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長江存儲QLC閃存壽命實現(xiàn)重大突破

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西數(shù)力挺QLC:首發(fā)96層3D NAND閃存!SSD行業(yè)要變天

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閃存真的要降價了 東芝成功研發(fā)世界首款4比特3D QLC閃存 大容量硬盤將更便宜

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QLC閃存跟TLC閃存有什么區(qū)別?QLC能否取代TLC成為SSD閃存首選?

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長江存儲喜迎第一臺EUV極紫外光刻機:國產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤將迎來重大突破

? 前些天,新聞曝光的中芯國際花了1.2億美元從荷蘭ASML買來一臺EUV極紫外光刻機,未來可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片,而根據(jù)最新消息稱,長江存儲也迎來了自己的第一臺光刻機,國產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤將迎來重大突破
2018-06-29 11:24:008502

存儲器大廠宣布將推 96 層堆棧的 QLC閃存儲器,性能獲重大提升

日前,東芝(TOSHIBA)、西數(shù)(WD)等存儲器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC閃存儲器,核心容量可達 1.33TB,單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC閃存儲
2018-07-26 18:01:002036

長江存儲將首次公布3D NAND閃存技術(shù),實現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時代躍進

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看看長江存儲新型架構(gòu)為3D NAND帶來哪些性能?

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司(長江存儲)今年將首次參加閃存峰會(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014494

長江存儲發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱:長江存儲)昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
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新一代立體堆疊閃存方案有什么優(yōu)勢?美光,SK海力士,長江存儲等都在使用

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QLC閃亮登場,與其他閃存的區(qū)別是什么?

2018年8月7日的美國閃存峰會(FMS)上,海力士,三星,東芝,西部數(shù)據(jù),Intel等NAND廠商紛紛發(fā)布QLC架構(gòu)的快閃存儲器或基于QLC NAND的SSD產(chǎn)品,滿足市場對存儲容量日益激增的需求,那么QLC是什么呢?它的性能真的比SLC、MLC、TLC要好嗎
2018-08-18 08:34:497074

云從科技在語音識別技術(shù)上取得重大突破

10 月 29 日,云從科技宣布在語音識別技術(shù)上取得重大突破,該技術(shù)在全球最大的開源語音識別數(shù)據(jù)集 Librispeech 上刷新了世界紀錄,錯詞率低至 2.97%,指標提升了 25%,超過微軟、谷歌、阿里、約翰霍普金斯大學(xué)等企業(yè)及高校 。
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漢能砷化鎵(GaAs)技術(shù)再獲重大突破

據(jù)悉,近日,漢能砷化鎵(GaAs)技術(shù)再獲重大突破。據(jù)世界三大再生能源研究機構(gòu)之一的德國弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所(Fraunhofer ISE)認證,漢能阿爾塔砷化鎵薄膜單結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率達到29.1%,再次刷新世界紀錄。
2018-11-19 15:31:477049

QLC閃存就要來了!何為QLC

QLC即Quad-Level Cell架構(gòu),每個閃存單元內(nèi)可儲存4個比特數(shù)據(jù),相比TLC閃存存儲密度提升33%。為了表達4比特數(shù)據(jù),一個QLC閃存單元擁有多達16種電壓狀態(tài),對閃存品質(zhì)及主控糾錯能力提出了很高的要求。
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國產(chǎn)存儲廠商長江存儲預(yù)計在第三季度量產(chǎn)64層3D閃存

據(jù)Digitimes報道,長江存儲(YMTC)將于年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險試產(chǎn)預(yù)計三季度啟動,目前良率已經(jīng)實現(xiàn)了顯著爬升。
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EOSRL宣布在MicroLED芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上實現(xiàn)重大突破

據(jù)悉,臺灣工業(yè)技術(shù)研究院(ITRI)下屬的電子與光電子系統(tǒng)研究實驗室(EOSRL)日前宣布,在Micro LED芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上實現(xiàn)重大突破
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長江存儲成功研發(fā)國產(chǎn)高性能第三代閃存

紫光旗下的長江存儲邁出了國產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長江存儲研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
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長江存儲的新技術(shù)宣布著國產(chǎn)第三代閃存的到來

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明年長江存儲實現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

 國產(chǎn)存儲芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲芯片市場上,終于有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。據(jù)報道,今年一季度,紫光旗下的長江存儲(YMTC)開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
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紫光旗下的長江存儲今天宣布,在北京舉行的“2020中國IC風(fēng)云榜”上,長江存儲公司獲得了備受矚目的年度技術(shù)突破獎,長江存儲執(zhí)行董事,紫光集團聯(lián)席總裁刁石京代表公司領(lǐng)獎。
2020-01-03 08:58:232477

長江存儲月產(chǎn)能達成10萬片,64層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)消息報道,長江存儲科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示,國家存儲器基地項目經(jīng)過3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效,自主開發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-15 14:11:143046

長江存儲64層閃存存儲密度全球第一

今天,長江存儲召開市場合作伙伴新春溝通會,紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來站臺,其中威剛還宣布將會率先推出搭載長江存儲閃存的消費級SSD產(chǎn)品。現(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報的消息,長江存儲64層閃存存儲密度是全球第一,絕不是低端產(chǎn)品。
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搭載長江存儲閃存的消費級SSD產(chǎn)品推出

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2020-01-17 14:43:553448

紫光3年后量產(chǎn)內(nèi)存 所產(chǎn)的內(nèi)存首先用于中國市場

2019年國內(nèi)公司在內(nèi)存、閃存行業(yè)同時取得了重大突破長江存儲量產(chǎn)了64層3D閃存,合肥長鑫則量產(chǎn)了18nm DDR4內(nèi)存。日前長鑫官網(wǎng)也宣布開售8GB DDR4內(nèi)存條。
2020-03-02 09:21:431336

基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)取得重大突破

近日,我國在基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)方面取得重大突破,在國際上首次實現(xiàn)相距50公里光纖的存儲器間的量子糾纏。
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長江存儲宣布將跳過96層堆疊閃存技術(shù)直接投入128層閃存研發(fā)和量產(chǎn)

今年初,長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔曾公開表示,長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層堆疊閃存技術(shù),直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:21870

長江存儲128層閃存今年投入技術(shù)研發(fā)和實現(xiàn)量產(chǎn)

在今年,全球閃存廠商都在集體奔向100+層,例如SK海力士的128層已經(jīng)穩(wěn)定出貨,并計劃在年底推出196層內(nèi)存,三星、鎂光、西數(shù)、Intel也都已經(jīng)突破了百層。近期,國內(nèi)長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示,將跳過96層,直接投入128層閃存的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn)。
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長江存儲宣布成功研制128層QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND

今日(4月13日),長江存儲重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商場SSD等終端產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 09:23:09813

長江存儲推出 128 層 QLC 閃存,單顆容量達 1.33Tb

2020年4月13日,中國武漢,長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。作為業(yè)內(nèi)
2020-04-13 09:29:415571

長江存儲首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存,滿足不同應(yīng)用場景的需求

4月13日,長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格
2020-04-13 14:25:113080

業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存有哪些特點?

2020年4月13日,長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:522662

長江存儲首推128層QLC閃存,單顆容量可達1.33Tb

4月13日,紫光集團旗下的長江存儲科技有限責(zé)任公司(長江存儲)宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功。
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2020-05-04 10:39:002654

長江存儲128層NAND閃存研發(fā)成功,跳過了96層

長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標志著國產(chǎn)存儲廠商向世界最先進技術(shù)水準又邁進了一步。
2020-05-07 14:59:224875

長江存儲128層QLC閃存,1.6Gbps單顆容量1.33Tb

長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-12 09:54:014152

快商通醫(yī)療知識圖譜工程平臺獲得重大突破

日前,快商通在民營醫(yī)療行業(yè)的知識圖譜項目「醫(yī)療知識圖譜工程平臺」獲得重大突破,11年耕耘產(chǎn)生質(zhì)變。
2021-03-16 16:31:221049

QLC、PLC閃存有多坑?最快35次寫完

SSD硬盤現(xiàn)在已經(jīng)開始從TLC閃存向著QLC閃存升級,未來很快還會升級到PLC,容量還會增加,但是代價就是寫入壽命越來越低。從行業(yè)報告來看,PLC閃存的P/E壽命最短只有35次。
2020-06-30 15:54:142501

長江存儲首發(fā)128層QLC閃存

長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功。同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號:X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421382

淺談QLC閃存顆粒的固態(tài)硬盤的使用壽命

最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷,最勁爆的莫過于武漢長江存儲成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存,多項技術(shù)世界領(lǐng)先,最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1017415

官宣!致鈦科技將發(fā)布SSD新品,配備長江存儲3D閃存

9月9日下午,致鈦科技正式宣布,9月10日14時將舉行線上發(fā)布會,屆時會正式推出致鈦品牌的SSD新品,使用的是長江存儲自己生產(chǎn)的3D閃存
2020-09-10 10:02:33854

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:161896

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:191932

長江存儲將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492033

QLC閃存、TLC閃存是什么?QLC閃存、TLC閃存有何區(qū)別?

閃存是最常用器件之一,在諸如SSD等存儲設(shè)備中均存在閃存。但是,大家對閃存真的足夠了解嗎?為增進大家對閃存的了解和認識,本文將對QLC閃存以及TLC閃存相關(guān)內(nèi)容予以介紹。如果你對閃存具有興趣,不妨
2020-11-06 17:38:5883078

長江存儲僅僅一年奪下全球閃存第七

在2019年9月份之前,國內(nèi)廠商在全球閃存市場上幾乎沒有存在感,國產(chǎn)率基本上為0,一年之后國產(chǎn)閃存已經(jīng)進入全球第七了,長江存儲的產(chǎn)能占比已經(jīng)達到了全球1%。
2020-11-19 15:25:046013

國產(chǎn)閃存實現(xiàn)0突破長江存儲位列全球閃存第七

在2019年9月份之前,國內(nèi)廠商在全球閃存市場上幾乎沒有存在感,國產(chǎn)率基本上為0,一年之后國產(chǎn)閃存已經(jīng)進入全球第七了,長江存儲的產(chǎn)能占比已經(jīng)達到了全球1%。 中國閃存市場日前公布了Q3季度全球閃存
2020-11-19 15:33:222343

長江存儲證實華為Mate40用上國產(chǎn)閃存

長江存儲去年9月份國內(nèi)第一個宣布量產(chǎn)64層堆棧3D閃存,一提到國產(chǎn)閃存,很多人都說沒看見,實際上已經(jīng)有多款產(chǎn)品用上了國產(chǎn)閃存,華為Mate40系列手機現(xiàn)在也使用了長江存儲閃存。 日前,長江存儲
2020-11-20 18:15:272693

長江存儲已打入華為供應(yīng)鏈

楊士寧表示,很多人反映很少看到國產(chǎn)內(nèi)存, 實際上華為Mate 40系列手機現(xiàn)在也使用了長江存儲的64層3D NAND閃存。 他強調(diào),與國際存儲大廠6年的路程相比, 長江存儲僅用了短短3年時間實現(xiàn)了3D NAND的32層、64層、128層的跨越。 會議上, 他還展示了長江存儲 先進的Xt
2020-11-23 11:59:264363

臺積電在實現(xiàn)2nm工藝方面取得了重大突破

據(jù)中國臺灣媒體報道稱,臺積電(TSMC) 在實現(xiàn)2nm工藝方面取得了重大突破,該工藝可以生產(chǎn)數(shù)十億個晶體管,可能會突破摩爾定律放慢的局限。
2020-11-24 16:54:061148

英睿達X8便攜式SSD評測:極速QLC顆粒

在固態(tài)硬盤領(lǐng)域,一直有QLC和TLC顆粒之爭,無非就是讀寫性能和壽命,對QLC顆粒產(chǎn)品不信任。但是一個不爭的事實是,包括英睿達等頂級存儲廠商均不斷推出搭載了QLC顆粒的大容量存儲,尤其是英睿達今年
2020-12-02 10:41:201888

IBM已解決QLC閃存壽命問題,實現(xiàn)1.6萬次擦寫

得益于容量大、價格低的優(yōu)勢,如今越來越多的SSD硬盤轉(zhuǎn)向QLC閃存,大家擔(dān)心的主要是QLC閃存壽命,具體來說就是P/E擦寫次數(shù),通常在1000次左右,而IBM現(xiàn)在解決了QLC壽命問題,做到了史無前例的16000次擦寫壽命壽命比SLC還強。
2020-12-08 09:40:034117

奧來德在封裝材料方面取得重大突破

日前,記者獲悉,吉林奧來德光電材料股份有限公司在封裝材料方面取得重大突破,產(chǎn)品綜合性能已經(jīng)達到國外同等水平,其中部分物理性能和穩(wěn)定性表現(xiàn)突出,在水、氧阻隔方面具有良好的表現(xiàn)。
2020-12-21 11:44:33981

長江存儲最快在2021年中旬試產(chǎn)首批192層閃存,國產(chǎn)閃存產(chǎn)能年底可占全球7%

2019年長江存儲國產(chǎn)的64層閃存開始量產(chǎn)之后,2020年他們又帶來了128層閃存,2021年則會帶來192層閃存。 日經(jīng)新聞亞洲版報道稱,中國閃存廠商長江存儲正在加速擴張閃存產(chǎn)能,計劃在2021
2021-01-12 14:37:426615

長江存儲閃存產(chǎn)能翻倍?謠言!

昨天日經(jīng)新聞亞洲版報道稱,長江存儲2021年的產(chǎn)能將翻倍,達到10萬片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產(chǎn),不過長江存儲今天否認相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 10:21:382084

長江存儲計劃今年將產(chǎn)量提高一倍

此前4月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。這標志著國內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進入國際先進水平。
2021-01-17 10:19:202855

盤點2020年存儲行業(yè)十大事件

2020年4月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日,長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團展臺上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362106

Intel披露QLC閃存進展,壽命絕口不提

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來,容量密度越來越高,成本越來越低,性能和壽命卻越來越渣,不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來輔助,但依然不容樂觀。
2021-02-22 09:26:421488

Intel披露QLC閃存新進展 不提壽命

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來,容量密度越來越高,成本越來越低,性能和壽命卻越來越渣,不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來輔助,但依然不容樂觀。 TLC依然是目前市場
2021-02-22 09:53:271543

QLC閃存144層QLC技術(shù)細節(jié)曝光

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來,容量密度越來越高,成本越來越低,性能和壽命卻越來越渣,不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來輔助,但依然不容樂觀。
2021-02-22 10:00:493054

IBM和三星在半導(dǎo)體設(shè)計方面取得重大突破

在2021 IEEE國際電子器件會議(IEDM)上,IBM和三星聯(lián)合宣布,他們在半導(dǎo)體設(shè)計方面取得一項重大突破
2022-03-16 09:56:02343

長江存儲推出UC023閃存芯片 專為5G時代打造

  昨日消息,國內(nèi)專注于3D NAND閃存存儲器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長江存儲宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:521840

蘋果欲與長江存儲合作來降低NAND閃存的價格

蘋果公司將長江存儲(YTMC)納入供應(yīng)商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過使供應(yīng)商多樣化來降低NAND閃存的價格。
2022-09-08 11:55:23543

分區(qū)存儲助力QLC應(yīng)用到嵌入式存儲設(shè)備

部署QLC存儲設(shè)備。 QLC可以給存儲設(shè)備帶來更低的成本,作為消費級產(chǎn)品的嵌入式存儲設(shè)備,未來引入QLC也是勢在必行。 但和當前主流TLC相比,QLC在性能和壽命上都相差很大,從下面某原廠TLC和QLC在性能和壽命方面的一個對比可見一斑。 ( Table 1:某原廠TLC和
2023-02-14 15:05:05363

對比韓企存儲技術(shù),長江存儲發(fā)展如何

據(jù)外媒報道,長江存儲去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機,同年11月開始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:251673

QLC閃存 D5-P5430的基本規(guī)格、性能表現(xiàn)

SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來的Solidigm,就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級產(chǎn)品P5-D5430,可以說是QLC SSD的一個代表作。
2023-06-09 10:41:43504

分區(qū)存儲助力QLC應(yīng)用到嵌入式存儲設(shè)備

QLC存儲設(shè)備。QLC可以給存儲設(shè)備帶來更低的成本,作為消費級產(chǎn)品的嵌入式存儲設(shè)備,未來引入QLC也是勢在必行。但和當前主流TLC相比,QLC在性能和壽命上都相差
2023-02-22 14:12:23376

拐彎突破美國禁令!長江存儲神秘閃存曝光

長江存儲已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232層堆疊,存儲密度15.47Gb每平方毫米,而且傳輸速度高達2400MT/s,妥妥的世界第一,結(jié)果被美國一直禁令給攔住了,死死限制在128層,但我們肯定不會坐以待斃。
2023-07-20 09:44:311266

華為芯片迎重大突破

華為芯片迎重大突破:目前華為的麒麟系列芯片已經(jīng)成為世界上最強大的移動芯片之一,被廣泛應(yīng)用于華為自家的旗艦手機以及平板電腦等設(shè)備上。 華為一直是全球領(lǐng)先的芯片設(shè)計和制造企業(yè)之一,近年來通過自主研發(fā)
2023-09-06 11:14:563405

長江存儲232層閃存揭秘

長江存儲1Tb TLC芯片的存儲密度已達15.47Gb每平方毫米,1Tb QLC更是高達19.8Gb每平方毫米,在兩種閃存類型中都無出其右者。
2023-11-02 11:11:46902

起訴美光!長江存儲反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個方面:美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:51301

長江存儲起訴美光!

長江存儲在以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結(jié)論:長江存儲是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過了美光。
2023-11-13 16:53:04540

8項專利被侵權(quán)!美光與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲與美光芯片戰(zhàn)升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日在美國加州北區(qū)地方法院對美國記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關(guān)的美國專利。
2023-11-13 17:24:51554

我國在光存儲領(lǐng)域獲重大突破 或?qū)㈤_啟綠色海量光子存儲新紀元

”;這是我國在光存儲領(lǐng)域獲重大突破。有助于解決大容量和節(jié)能的存儲技術(shù)難題。 利用國際首創(chuàng)的雙光束調(diào)控聚集誘導(dǎo)發(fā)光超分辨光存儲技術(shù),實驗上首次在信息寫入和讀出均突破了衍射極限的限制,實現(xiàn)了點尺寸為54nm、道間距為70
2024-02-22 18:28:451361

長江存儲QLC閃存已完成4000次P / E擦寫,采用第三代Xtacking技術(shù)

值得注意的是,長江存儲首席技術(shù)官(CTO)霍宗亮指出,NAND閃存行業(yè)已經(jīng)在飽受煎熬的2023年逐步復(fù)蘇,并有望在2023~2027年間實現(xiàn)21%的復(fù)合增長率以及20%的累計設(shè)備平均容量增長。
2024-03-28 13:57:5787

零的突破!中國閃存芯片正式步入國際主流水平

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道長江存儲4月13日重磅發(fā)布兩款128層3D NAND產(chǎn)品引起業(yè)界高度關(guān)注,其中128層QLC產(chǎn)品為目前業(yè)內(nèi)發(fā)布的首款單顆Die容量達1.33Tb的NAND閃存,容量、性能均優(yōu)于主要
2020-04-14 09:17:335021

首次亮相!長江存儲128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團帶來了大量產(chǎn)品,其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144032

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