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受華為事件影響,SK海力士無錫二工廠將推遲投產計劃

mvj0_SEMI2025 ? 來源:YXQ ? 2019-06-21 08:44 ? 次閱讀

據韓國《The Investor》報道,由于DRAM內存芯片價格不斷下跌,近期又有華為事件的影響,SK海力士正在計劃推遲位于中國無錫的全球最先進內存芯片工廠的投產計劃。

該報道還指出,SK海力士去年在中國的銷售額為15.8萬億韓元,占其全部收入的近40%,特別是華為占據了12%。據報道,一位不愿透露姓名的業內消息人士暗示,項目推遲與華為技術等中國合作伙伴的內存芯片需求下降有關。

今年4月18日,SK海力士無錫二工廠(C2F)舉行了竣工儀式。二工廠是在原有DRAM生產線C2的基礎上實施的擴建工程。二工廠項目全部建成后,SK海力士無錫工廠將形成月產18萬片12英寸晶圓的產能,年銷售額也計劃達到33億美元。

SK海力士二工廠項目于2017年10月簽約,總投資86億美元,其中16億美元用于新建33000平米潔凈廠房及其附屬配套設施、70億美元用于購買全球最先進的半導體生產設備,項目建設期限為2017年到2026年。

目前SK海力士占有中國DRAM市場約35%,待二工廠項目全部建成投產后SK海力士將占有超過45%的中國DRAM市場份額,成為全球單體投資規模最大、月產能最大、技術最先進的10納米級DRAM產品生產基地。

而對于SK海力士而言,無錫高新區在線報道指出,無錫工廠將承擔SK海力士存儲半導體生產總量的一半份額。

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原文標題:SK海力士無錫二工廠或推遲投產計劃,與華為有關?

文章出處:【微信號:SEMI2025,微信公眾號:半導體前沿】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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