東芝日前發(fā)布世界首個(gè)基于QLC（四比特單元） BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片。對(duì)于閃存技術(shù)的未來(lái)發(fā)展而言，這可謂是相當(dāng)重大的消息。
在曾經(jīng)的一段時(shí)間里，從TLC升級(jí)到QLC看上去似乎難度頗高，因?yàn)榫_區(qū)分電荷電平所需要的生產(chǎn)精度是會(huì)成倍增加的。但在自己最新的3D NAND閃存當(dāng)中（使用了64層堆棧式QLC存儲(chǔ)單元），東芝就成功做到了這一點(diǎn)。
東芝的QLC技術(shù)實(shí)現(xiàn)了每閃存顆粒768Gb的容量，相比之前512Gb TLC顆粒顯然是巨大的提升。東芝指出，新的QLC顆粒能以16顆粒封裝，從而實(shí)現(xiàn)單設(shè)備1.5TB的容量——這被東芝稱為目前單獨(dú)一個(gè)單元的最大容量。
東芝宣稱，他們的QLC NAND擁有多達(dá)1000次左右的P/E編程擦寫循環(huán)，大大高于業(yè)界此前幾年預(yù)計(jì)的100-150次，幾乎已經(jīng)和TLC閃存旗鼓相當(dāng)。
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