近日,SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測試已經(jīng)正式啟動,為明年初的
發(fā)表于 12-26 14:46
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限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM
發(fā)表于 11-07 11:37
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近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK
發(fā)表于 11-05 15:01
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近日,韓國SK集團(tuán)會長透露了一項重要信息,即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個
發(fā)表于 11-05 10:52
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在9月25日(當(dāng)?shù)貢r間)于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導(dǎo)體行業(yè)盛會上,SK海力士發(fā)布的一項關(guān)于其高帶寬內(nèi)存(HBM)的驚人數(shù)據(jù)——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關(guān)注。
發(fā)表于 10-08 16:19
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今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;?b class='flag-5'>生產(chǎn),此舉不僅將
發(fā)表于 09-26 16:30
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SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。
發(fā)表于 09-26 14:24
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9月4日,半導(dǎo)體行業(yè)傳來重要動態(tài),SK海力士社長金柱善(Kim Ju Seon)在備受矚目的SEMICON 大師論壇上發(fā)表演講,分享了公司在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的最新進(jìn)展與未來展望
發(fā)表于 09-05 16:31
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SK 海力士,作為全球知名的半導(dǎo)體巨頭,近期宣布了一項重要的擴(kuò)產(chǎn)計劃,旨在通過擴(kuò)大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模,顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒
發(fā)表于 08-16 17:32
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近日,國際知名評級機(jī)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)普爾全球評級(S&P Global Ratings)宣布了一項重要決策,將SK海力士的長期發(fā)行人信用及發(fā)行評級從BBB-提升至BBB,并維持穩(wěn)定的評級展望。此次上調(diào)評級,主要基于
發(fā)表于 08-08 09:48
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在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布將采用臺積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志
發(fā)表于 07-18 09:47
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)合作展開深入?yún)f(xié)商。這一合作旨在通過整合雙方優(yōu)勢資源,進(jìn)一步提升SK海力士在高性能內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的市場競爭力。
發(fā)表于 07-18 09:42
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在半導(dǎo)體存儲技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正積極探索前沿技術(shù),以推動高帶寬內(nèi)存(HBM)的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最
發(fā)表于 07-17 15:17
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在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內(nèi)存(High Bandwidth Memory, HBM)的
發(fā)表于 07-17 09:58
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雄心勃勃的宣言無疑給當(dāng)前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力,尤其是SK海力士,作為韓國DRAM行業(yè)的領(lǐng)軍企
發(fā)表于 07-03 09:28
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