今后的高細密線寬/間距將由0．20mm-O．13mm-0.08mm—0.005mm，才能滿足SMT和多芯片封裝（Multichip Package，MCP）要求。因此要求采用如下技術。

①采用薄或超薄銅箔（《18um）基材和精細表面處理技術。

②采用較薄干膜和濕法貼膜工藝，薄而質量好的干膜可減少線寬失真和缺陷。濕法貼膜可填滿小的氣隙，增加界面附著力，提高導線完整性和精度。

③采用電沉積光致抗蝕膜（Electro—deposited Photoresist，ED）。其厚度可控制在5～30／um范圍，可生產更完美的精細導線，對于狹小環寬、無環寬和全板電鍍尤為適用，目前全球已有十多條ED生產線。http://www.pcbinf.com

④采用平行光曝光技術。由于平行光曝光可克服“點”光源的各向斜射光線帶來線寬變幅等的影響，因而可得線寬尺寸精確和邊緣光潔的精細導線。但平行曝光設備昂貴，投資高，并要求在高潔凈度的環境下工作。

⑤采用自動光學檢測技術（Automatic Optic Inspection，AOI）。此技術已成為精細導線生產中檢測的必備手段，正得到迅速推廣應用和發展。

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