據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道，NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來自存儲(chǔ)器芯片制造商的多個(gè)消息來源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價(jià)格的上漲
2020-01-06 11:15:33
3821 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512064 
國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 在設(shè)計(jì)使用NAND閃存的系統(tǒng)時(shí)，選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅Ｖ匾?閃存控制器還必須足夠靈活，以進(jìn)行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。 選擇正確的閃存控制器對于確保閃存滿足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。NAND閃存是一種大眾化
2020-12-03 13:52:282455 本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
小
方便焊接
容量可選多,適合實(shí)際應(yīng)用
PIN腳少
功耗低
擦寫壽命長
性能穩(wěn)定
使用SLC/MLC
CS創(chuàng)世 SD NAND相對于Raw NAND具有以下優(yōu)勢
免驅(qū)動(dòng)使用
性能更穩(wěn)定。
尺寸更小。
SD
2023-09-26 17:40:35
ST是否期望MEMS麥克風(fēng)具有更長的使用壽命？這些產(chǎn)品看起來是針對消費(fèi)品的，并且需要在工業(yè)產(chǎn)品中使用這些產(chǎn)品，這些產(chǎn)品需要5到15年的預(yù)期壽命？以上來自于谷歌翻譯以下為原文 Does ST
2018-11-06 10:26:02
是通常說的“先擦后寫”。只不過NOR芯片只用擦寫一個(gè)字，而NAND需要擦寫整個(gè)塊。其次，閃存擦寫的次數(shù)都是有限的.當(dāng)閃存的使用接近使用壽命的時(shí)候，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)寫操作失敗；到達(dá)使用壽命時(shí)，閃存內(nèi)部存放
2013-04-02 23:02:03
，然后再寫入，也就是通常說的“先擦后寫”。只不過NOR芯片只用擦寫一個(gè)字，而NAND需要擦寫整個(gè)塊。其次，閃存擦寫的次數(shù)都是有限的.當(dāng)閃存的使用接近使用壽命的時(shí)候，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)寫操作失敗；到達(dá)使用壽命
2014-04-23 18:24:52
/ECC，如果需要使用壽命長，還需要做平均讀寫，垃圾回收等處理。 第二，不同品牌之間的NAND Flash，由于Page，Block大小不同，時(shí)序不同等。都需要工程師重新調(diào)試驅(qū)動(dòng)。 第三，如果新項(xiàng)目
2019-09-29 16:45:07
SLM346光兼容單通道隔離柵驅(qū)動(dòng)器代替TLP5772 具有低延時(shí)，模瞬態(tài)抗擾能力強(qiáng)，壽命長 一般描述：SLM346是一款光兼容單通道，隔離柵驅(qū)動(dòng)器，用于IGBT、MOSFET和2.5A源和2.5A
2023-02-14 10:35:49
STM8S207C8T6 性能線8位微控制器提供32至128 KB的閃存程序存儲(chǔ)器。STM8S207C8T6 具有以下優(yōu)點(diǎn)：降低了系統(tǒng)成本，性能穩(wěn)定，開發(fā)周期短，產(chǎn)品壽命長。借助集成的真數(shù)
2019-10-08 10:20:58
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺(tái)閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺(tái)，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計(jì)他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
的操作，都可以交給SD NAND，CPU可以不用再管了。領(lǐng)導(dǎo)再也不用擔(dān)心我的NAND Flash驅(qū)動(dòng)了。 第五，使用壽命長，性能穩(wěn)定。SLC NAND是NAND Flash中使用壽命最長，性能最穩(wěn)定
2019-09-26 15:15:21
： A、 為了降低成本，我們推出外形跟說明書的一樣，但夾具只能測試有錫球的芯片，壽命在2萬次以上，價(jià)格￥550.00/套!限位框另購! B、 eMMC閃存記憶體再利用：比如說eMMC IC主控?fù)p壞
2013-05-27 22:01:53
自鼎陽科技研發(fā)生產(chǎn)的SDG1000系列、SDG5000系列函數(shù)/任意波形發(fā)生器成功推出市場后，其產(chǎn)品配套的上位機(jī)軟件EasyWave，也受到了廣大用戶的好評，被認(rèn)為是目前市面上普及型的波形編輯軟件的優(yōu)秀之作。
2019-08-09 06:17:56
管了。領(lǐng)導(dǎo)再也不用擔(dān)心我的NAND Flash驅(qū)動(dòng)了。 第五，使用壽命長，性能穩(wěn)定。SLC NAND 是NAND Flash中使用壽命最長，性能最穩(wěn)定的類型了。可達(dá)10W的擦寫壽命，讓SD NAND
2019-10-16 15:46:47
管了。領(lǐng)導(dǎo)再也不用擔(dān)心我的NAND Flash驅(qū)動(dòng)了。 第五，使用壽命長，性能穩(wěn)定。SLC NAND 是NAND Flash中使用壽命最長，性能最穩(wěn)定的類型了。可達(dá)10W的擦寫壽命，讓SD NAND
2019-10-15 17:01:27
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級(jí)別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接器來構(gòu)建 .stldr？我走對路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
或SD的SPI接口。我們將推出兼容ONFI的4Gb Micron SLC NAND芯片。似乎Virtex6和Kintex7有一個(gè)核心，但它們在AXI總線上。只是想知道是否有人找到了將ONFI閃存
2020-06-17 09:54:32
`1、要確定使用環(huán)境的可靠性，如使用環(huán)境非常惡劣，受潮、高溫、信號(hào)干擾都會(huì)影響其使用壽命。3、鋼絲繩的抗拉強(qiáng)度，鋼絲繩一般采用進(jìn)口涂塑鋼絲，由100多股構(gòu)成，只要不對其施加外力是沒有問題的。5、旋轉(zhuǎn)
2020-07-04 11:30:45
硅膠高溫線具有優(yōu)良的耐高溫及耐低溫性能、具有優(yōu)良的耐高壓、耐老化、耐高溫、耐酸堿，使用壽命長。
2019-11-05 09:01:36
具有性能穩(wěn)定、精度高、體積小、量輕、可靠性高、壽命長、對無線電干憂小等特點(diǎn)。
2019-10-30 09:02:21
具有性能穩(wěn)定、精度高、體積小、量輕、可靠性高、壽命長、對無線電干憂小等特點(diǎn)。
2020-03-05 09:00:30
.同時(shí)，大開度工作節(jié)流間隙大，沖蝕減弱，這比一開始就讓閥在中間開度和小開度上工作提高壽命1～5倍以上。如某化工廠采用此法，閥的使用壽命提高了2倍。 &
2009-09-14 14:53:15
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲(chǔ)單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 新型核電池壽命長達(dá)5000年
國密蘇里大學(xué)的科學(xué)家日前公布，他們正在開發(fā)一種新型電池，其使用壽命超過標(biāo)準(zhǔn)電池一百萬倍。
2009-12-15 12:00:072511 SanDiski推出NAND嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器支持e.MMC 4.4
SanDisk（閃迪）推出了全新SanDisk® iNAND™嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器（Embedded Flash Drives, EFD），支持e.MMC 4.4規(guī)格。這些驅(qū)動(dòng)器基于
2010-02-24 16:37:071048 爾必達(dá)計(jì)劃收購Spansion NAND閃存業(yè)務(wù)
據(jù)國外媒體報(bào)道，日本爾必達(dá)公司表態(tài)計(jì)劃收購美國Spansion（飛索半導(dǎo)體）旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 三洋電機(jī)發(fā)布高壽命電池 可充電2千次
Eneloop
2010-03-12 08:42:57906 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
英特爾今天宣布發(fā)布使用新型HET-MLC NAND閃存芯片的 SSD 710型號(hào)，MLC就是多層單元封裝，HET則代表著高耐久性技術(shù)(High Endurance Technology)，是為了解決閃存類型與壽命之間的矛盾而誕生的。
2011-09-15 09:28:331450 介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制,提供更好的讀寫速度,以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法
2011-12-15 17:11:3151 對于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品
2012-07-27 17:03:381471 
現(xiàn)在已經(jīng)有了一種新方法使得 NAND 閃存的壽命時(shí)間比現(xiàn)在更長。延長 NAND 閃存壽命的關(guān)鍵是熱能的應(yīng)用。
2012-12-03 13:49:50779 據(jù)報(bào)道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個(gè)
2017-04-12 01:07:11991 NAND閃存目前已經(jīng)發(fā)展出了四種形態(tài)：SLC單比特單元，性能最好，壽命最長，但成本也最高；MLC雙比特單元，性能、壽命、成本比較均衡，目前主要用于高端和企業(yè)級(jí)產(chǎn)品；TLC三比特單元，成本低，容量大，但壽命越來越短；QLC四比特單元，自然延續(xù)了這一趨勢。
2017-07-06 15:20:511128 
三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 武漢建設(shè)NAND工廠，預(yù)計(jì)今年內(nèi)量產(chǎn)，據(jù)悉國產(chǎn)NAND閃存是32層堆棧的，是1000多名研究人員耗時(shí)2年、耗資10億美元研發(fā)的。
2018-05-16 10:06:003750 DVEVM可以啟動(dòng)或（默認(rèn)），與非門，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價(jià)格低，速度快，壽命長，許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 對于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:009847 
據(jù)悉，由香港大學(xué)研發(fā)、Federal Group Global Limited取得專利的「被動(dòng)式LED電源」，可使用最少6萬小時(shí)，變相壽命長達(dá)15年。
2018-06-05 10:54:093941 Altera公司開發(fā)了基于其Arria 10 SoC的存儲(chǔ)參考設(shè)計(jì)，與目前的NAND閃存相比，NAND閃存的使用壽命將加倍，程序擦除周期數(shù)增加了7倍。參考設(shè)計(jì)在經(jīng)過優(yōu)化的高性價(jià)比單片解決方案中包括
2018-08-24 16:47:00605 從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì) 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485 東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲(chǔ)單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯(cuò)誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時(shí)間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940 研發(fā)支持原廠3D TLC NAND高品質(zhì)固件的固態(tài)硬盤完整解決方案。據(jù)了解，MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片，已經(jīng)適配了全球全部量產(chǎn)的所有3D MLC/TLC NAND閃存顆粒，繼在今年9月國內(nèi)首發(fā)量產(chǎn)
2018-11-19 17:22:316838 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282 存儲(chǔ)器領(lǐng)導(dǎo)品牌威剛科技昨日發(fā)表新款工業(yè)級(jí)microSD記憶卡IUDD362，采用高質(zhì)量SLC NAND Flash，比起其他NAND Flash耐用度高且壽命長，適合工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)的儲(chǔ)存裝置使用。
2019-04-28 16:09:502650 2019年全球半導(dǎo)體市場從牛市進(jìn)入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價(jià)，迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222630 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 長期看好磷酸鐵鋰的比亞迪還在堅(jiān)持，而且看起來還在創(chuàng)造驚喜——比亞迪將于明年5－6月份推出的全新一代鐵鋰電池，體積比能量密度將提升50％，壽命長達(dá)8年120萬公里，成本還可以節(jié)約30％。
2019-08-23 14:48:044967 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個(gè)活動(dòng)層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04624 英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，市場研究公司預(yù)測，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場的增長。
2019-12-20 15:18:463156 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
作為NAND閃存技術(shù)發(fā)明人、全球第二大閃存供應(yīng)商，從東芝獨(dú)立出來之后的鎧俠（Kioxia）從2020年開始已經(jīng)不能再使用東芝品牌了。鎧俠的技術(shù)實(shí)力無可置疑，但打造全新品牌之路依然不容易，傳聞稱4月份鎧俠會(huì)推出全新的消費(fèi)級(jí)SSD品牌，從閃存到主控再到固件都是自主研發(fā)的。
2020-01-13 17:43:4015192 Memxpro在德國Embedded World 2019展會(huì)上推出了使用壽命長的TLC SSD。
2020-03-03 16:09:24731 REALFORCE曾推出了燃風(fēng)靜電容鍵盤，采用Topre技術(shù)，擁有獨(dú)特的敲擊手感。近日，REALFORCE又推出了燃風(fēng)RFM01U11靜電容游戲鼠標(biāo)，分體式左右鍵設(shè)計(jì)，擁有超過5000萬次超高壽命，采用靜電容無接點(diǎn)方式，可提供輕柔的按壓感和靜音性。
2020-03-30 16:13:024429 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:54:342726 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:46:522302 淹沒式脈沖電磁閥為嵌入式閥主要使用在除塵設(shè)備上，閥座嵌入氣包內(nèi)部安裝，阻力小，流通性好，噴吹量高提高了負(fù)荷帶動(dòng)量，擴(kuò)大了氣源壓力的使用范圍，它在使用時(shí)具有性能穩(wěn)定、凈化效率高、使用壽命長、處理風(fēng)量
2020-06-17 11:53:372040 這個(gè)問題需要從不同的角度看，從技術(shù)和最底層的介質(zhì)層面講（注意這個(gè)前提），固態(tài)硬盤的NAND壽命普遍要低于磁盤和磁帶（是的，這里寫了磁帶，企業(yè)級(jí)的歸檔數(shù)據(jù)還挺多都是放磁帶庫的），這與不同介質(zhì)的存取機(jī)理、數(shù)據(jù)保持力等等因素有關(guān)，這也是那句NAND擦寫若干次就壞了，所以固態(tài)硬盤壽命較低傳說的來源。
2020-07-17 11:05:468604 
無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷，最勁爆的莫過于武漢長江存儲(chǔ)成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存，多項(xiàng)技術(shù)世界領(lǐng)先，最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1017363 通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:232416 從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動(dòng)4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。
2020-12-15 17:55:342755 eMMC模塊因?yàn)槭且?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存技術(shù)為基礎(chǔ)而具有預(yù)定的使用壽命。它們具備有限的程序/擦除（P/E）周期，即使公司最初按照這些規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)，他們也必須預(yù)見到同一系統(tǒng)隨著時(shí)間的推移必須應(yīng)對不斷增加的工作負(fù)載挑戰(zhàn)。
2021-01-18 16:21:041831 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來，容量密度越來越高，成本越來越低，性能和壽命卻越來越渣，不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來輔助，但依然不容樂觀。
2021-02-22 09:26:421481 寫入問題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么？
2021-04-01 17:50:562894 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282
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