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電子發燒友網>存儲技術>144層3D NAND將引領閃存容量的重大革命

144層3D NAND將引領閃存容量的重大革命

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2020-11-19 16:11:182910

未來的3D NAND將如何發展?

NAND 應運而生,可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量,在需要存儲海量數據的時代有著重大價值。 依托于先進工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存
2020-11-20 16:07:132330

未來的3D NAND將如何發展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

依托于先進工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰會
2020-11-20 17:15:443030

不要過于關注3D NAND閃存層數

NAND應運而生,可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量,在需要存儲海量數據的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩定性的難題,未來的3D NAND將如何發展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率? 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:492766

3D NAND技術堆疊將走向何方?

發展至今,NAND Flash已呈現白熱化階段。就在前不久,存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”,2019年6月SK海力士發布128層TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:373659

Intel全球首發144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒

近日,Intel全球首發了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒,并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產品,不過對于主控芯片,Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392060

NAND閃存市場競爭愈發激烈

 在3D NAND技術賽跑中,三星長期處于領先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100

一種用于3D TLC NAND的彈性糾錯方案

由于3D結構的復雜性,可能會發生多種錯誤。特別是在高容量系統中,這些問題需要NAND閃存控制器和先進的糾錯算法。
2022-10-24 14:25:23480

什么是3D NAND閃存

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

NAND閃存特點及決定因素

2Gb以下容量NAND閃存絕大多數是(512+16)字節的頁面容量,2Gb以上容量NAND閃存則將頁容量擴大到(2048+64)字節。
2023-06-10 17:21:001983

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術

3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內,容納更高的存儲容量,從而有效節約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729

三星:2030年3D NAND將進入1000層以上

 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃,預計在2024年推出第九代3D NAND,其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:291744

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