總的來說，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時(shí)不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:20
20788 在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04947 
繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)來控制機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制。而場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通過柵極施加正負(fù)偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
2024-02-18 10:16:41558 
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種改變電場(chǎng)來控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的K值得問題：在研究學(xué)習(xí)楊建國老師的負(fù)反饋和運(yùn)算放大器基礎(chǔ)這本書的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)有一道題的一個(gè)參數(shù)不知道什么意思，請(qǐng)大咖們幫忙解惑...Page65 ： K=0.0502A/V*V 這個(gè)參數(shù)是什么意思呢？多謝！~
2019-04-04 11:47:20
MOS管在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，目前常用二氧化硅作金屬鋁（Al）柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層，稱為金屬一氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱為MOSFET或者M(jìn)OS管。電路符號(hào)G,D,S極怎么區(qū)分G極是比較好
2023-02-10 16:27:24
)．場(chǎng)效應(yīng)晶體管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)晶體管。（7)．場(chǎng)效應(yīng)晶體管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開關(guān)電路，但是場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造工藝簡(jiǎn)單
2019-03-28 11:37:20
我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2018-03-17 14:19:05
的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)順序相反。（6）.電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）. MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護(hù)二極管
2011-12-19 16:30:31
曲同工之妙。下面列舉場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路中常用的五大作用：二、場(chǎng)效應(yīng)晶體管五大作用：1、放大作用場(chǎng)效應(yīng)晶體管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2
2019-03-25 16:16:06
`在電子元器件行業(yè)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管一直被譽(yù)為開關(guān)電路的“神器”，那是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成等優(yōu)點(diǎn)，所以在開關(guān)電路中迅速走紅， 可是一提起場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48
我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-06-18 04:21:57
。場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。場(chǎng)效應(yīng)晶體管作用是什么1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管
2019-05-08 09:26:37
`場(chǎng)效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時(shí)除了留意不要使主要參數(shù)超越允許值外，對(duì)于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管還應(yīng)特別留意由于感應(yīng)電壓過高而形成的擊穿因素。場(chǎng)效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時(shí)應(yīng)留意以下幾點(diǎn)：1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時(shí)要留意
2019-03-22 11:43:43
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動(dòng)保護(hù)等電路，可選用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、繼電器驅(qū)動(dòng)等電路，可選
2021-05-13 07:10:20
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流電源電路設(shè)計(jì).doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機(jī)H橋驅(qū)動(dòng)電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路.doc場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí).doc全系列場(chǎng)效應(yīng)管
2019-08-11 22:46:35
在場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)照表中，收編了美國、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)次晶體管（MOSFET）、肖特基勢(shì)壘控制柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SB）、金屬半導(dǎo)體
2021-05-11 06:19:48
材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性測(cè)量”。電路和普通的測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實(shí)在是太菜鳥了，請(qǐng)見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:51:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 07:46:37
場(chǎng)效應(yīng)晶體管、N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。每種元件在電路圖中的電路符號(hào)也不相同，例如下面這張圖片列出來的是兩種結(jié)型管的電路符號(hào)，2號(hào)管腳的箭頭指向管子的為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-04-15 12:04:44
，使Gate和Drain之間的場(chǎng)被建立，從而觸發(fā)這種場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。 MOSFET的主要用途： MOSFET在工業(yè)中有廣泛的應(yīng)用，主要用在邏輯電路，放大電路，功率電路等方面。普遍
2023-03-08 14:13:33
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個(gè)集成電路使用更多晶體管。 平面與三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
MOS_場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:21:29
控制器件。 一、晶體三極管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管說明: （1）晶體三極管含義: 用于電壓放大或者電路放大的控制器件。可以把基極和集電極的間的電壓Vbc放大到幾十到幾百倍以上，在發(fā)射集和集電極之間以Vce的方式
2019-04-09 11:37:36
才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。9m是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大才能的重要參數(shù)。（5）漏源擊穿電壓漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管正常工作所能接受的漏源電壓
2019-04-04 10:59:27
)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)都有信號(hào)放大的作用，也都有3個(gè)管腳，且封裝大小兩者都類似，然而這么如此相似的兩種管，無論是材質(zhì)組成、工作原理、使用方式，它們都不一樣，但是究竟兩者之間有何區(qū)別，到底誰才可以被稱為電子
2019-04-08 13:46:25
本文探討了鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們?cè)诟鞣N應(yīng)用中的用途，以及它們相對(duì)于 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)。 什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管？ 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管，它是一個(gè)放大器和一個(gè)
2023-02-24 15:25:29
場(chǎng)效應(yīng)晶體管在芯片中的作用講起：開關(guān)電源芯片就是利用電子開關(guān)器件如晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、閘流管等，通過控制電路，使電子開關(guān)器件不停地“接通”和“關(guān)斷”，讓電子開關(guān)器件對(duì)輸入電壓進(jìn)行脈沖調(diào)制，維持穩(wěn)定輸出電壓
2019-04-01 11:54:28
`功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
1. 場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流
2019-03-29 12:02:16
如何挑選出好的場(chǎng)效應(yīng)晶體管？晶體三極管選用技巧有哪些？
2021-06-18 06:50:42
;把管子焊到電路上或取上去時(shí)，也應(yīng)該先將各個(gè)電極短路;安裝測(cè)試時(shí)所用的烙鐵儀器等要有良好的接地，最好拔掉電烙鐵的電源再中止焊接。二、怎樣判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電極將萬用表置于RX1K擋，用黑表筆接觸假定
2019-03-21 16:48:50
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
件，二場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制器件。一、晶體三極管：用于電壓放大或者電路放大的控制器件。可以把基極和集電極的間的電壓Vbc放大到幾十到幾百倍以上，在發(fā)射集和集電極之間以Vce的方式輸出;還可以把基極電流
2019-03-27 11:36:30
焊到電路上或取下來時(shí)，也應(yīng)該先將各個(gè)電極短路;安裝測(cè)試時(shí)所用的烙鐵儀器等要有良好的接地，最好拔掉電烙鐵的電源再進(jìn)行焊接。2、判斷結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電極將萬用表置于RX1K擋，用黑表筆接觸假定為的柵極G
2019-03-26 11:53:04
`一、場(chǎng)效應(yīng)晶體管選擇的重要性隨著電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度，我們對(duì)電子產(chǎn)品性能的要求也越來越高，在一些電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不光是開關(guān)電源電路中，還有在便攜式電子產(chǎn)品的電路中都會(huì)用到場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-04-02 11:32:36
`在傳統(tǒng)MOSFET中，載流子從源極越過pn結(jié)勢(shì)壘熱注入到溝道中。而隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿
2018-10-19 11:08:33
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及使用
場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2010-01-13 16:01:59
133 場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路的動(dòng)態(tài)分析
共源組態(tài)基本放大電路的動(dòng)態(tài)分析
共漏組態(tài)基本放大電路的動(dòng)態(tài)分析
2010-09-25 16:21:2574 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng): MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下
2009-03-11 22:22:50918
雙極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管電纜驅(qū)動(dòng)器電路圖
2009-03-30 08:39:31888 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管輸入精密儀器用放大器電路圖
2009-04-01 08:54:25817 
短波場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器電路圖
2009-04-08 09:23:333643 
使用高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管的寬帶超高頻放大器電路圖
2009-04-08 09:25:201358 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管采樣與保持電路圖
2009-04-09 09:28:07733 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管級(jí)聯(lián)視頻放大器電路圖
2009-04-15 08:46:281125 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極晶體管級(jí)聯(lián)視頻放大器電路圖
2009-04-15 08:48:05821 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管電壓表電路圖
2009-04-15 09:24:03801 
功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理
功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小
2009-04-25 16:05:109126 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
2009-05-24 23:11:156579 場(chǎng)效應(yīng)晶體管氣敏差分電路圖
2009-06-08 09:43:22743 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管TVS保護(hù)電路圖
2009-06-08 14:53:551064 
4CCM場(chǎng)效應(yīng)晶體管源極輸出電路圖
2009-06-08 15:15:441153 
金屬氧化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路圖
2009-07-01 12:00:21521 
使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的貨車箱形電路圖
2009-07-02 13:11:18498 
采用金屬氧化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輻射測(cè)量器電路圖
2009-07-03 13:33:49470 
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管高阻抗偏置方法
該N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)
2009-09-05 15:17:18839 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）電壓表
這個(gè)非常簡(jiǎn)單的
2009-09-24 14:45:47835 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么?
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 利用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的晶體管，簡(jiǎn)稱FET。場(chǎng)效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場(chǎng)的方向或大小，
2010-03-04 15:58:133672 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管“放電式”長(zhǎng)延時(shí)電路圖
2010-03-30 14:44:541630 
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管長(zhǎng)延時(shí)電路圖
2010-03-30 14:45:531496 
光電池-VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管光敏繼電器電路圖
2010-03-31 17:15:501312 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器
場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)
2010-04-16 10:08:574970 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管）有結(jié)型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。
場(chǎng)效應(yīng)管作為開關(guān)器件應(yīng)用類似
2010-05-24 15:26:0611673 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹
2016-08-22 16:18:030 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及使用
2016-08-22 16:18:030 VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用
2017-09-21 11:21:2429 本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個(gè)方面介紹了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2018-01-03 14:20:4424660 
隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。
2018-01-03 15:32:4527183 
隨著電子設(shè)備升級(jí)換代的速度，大家對(duì)于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不僅是開關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會(huì)運(yùn)用到性能更好的電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-08-18 10:07:525087 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2019-10-11 10:26:319865 
MOSFET的類型很多，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道；根據(jù)柵極電壓與導(dǎo)電溝道出現(xiàn)的關(guān)系可分為耗盡型和增強(qiáng)型。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般為N溝道增強(qiáng)型。
2019-10-11 10:33:297965 
功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0926489 
電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過漏極負(fù)載電阻R2，把電壓加在了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極，而負(fù)極性電源通過柵極偏置電阻R1，把電壓加在了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極。
2019-10-13 15:33:005256 
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場(chǎng)
2020-03-23 11:03:188779 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2020-07-02 17:19:0520 場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類。可分為以下5種。可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2020-09-18 14:08:447386 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則。
2020-10-02 18:06:007605 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用。
2021-03-19 16:11:1727 GaAsFET（砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是高頻、超高頻、微波無線電頻下功放電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。GaAsFET憑借其靈敏性而舉世聞名，其形成的內(nèi)部噪聲極少。這主要是由于砷化鎵擁有與眾不同的載流子遷移率
2021-09-13 17:23:423271 場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23698 場(chǎng)效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏。控制橫向電場(chǎng)的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:081512 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041373 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:15:374167 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場(chǎng)效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個(gè)控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46800 選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的六大訣竅
2023-12-05 15:51:38168 【科普小貼士】什么是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）
2023-12-13 14:36:44354 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場(chǎng)控制的電子器件，常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動(dòng)。
2024-02-22 18:16:54833
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