10月21日，SK海力士宣布開發適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。

這款實現了單一芯片標準內業界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產的存儲量也是現存的DRAM內最大。于第二代1Y產品相比，該產品的生產效率提高了27%，并且可以在不適用超高價的EUV（極紫外光刻）曝光工藝的情況下進行生產，結果具有成本競爭力。

該款1Z納米 DRAM還穩定支持最高3200Mbps的數據傳輸速率，這是DDR4規格內最高速度。 功耗也顯著提高，與基于第二代8Gb產品的相同容量模組相比，將功耗降低了約40％。

特別是，第三代產品適用前一代生產工藝中從來沒使用過的新材料，將DRAM操作的關鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化。此外，還引進了新的設計技術，提高了動作穩定性。

DRAM 1Z 開發事業TF長 李廷燻表示：“第三代10納米級DDR4 DRAM擁有業界最高水平的容量和速度， 再加上功耗， 是最適合于購買高性能/高容量DRAM的客戶需求變化。計劃年內完成批量生產，從明年開始正式供應， 積極應對市場需求?！?/p>

另一方面，SK海力士計劃對于下一代移動DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多種應用領域擴大適用第三代10納米級微細工程技術。