受益于高需求和供應(yīng)受限，內(nèi)存公司在過去的十八個(gè)月中都賺得盆缽盈滿；

目前，NAND價(jià)格正在開始下降，DRAM價(jià)格也將在未來(lái)幾個(gè)季度內(nèi)轉(zhuǎn)頭向下，這意味著我們可能會(huì)面臨小幅度供過于求的局面；

過去，一家內(nèi)存公司收益良好就意味著其它所有公司也都過得不錯(cuò)，但是，隨著供過于求局面的出現(xiàn)，這種情況正在發(fā)生變化；

最近，SK海力士和三星電子收益良好導(dǎo)致美光的股價(jià)上漲；

在新格局中，我們應(yīng)該把這些內(nèi)存公司視為互相競(jìng)爭(zhēng)的公司，而不是一榮俱榮的盟友了。

2018年4月27日，美光科技、三星電子和SK海力士因涉嫌操控DRAM價(jià)格被集體起訴。訴訟指控這三家公司密謀限制內(nèi)存供應(yīng)，從而人為推高內(nèi)存器件的價(jià)格。

不到一個(gè)月，2018年5月25日，中國(guó)商務(wù)部反壟斷部門的官員約談美光科技，“表達(dá)了對(duì)PC DRAM產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)上漲的擔(dān)憂和關(guān)切。”

盡管這三家公司存在暗中串通或密謀共同欺騙客戶的嫌疑，但是實(shí)際上他們是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，因?yàn)樗麄兊漠a(chǎn)品都面向相同的市場(chǎng)。

水漲船都高

在過去的一年中，我們看到這些內(nèi)存公司產(chǎn)品平均銷售價(jià)格（ASP）及其股價(jià)的爆發(fā)性增長(zhǎng)。因此，一家公司發(fā)布靚麗財(cái)報(bào)都會(huì)推升其它公司的股價(jià)。

例如，2018年7月26日的一篇文章中指出，“SK海力士發(fā)布財(cái)報(bào)后美光科技的股價(jià)出現(xiàn)上漲。”在SK報(bào)告了季度業(yè)績(jī)之后，美光科技的股價(jià)在緊接著的周四交易日中上漲了1．6％。

該文章的一條評(píng)論指出，一家內(nèi)存公司的需求強(qiáng)勁意味著另一家內(nèi)存公司同樣需求強(qiáng)勁：“SK海力士預(yù)計(jì)下半年DRAM價(jià)格走強(qiáng)，而美光科技的DRAM貢獻(xiàn)了公司營(yíng)收的65％。”

SK海力士最新的盈利報(bào)告顯示，SK海力士的收入同比增長(zhǎng)55．0％，環(huán)比增長(zhǎng)18．9％，創(chuàng)下歷史最高營(yíng)業(yè)利潤(rùn)，利潤(rùn)同比增長(zhǎng)82．7％，環(huán)比增長(zhǎng)27．6％。美光公司的股價(jià)對(duì)此做出了正面的呼應(yīng)。

潮起終將潮落

之前的DRAM市場(chǎng)以PC為中心，但是現(xiàn)在，它的需求不僅來(lái)自PC，還來(lái)自移動(dòng)設(shè)備和服務(wù)器等其他應(yīng)用。只不過，所有的半導(dǎo)體器件（不只是DRAM）都是周期性的，這種周期性主要是由兩個(gè)因素造成的：

1、新一代智能手機(jī)推出之前對(duì)器件的購(gòu)買造成了周期性的需求。比如，在9月份新款iPhone推出之前，內(nèi)存需求都會(huì)提高，隨后需求減弱，直到第二年再遵循類似的周期。

2、產(chǎn)能過剩之后都會(huì)經(jīng)歷因資本支出減緩導(dǎo)致供應(yīng)不足的時(shí)期。換句話說(shuō)，芯片制造商會(huì)建設(shè)晶圓廠或增加生產(chǎn)線以增加產(chǎn)能，以滿足預(yù)期的需求。但是，芯片制造商沒有能夠看清未來(lái)的水晶球，也沒有和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手就為了滿足需求而增加多少產(chǎn)能而協(xié)調(diào)合作。因此，在需求上升之前通常都會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能建設(shè)過剩的情形，然后再經(jīng)歷需求超過供應(yīng)的供應(yīng)不足期，制造商再次建設(shè)更多產(chǎn)能，如此往復(fù)。圖1顯示了2006年、2010年、2014年和2017年的DRAM市場(chǎng)銷售和平均銷售價(jià)格的變化趨勢(shì)。

圖1

今天的存儲(chǔ)器行業(yè)已經(jīng)和2000年有了很大不同。芯片公司門正在利用“即時(shí)制造技術(shù)以監(jiān)控供應(yīng)和需求。”2016年，美光科技的管理層沒有投資建設(shè)任何新的晶圓廠，導(dǎo)致了持續(xù)至今日的供不應(yīng)求局面。

也許DRAM行業(yè)最大的錯(cuò)誤發(fā)生在2000年，當(dāng)時(shí)有分析師警告說(shuō)，DRAM需求預(yù)計(jì)會(huì)放緩至半導(dǎo)體行業(yè)1993年衰退以來(lái)的最低水平。但是，Gartner的分析師則聲稱，缺乏即將上線的新DRAM產(chǎn)能意味著未來(lái)的內(nèi)存供應(yīng)無(wú)法滿足OEM廠商的需求，即使芯片供應(yīng)商努力縮小線寬和硅片尺寸并提高良率，也無(wú)法滿足新需求。

事實(shí)證明，Gartner錯(cuò)得離譜，導(dǎo)致整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)幾乎崩潰。最終用戶因?yàn)閾?dān)心未來(lái)供應(yīng)不足，購(gòu)買雙倍需求的DRAM，芯片制造商建設(shè)了更多晶圓廠來(lái)滿足他們臆想中的需求。結(jié)果，2001年，沒有人再購(gòu)買DRAM了，整個(gè)DRAM行業(yè)庫(kù)存損失超過了100億美元。

這次的供應(yīng)不足還有一個(gè)非常重要的因素，即設(shè)備購(gòu)買不一定會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能增加，這是真的。

在DRAM生產(chǎn)上，這三家公司都在向更低工藝尺寸遷移。三星目前正在轉(zhuǎn)向1ynm工藝，而SK海力士和美光科技正在轉(zhuǎn)向1xnm工藝。

事實(shí)證明，這次工藝遷移很難實(shí)現(xiàn)較高的良率，而且，這些遷移增加了芯片制造的處理步驟，導(dǎo)致晶圓產(chǎn)出出現(xiàn)“自然下降”。通常，從一個(gè)節(jié)點(diǎn)遷移到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能下降5－10％。

為了抵消這種“自然衰退”，需要增加產(chǎn)能，這可以通過建設(shè)新的晶圓廠、生產(chǎn)線以及購(gòu)買設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)。最終的結(jié)果就是，2017年內(nèi)存芯片廠商的設(shè)備采購(gòu)增加了60％而產(chǎn)能并沒有增加。

SK海力士的財(cái)務(wù)情況

圖2總結(jié)了SK海力士的財(cái)務(wù)情況，2018年第二季度，DRAM的位出貨量增長(zhǎng)了16％，平均銷售價(jià)格增長(zhǎng)了4％。由于行業(yè)供應(yīng)增加，NAND Flash的位出貨量增長(zhǎng)了19％，平均銷售價(jià)格則下降了9％。

圖2

SK海力士受到了智能手機(jī)銷售放緩的影響。SK海力士在發(fā)布2018年第一季度財(cái)報(bào)的一篇新聞稿中表示：

“由于手機(jī)需求疲軟，以及盡管服務(wù)器需求依然強(qiáng)勁但生產(chǎn)天數(shù)減少，導(dǎo)致DRAM的位出貨量季度環(huán)比下降了5％。不過，由于所有DRAM產(chǎn)品類別價(jià)格均勻上漲，我司產(chǎn)品的平均銷售價(jià)格上漲了9％。

由于手機(jī)部門銷售疲軟，NAND Flash的位出貨量下降了10％，平均售價(jià)下降了1％。”

該公司的新聞稿指出：

“SK海力士將把工作重點(diǎn)放在推動(dòng)尖端工藝的大規(guī)模生產(chǎn)以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求上。因此，我們將持續(xù)擴(kuò)大1X nm工藝器件在服務(wù)器和手機(jī)DRAM銷售中的比例，預(yù)計(jì)這種器件的需求會(huì)很強(qiáng)勁。同時(shí)，公司還計(jì)劃擴(kuò)展最先進(jìn)的72層3D NAND，并努力順利提供高密度移動(dòng)解決方案和企業(yè)級(jí)SSD。

同時(shí)，SK海力士將于今年9月底在清州完成新晶圓廠的潔凈室建設(shè)。考慮到潔凈室中的設(shè)備設(shè)置時(shí)間，新晶圓廠預(yù)計(jì)將從明年年初開始投入生產(chǎn)。此外，無(wú)錫晶圓廠的潔凈室空間擴(kuò)建計(jì)劃將于今年年底完成。”

顯然，SK海力士將繼續(xù)在工藝上取得進(jìn)展，并投資增加產(chǎn)能和獲得市場(chǎng)份額。在2017年的高光歲月里，當(dāng)DRAM和NAND芯片供不應(yīng)求時(shí)，一家公司的收入增長(zhǎng)是個(gè)所有人都?xì)g迎的好消息，這意味著需求持續(xù)增長(zhǎng)，從而能夠帶動(dòng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的營(yíng)收增長(zhǎng)。

三星電子的財(cái)務(wù)狀況

三星的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)如圖3所示，但不包括剛剛報(bào)告的2018年第二季度數(shù)據(jù)。該圖表明，雖然存儲(chǔ)器行業(yè)似乎正在同步發(fā)展，但是實(shí)際上，如果比較SK海力士（圖2）和三星電子（圖3）的情形，他們的增長(zhǎng)并不同步。

圖3

比如，SK海力士2017年的DRAM出貨量同比增長(zhǎng)了25．2％，平均銷售價(jià)格上漲了53．1％，而三星電子的DRAM出貨量?jī)H增長(zhǎng)了16％，平均銷售價(jià)格漲幅也低于SK海力士，為44．8％。

NAND部門的差異更加明顯，SK海力士2017年NAND產(chǎn)品的位出貨量同比增長(zhǎng)了17．1％，平均售價(jià)增長(zhǎng)了35．1％，而三星的NAND 位出貨量增長(zhǎng)了26．4％，平均銷售價(jià)格增長(zhǎng)僅為19．1％。

市場(chǎng)份額

這些公司之間的另一個(gè)差異是市場(chǎng)份額占比。三星在DRAM市場(chǎng)中的份額從2016年第三季度的高位50．2％下降至2018年第一季度的44．4％，美光科技同期的DRAM份額則從18．5％增長(zhǎng)至23．1％。圖4和圖5說(shuō)明了這些數(shù)據(jù)變化。

圖4

圖5

資本支出

存儲(chǔ)器公司正在投資建設(shè)新晶圓廠和購(gòu)買設(shè)備，以增加產(chǎn)能。

圖6顯示，2018日歷年的DRAM產(chǎn)能將比2017日歷年增長(zhǎng)5．2％至19．0％。相比之下，2017年的DRAM設(shè)備支出較2016年增加了81％。

圖6

有趣的是，美光預(yù)計(jì)2018日歷年的DRAM產(chǎn)能增長(zhǎng)率最低。而它在2016年第四季度至2018年第二季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)卻增長(zhǎng)了3637％。

圖7顯示，與2017日歷年相比，2018日歷年NAND產(chǎn)能僅增長(zhǎng)5．2％至23．2％。而2017年NAND設(shè)備支出較2016年增長(zhǎng)58％。

圖7

三星電子在存儲(chǔ)器上的投資將在2018年降至11萬(wàn)億韓元（99億美元），其中DRAM投資9萬(wàn)億（81億美元），NAND投資2萬(wàn)億韓元（18億美元）。

為了擴(kuò)大下一代芯片和閃存的產(chǎn)能，SK海力士去年的資本支出創(chuàng)下10．3萬(wàn)億韓元（98億美元）的記錄，并計(jì)劃將其2018年的資本支出增加到15萬(wàn)億韓元（134億美元）。

美光科技的資本支出也高達(dá)81億美元，但低于其他兩家制造商。

三星電子的DRAM和NAND位出貨量增長(zhǎng)率應(yīng)該分別為25％和45％。不過，這不是增加投資的結(jié)果，而是1x nm DRAM和64層NAND產(chǎn)線的效率高于預(yù)期的結(jié)果，這得益于更高的良率、更出色的晶圓廠布局和物流體系。三星計(jì)劃于2019年在位于平澤的晶圓廠開始量產(chǎn)10nm LPDDR 5芯片。

SK海力士已宣布計(jì)劃在其位于韓國(guó)利川的總部建造一座新的存儲(chǔ)器工廠。這座位于利川、面積高達(dá)53，000平方米的工廠將于2018年底開工建設(shè)，計(jì)劃于2020年10月完工。SK海力士計(jì)劃在這家新工廠投資3．5萬(wàn)億韓元（31．2億美元）。此外，SK海力士還在繼續(xù)擴(kuò)大利川M14工廠的產(chǎn)能。它還計(jì)劃于9月底在完成其位于清州的新工廠的潔凈室設(shè)備的安裝，該工廠將于2019年初投產(chǎn)。在中國(guó)，SK海力士預(yù)計(jì)將在2018年完成其無(wú)錫工廠潔凈室的擴(kuò)建。

美光準(zhǔn)備在2018年至2019年在其***工廠擴(kuò)大其10nm級(jí)別DRAM芯片的生產(chǎn)。美光位于***北部桃園的工廠將于2018年下半年進(jìn)入1Xnm的生產(chǎn)并將于年底遷移到1Ynm工藝節(jié)點(diǎn)上。其位于臺(tái)中的工廠將在2019年下半年放棄1Xnm產(chǎn)品的量產(chǎn)后遷移到更新的1Znm工藝上。

中國(guó)晉華的12英寸晶圓廠有望在9月份進(jìn)入20nm或30nm DRAM芯片的試生產(chǎn)，中國(guó)最近通過禁售美光科技的部分產(chǎn)品來(lái)保護(hù)本土的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，這也可能影響存儲(chǔ)器行業(yè)未來(lái)的發(fā)展態(tài)勢(shì)。

Innotron最近推出了19nm工藝的8Gb DDR4產(chǎn)品的樣片，預(yù)計(jì)也將在2019年上半年開始量產(chǎn)這顆芯片。

中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限公司正于本季度開始生產(chǎn)其32層NAND芯片樣片，并計(jì)劃從2019年年底開始量產(chǎn)64層產(chǎn)品。

東芝存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)部門剛剛在日本的巖手縣舉行了新型BiCS 3D NAND閃存工廠的奠基儀式，該工廠預(yù)計(jì)將于2019年年底完工，預(yù)計(jì)其長(zhǎng)期合作伙伴西部數(shù)據(jù)將參與該項(xiàng)目。

東芝今年夏天將在四日市開始啟用其Fab 6／第一階段工廠。此舉將幫助其在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)增加BiCS 3D NAND閃存的產(chǎn)量，F(xiàn)ab 6／第二階段工廠預(yù)計(jì)將于明年進(jìn)行部署。

競(jìng)爭(zhēng)

當(dāng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的供需不平衡時(shí)，存儲(chǔ)器公司的股價(jià)和芯片平均銷售價(jià)格同步上漲和下降。目前，盡管仍然存在大量需求，但是隨著產(chǎn)能的增加，內(nèi)存市場(chǎng)正日趨走向供需平衡。目前NAND的平均銷售價(jià)格已經(jīng)開始下降，預(yù)計(jì)DRAM的價(jià)格也會(huì)在2018年下降。

投資者需要認(rèn)識(shí)到，不同的存儲(chǔ)器公司的股票不會(huì)再因?yàn)槟骋患夜緲I(yè)績(jī)良好就都呈現(xiàn)同步上漲了。這些公司正在競(jìng)爭(zhēng)客戶，而且在即將到來(lái)的供過于求的情況下，客戶可以隨時(shí)更換內(nèi)存供應(yīng)商。這時(shí)，供應(yīng)商可能會(huì)通過低價(jià)來(lái)贏得或維系客戶，這就意味著內(nèi)存供應(yīng)商不再是盟友，而變成競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手了。

順便說(shuō)一句，這種概念并非我所首創(chuàng)，美光科技早在其10－K報(bào)告中表達(dá)了這種觀點(diǎn)：

“我們?cè)趦?nèi)存和存儲(chǔ)市場(chǎng)面臨包括英特爾、三星電子、SK海力士、東芝和西部數(shù)據(jù)等多家公司的激烈競(jìng)爭(zhēng)。其中一些競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是擁有更多資源投資新技術(shù)的大公司或者聯(lián)盟，他們擁有更多資金把握增長(zhǎng)機(jī)會(huì)，抵御市場(chǎng)低迷。競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的聯(lián)合可能會(huì)使我們處于競(jìng)爭(zhēng)劣勢(shì)。此外，中國(guó)等政府已經(jīng)向我們的一些競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手或者市場(chǎng)新進(jìn)入者提供重要的資金援助。我們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也在尋求增加硅片容量和單晶圓存儲(chǔ)位數(shù)，這可能導(dǎo)致全球供應(yīng)的顯著增加，并加大價(jià)格下行壓力。無(wú)論是增加新設(shè)施，提高產(chǎn)能利用率，還是將其他半導(dǎo)體生產(chǎn)資源重新分配到內(nèi)存和存儲(chǔ)上，這些都會(huì)導(dǎo)致未來(lái)全球內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品供應(yīng)的增加。在這種情況下，如果需求沒有同步增長(zhǎng)，必將導(dǎo)致我們產(chǎn)品平均銷售價(jià)格的下降，并對(duì)我們的業(yè)務(wù)、經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)或財(cái)務(wù)狀況造成重大不利影響。我們有很多大規(guī)模量產(chǎn)內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品都是按照行業(yè)通用標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格制造的，因此和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品具備相似的性能特性。對(duì)于這些產(chǎn)品而言，主要靠?jī)r(jià)格和性能來(lái)競(jìng)爭(zhēng)，性能的范圍包括運(yùn)行速度、功耗、可靠性、兼容性、尺寸和外形。對(duì)于我們其他產(chǎn)品而言，主要競(jìng)爭(zhēng)因素則是性能而不是定價(jià)。”