHz (LXT)晶振輸入 |
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運(yùn)行中可通過軟件對時(shí)鐘源切 |
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可編程系統(tǒng)時(shí)鐘分頻器從1/2, 1/4, 1/6, 1/8…, 最高到 1/512 |
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外設(shè) |
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11 個(gè)通用輸入輸出引腳。所有輸出引腳具有獨(dú)立的2級電平轉(zhuǎn)換速率控制 |
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8 通道 GPIO 中斷,具備邊緣/電平檢測,全部 11 個(gè) GPIO 均可配置為輸入源之一 |
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標(biāo)準(zhǔn)中斷引腳 INT0 和 INT1 兼容標(biāo)準(zhǔn) 8051 |
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兩組 16 位定時(shí)/計(jì)數(shù)器 0 和 1 兼容標(biāo)準(zhǔn) 8051 |
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一組 16 位定時(shí)器 2 帶 3 通道輸入捕獲模塊 |
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一組16位自動(dòng)重載定時(shí)器 3 |
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一組可程序設(shè)計(jì)看門狗定時(shí)器 (WDT) |
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一組專用的自喚醒定時(shí)器 (WKT) |
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兩組全雙工串口 |
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一組智能卡接口支持 ISO7816-3 |
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一組SPI端口支持主機(jī)和從機(jī)模式,當(dāng)系統(tǒng)時(shí)鐘為 24 MHz 時(shí)傳輸速率高達(dá) 6 Mbps |
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兩組 I2C 總線支持主機(jī)和從機(jī)模式,數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá) 400 kpbs |
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6 * 16 - bit 組,12 通道脈寬調(diào)制器(PWM)輸出,高達(dá) 16 位分辨率 |
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一組 12 位 ADC,當(dāng) VDD 大于 2.5 V 轉(zhuǎn)換速率高達(dá) 500 Ksps |
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電源監(jiān)視器 |
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欠壓檢測 (BOD) 可用于低功耗模式,7 個(gè)級別可選,可配置中斷或復(fù)位 |
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上電復(fù)位 (POR) |
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低電壓復(fù)位 (LVR) |
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強(qiáng)效ESD及EFT能力 |
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ESD HBM 通過 8 kV |
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EFT > ± 4.4 kV |
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閂鎖測試通過 150 mA |
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開發(fā)工具 |
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Nuvoton Nu-Link 基于 KEILTM 和 IAR 開發(fā)環(huán)境 |
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Nuvoton 電路編程 (Nu-Link) |
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Nuvoton 在系統(tǒng)編程 (ISP) 通過 UART |
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規(guī)格數(shù)據(jù)
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