三星在發(fā)現(xiàn)FD-SOI工藝的優(yōu)勢后迅速進入FD-SOI代工領(lǐng)域（這跟我們本土某些代工廠游移不定，瞻前顧后形成鮮明對比），在獲得了ST Micro的28納米FD-SOI工藝許可后，利用它創(chuàng)建了三星的28納米FDS工藝，28 FDS于2015年投入生產(chǎn)，目前正在大批量生產(chǎn)17種產(chǎn)品。在上屆論壇上，三星沒有公布未來藍圖計劃，讓業(yè)界懷疑它在FD-SOI工藝上處于觀望， 不過，今年的論壇上，三星高級副總裁Gitae Jeong公布了三星18FDS更多細節(jié)，讓業(yè)界信心大振，我看到很多業(yè)者都露出了會心的微笑。

Gitae Jeong表示，現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)界正在向第四次革命邁進，在第四次產(chǎn)業(yè)革命中，F(xiàn)D-SOI可以扮演著至關(guān)重要的作用。首先對于IoT系統(tǒng)來說，年復(fù)合增長率將達20%以上，包括處理器、傳感及連接都有對低功耗和低價格的需求。他表示未來IoT芯片將是多IP組成的單芯片，包括eMRAM、邏輯以及射頻等組成存儲、處理及連接等系統(tǒng)，以實現(xiàn)最低功耗和最小封裝尺寸。

基于這樣的發(fā)展趨勢，三星電子制定了長期的FD-SOI工藝發(fā)展計劃，這是三星電子在FD-SOI工藝的規(guī)劃！

在工藝發(fā)展上，三星采取的是穩(wěn)扎穩(wěn)打的節(jié)奏，目前第一階段是針對物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，主打28LPP+eFlash+RF，第二階段是28FDS+eMRAM+RF，它將是28nm最具競爭力的產(chǎn)品，相比較28LPP，速度提升25%。到明年初，三星18FDS將會正式問世，相比28FDS，速度進一步提升20%，同時面積減少35%。到了2020年，RF/eMRAM結(jié)合的產(chǎn)品將會大規(guī)模問世。

Gitae Jeong特別強調(diào)了28FDS目前已經(jīng)實現(xiàn)了95%的良率！在射頻方面優(yōu)勢明顯，28FDS可以覆蓋毫米波28GHZ，38GHZ 到70-85GHZ范圍產(chǎn)品，而且第一代5G毫米波蜂窩射頻產(chǎn)品（28GHZ收發(fā)器）就是在28FDS上驗證的，他舉例說某客戶前一代 產(chǎn)品采用40nm工藝，改用28FDS后，射頻功耗下降了76%，處理器功耗下降了65%！

他特別強調(diào)了三星代工廠的SAFE（Samsung Advanced Foundry Ecosystem）生態(tài)系統(tǒng)，這是一個多方協(xié)作的，用于友好的生態(tài)系統(tǒng)，通過和不同的IP、EDA、設(shè)計服務(wù)公司合作，提供基礎(chǔ)庫，目前已擁有眾多經(jīng)過驗證的IP平臺。

Gitae Jeong公布了三星18 FDS更多技術(shù)細節(jié)，利用三星28FD-SOI的量產(chǎn)經(jīng)驗結(jié)合14nm的后道工藝聯(lián)合實現(xiàn)，突出的特點是低功耗低成本，更小的邏輯單元以及針對IOT優(yōu)化的工藝，所以未來它可為MCU/IoT產(chǎn)品提供集成RF和eMRAM的能力，使其具有更小尺寸、更低功耗和更低價格。

他透露相比28FDS，18FDS可以實現(xiàn)50%以下功耗，65%的面積以及22%的性能提升。他表示與體硅工藝相比，F(xiàn)D-SOI工藝有更高的本征增益，而且有更低的閃爍噪聲（1/f噪聲）和晶體管失配，堪稱是模擬設(shè)計方面最佳工藝。這些在實際中都已經(jīng)得到了驗證。

老張認(rèn)為三星18FDS的推出可能真會改寫MCU未來發(fā)展歷史了，目前MCU多采用130nm，65nm，55nm工藝，很多廠商對于提升MCU工藝興趣不大，認(rèn)為高級工藝讓MCU面積更小，更便宜更不容易賺錢，而FD-SOI通過強大的集成能力降低了芯片成本并大大降低了功耗，估計很多MCU廠商會考慮跟進，如果MCU器件倒向FD-SOI工藝，則FD-SOI真的會迎來大爆發(fā)！本土MCU廠商中誰會是第一個采用FD-SOI工藝的呢？