德州儀器公司今天在這里推出了一種新的互補雙極性工藝技術這有望將數字CMOS邏輯與高性能模擬和混合信號功能的集成提高20倍以上。 TI表示計劃在今年第二季度推出采用新BiCom-II工藝生產的第一批芯片樣品。
“這一過程使TI能夠在芯片上結合更高密度的數字邏輯TI公司負責高級模擬產品的副總裁Dan Reynolds表示,這些產品具有領先的模擬晶體管,意味著更小的器件具有更多的功能和更好的性能。 BiCom-II工藝的一個關鍵目標是寬帶通信。
該公司稱新的BiCMOS技術的雙極部分是一個15伏工藝,能夠為運算放大器制造快速晶體管,這是一個關鍵的建筑阻止模擬功能。 CMOS部分還提供5和10V模擬晶體管。
為了提高數字邏輯集成能力,TI為BiCom-II技術增加了一個高性能的5 V工藝模塊,處理需要數千個門的功能。據TI稱,這種功能將集成能力提高了之前互補雙極性工藝的柵極密度的20倍。
此外,TI稱BiCom-II技術可處理薄膜電阻,電介質隔離用于提高模擬和數字電路模塊之間抗噪聲能力的晶體管以及激光可調金屬鏈路。
TI表示,它希望能夠為電纜和數字用戶線(DSL)驅動器和接收器制造性能更高的元件。 ,運算放大器,可編程增益放大器(PGA)以及其他模擬和混合信號模塊。
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